Воспоминания 1990-х

Десятилетний период с 1998 года в финансовом отношении был достаточно сложным, поэтому коллективу лаборатории пришлось принять участие в самых различных исследовательских программах. Одной из самых интересных научных работ была тема, связанная с изучением возможности использования слоев твердого раствора Pb_1-xSn_xTe<In> в качестве среды для обменного взаимодействия кубитов на основе атомов фосфора (³¹Р), имплантированных в матрицу кремния. Исследование проводилось в рамках программы «Квантовый компьютер и квантовые вычисления», возглавляемой академиком К.А. Валиевым, а в нашем институте эти работы были инициированы И.Г. Неизвестным. Сама идея применения соединения в подобных целях была предложена В.Н. Шумским, который, безусловно, является экспертом в этом материале. Дело в том, что в твердом растворе Pb_1-xSn_xTe<In> с х≅0.22 при низкой температуре происходит переход из «металлического» состояния в «диэлектрическое». В диэлектрическом состоянии концентрация свободных носителей заряда чрезвычайно низкая и на практике определяется фоновыми засветками. Например, для образца с х = 0.24 экспериментально измеренное удельное сопротивление при Т ≅ 4.2 К превышало 5·10¹² Ом×см, что для подвижности даже 100 см²×В×с соответствовало концентрации электронов не более 10⁴ см^-3. Это гарантировало низкую вероятность возбуждения примесных центров. Кроме того, эффективная масса электрона в теллуриде свинца составляет 0.05 m₀ (в твердом растворе значение эффективной массы близко к указанному значению), а диэлектрическая проницаемость ε≅400. Таким образом, радиус боровской орбиты электрона в Pb_1-xSn_xTe<In> оказывается примерно в 8000 раз больше, чем в атоме водорода. Это означает, что при «вытягивании» из матрицы кремния в подобную среду, например путем электростатического воздействия, волновых функций электронов, «сидящих» на донорных центрах ³¹Р с интервалом порядка микрона, наблюдалось бы их перекрытие. Продемонстрировать такую возможность экспериментально представлялось весьма заманчивой задачей.

Необходимо сказать несколько слов, касающейся актуальности проблемы квантового компьютера. Главное различие между принципами функционирования классического и квантового компьютеров следующее. Классический компьютер реализует объектную модель, при которой по «пространственно-временной» схеме, согласно выбранному алгоритму, выполняется последовательность команд (программа), осуществляющая в общем случае некоторое логическое преобразование. Наличие в архитектуре современных компьютеров параллельных процессоров (пространственно-временное ветвление) ничего не меняет. Квантовый компьютер использует свойство суперпозиции исходного состояния реальности до редукции его к объектному представлению. Такое различие оказывается настолько значимым, что позволяет экспоненциально увеличить вычислительную мощь системы. Понятие суперпозиции квантового состояния означает существование до измерения с некоторой вероятностью всех возможных исходов этого измерения. И основная проблема заключается в том, чтобы научиться манипулировать этими возможностями-вероятностями.

Большой вклад в работу был сделан сотрудником Института ядерной физики Ю.А. Цидулко, который провел подробные вычисления волновой функции водородоподобного атома на границе двух сред с учетом разницы в диэлектрической проницаемости и наличия барьера масс. Низкотемпературные измерения при 4.2 К электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) образцов были сделаны В.А. Надолинным в Институте неорганической химии. А собственно сами исследованные структуры были получены у нас в лаборатории технологом А.Н. Акимовым, фотолитографические работы выполнены В.В Солдатенковой, имплантация фосфора в высокоомный кремний была проведена под руководством Б.И Фомина в лаборатории 19.

В результате проведенных исследований был отработан способ эпитаксии пленок Pb_1-xSn_xTe<In> требуемого состава непосредственно на пластинах Si. Методом ЭПР показано, что в системе кремниевая подложка – гетероэпитаксиальный слой для приповерхностных атомов фосфора в кремниевой структуре наблюдается изменение волновых функций, что обусловлено усилением обменного взаимодействия за счет их перекрытия в среде с большим боровским радиусом. (А.Э. Климов, В.А. Надолинный, И.Г. Неизвестный, С.П. Супрун, Ю.А. Цидулко, В.Н. Шумский, Использование среды с большой диэлектрической проницаемостью для увеличения расстояния между взаимодействующими кубитами, Микроэлектроника, т. 35 в. 5, 323 (2006).)

К большому сожалению, после смерти замечательного ученого К.А. Валиева работы в рамках программы, руководимой им, были свернуты.

Еще одно исследование, проведенное в лаборатории, было связано с созданием метода получения квантовых точек (КТ) Ge на эпитаксиальных слоях ZnSe, выращенных на подложке GaAs. Это были первые структуры с массивом КТ при отсутствии упругих напряжений, что обусловлено хорошим согласованием постоянных решеток этих материалов. Интересна предыстория этого события. В лаборатории А.Б. Талочкиным долгое время велись исследования тонких пленок методом комбинационного рассеяния света (КРС). Им же был предложен неразрушающий способ контроля толщины и качества эпитаксиальных слоев на основе метода КРС. В 1995 году нами была опубликована работа в соавторстве с А.К. Гутаковским(S.P Suprun, A.B. Talochkin, A.K. Gutakovsky, V.N. Shumsky, Determination of thickness of heteroepitaxial ultra thin layers by Raman spectroscopy, J. Phys. Low-Dim. Struct., 1, 59 (1995).), в которой было продемонстрировано, что зависимость интенсивности КРС от толщины пленок германия определяется тем, являются выращенные слои сплошными или нет. В качестве контрольного метода, подтверждающего наличие островков Ge, использовалась высокоразрешающая электронная микроскопия. Спустя несколько лет в науке появился новый объект исследования, получивший названия «массив квантовых точек». А наблюдавшееся нами аномальное КРС в массиве КТ Ge позднее было интерпретировано как «впервые зарегистрированное раздельное появление пиков E₁ и E₁+Δ₁–резонансов, связанное с трансформацией межзонной плотности состояний в дельта-функцию при квантовании спектра состояний (Talochkin A.B., Teys S.A., Suprun S.P., Resonance Raman scattering by optical phonons in unstrained germanium quantum dots, Phys. Rev. B, 2005, 72, 115416.)».

В эти же годы появились первые публикации, связанные с использованием явления рассеяния лазерного излучения в установках молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), как метода контроля in situ качества поверхности подложек и слоев. Так группой японских ученых при получении эпитаксиальных пленок In_xGa_1-xAs на GaAs было установлено, что изменение интенсивности рассеянного излучения (РИ) позволяет регистрировать изменения рельефа поверхности на уровне 1 ÷ 2 монослоя в процессе МЛЭ. Утверждалось также, что РИ «чувствует» момент появления дислокаций несоответствия при достижении критической толщины слоя при росте (J.S. Harmand, T. Matsumo, K. Inouse. Abstr. of 22nd Int. Conf. on Solid St.Dev.& Mat., (1990), 481.). А.Б. Талочкиным была разработана конструкция, совместимая с установкой МЛЭ при использовании всего одного фланца с «окном» в камере роста. Вследствие того, что интенсивность РИ составляет величину 10^-6 ÷ 10^-8 от интенсивности возбуждающего излучения, была применена модуляция падающего света и система фильтрации по спектру и поляризации принимаемого излучения для устойчивой регистрации сверхслабых сигналов.

С использованием данного метода был подробно изучен процесс десорбции собственного окисла сложного состава с поверхности подложек GaAs. Причем наблюдались такие детали как десорбция воды, затем As₂O₅ и формирование сверхструктуры поверхности. Все этапы очистки поверхности параллельно регистрировались масс-спектрометром и дифракцией быстрых электронов на отражение (E.V.Fedosenko, V.N.Shumsky, S.P.Suprun, and M.A.Torlin. ISDRS-97, Sharlottesville, USA, 119 (1997).). Примечательно то, что независимо от нас те же результаты для GaAs были получены и одновременно с нами опубликованы американской группой исследователей.

Этим способом помимо предэпитаксиальной подготовки были также изучены начальные стадии гетероэпитаксиального роста Ge на GaAs, ZnSe и пористом Si. Получены азимутальные зависимости интенсивности РИ от направления поляризации лазерного излучения, зависимости интенсивности РИ от длины возбуждающего излучения и так далее. Метод может быть использован для контроля in situ процесса эпитаксии различных материалов, в том числе, твердых растворов заданного состава.

Возвращаясь к теме исследования КТ Ge, можно отметить нетривиальный для того времени результат, связанный с наблюдением так называемой «кулоновской лестницы» в структуре GaAs/ZnSe/КТ-Ge/ZnSe/Al при комнатной температуре. В конце ХХ века стало модным такое направление как одноэлектроника. И.Г. Неизвестный высказал идею: попробовать реализовать одноэлектронные эффекты на основе созданной нами технологии. В.Н. Шумским была предложена конструкция структуры, которая позже была изготовлена с использованием электронной литографии в лаборатории 20. Однако при измерении вольтамперных характеристик (ВАХ) одноэлектронных структур на электрометрическом стенде основной проблемой являлось создание условий высокой помехозащищенности при отсутствии наводок, обусловленных работой оператора в ручном режиме. Наш опыт показал, что процесс набора данных оказывается весьма трудоемким, длительным, а полученные результаты имеют высокую погрешность. В связи с этим Н.Н. Лебедевым был разработан блок связи между измерительными приборами (электрометр с уровнем измеряемых токов 10-15А и цифровыми вольтметрами Щ 300) и компьютером. Наличие цифро-аналогового преобразователя позволяло управлять напряжением смещения на исследуемом образце в интервале (0 – 30) В с минимальным шагом 2.5 мВ. Согласно программе, можно было выбирать время между последовательными измерениями тока, количество измерений на каждом шаге (для уменьшения погрешности), время успокоения после изменения напряжения и т.д. Таким образом, данная установка позволяла в полностью автоматическом режиме проводить прецизионную регистрацию ВАХ полученных структур, что и позволило нам наблюдать «кулоновскую лестницу» (И.Ю. Бородин, И.А. Литвинова, И.Г. Неизвестный, А.В. Прозоров, С.П. Супрун, А.Б. Талочкин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский, Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe/KT-Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge, Письма в ЖЭТФ, 78, в.3, с.184 (2003).).

В эти же годы была разработана методика наблюдения in situ химических реакций в твердой фазе методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). Дело в том, что современные технологии широко используют реакции в твердой фазе. Например, при таком способе изготовления структур как вакуумная эпитаксия наблюдается целая последовательность химических реакций, которые протекают при удалении собственных окислов с поверхности подложки и образовании гетерограницы во время роста. Современная инженерия занимается созданием сложных объектов и квантовых систем нанометровых размеров с набором определенных свойств, что требует детального знания на атомарном уровне о процессах, протекающих при их формировании. В настоящее время в качестве одного из методов, дающих исследователю уникальную информацию о физико-химическом состоянии поверхности твердого тела, широко используется метод РФЭС. С его помощью можно регистрировать положение по энергии глубоких (остовных) уровней атомов, которое определяется состоянием внешних, валентных связей. Изменение конфигурации валентной связи (гибридизации, длины, другими словами, изменение пространственного распределения плотности заряда), которое связано с окружением атома, приводит к сдвигу по энергии нижележащих уровней. Чувствительность данного метода настолько высока, что по величине сдвига можно определить химическое соединение, в котором находится наблюдаемый элемент. При измерении спектров регистрируются электроны, выброшенные с глубоких уровней в процессе облучения образца рентгеновским монохроматическим излучением. Рентгеновское излучение слабо поглощается материалами, поэтому возбуждение электронов происходит по всей глубине исследуемого образца. В тоже время длина пробега образовавшихся электронов мала, что и определяет глубину анализа данного метода. В связи с этим полученная информация представляет собой зависимость от энергии суммарной интенсивности фотоэлектронов, вышедших в вакуум из слоя толщиной ≈ (1 - 2) нм. Таким образом, имеется специфика использования РФЭС, обусловленная малой глубиной анализа. Это необходимо учитывать при подготовке изучаемых образцов, так как требует исключения неконтролируемого химического воздействия на поверхность. При исследовании границ раздела двух материалов необходимо наличие шлюзовой камеры между технологической камерой эпитаксии и камерой аналитической установки, чтобы избежать контакта образца с атмосферой между операциями получения и анализа. И, кроме того, обязательным условием является прецизионное осаждение слоев заданной толщины (порядка 1 нм). При выполнении этих требований методом РФЭС могут быть получены уникальные данные по формированию гетерограницы и структурных метаморфозах на поверхности (изменениях кристаллического состояния слоя материала).

В связи с этим В.Н. Шумский предложил модернизировать аналитическую установку NANOSCAN-50, добавив к ней камеру роста со шлюзом, что и было реализовано научным сотрудником Е.В. Федосенко и рабочим высшей квалификации В.В. Арисовым. Надо отметить большую заслугу последнего в деле поддержания работоспособности всего парка технологического оборудования в лаборатории.

Теперь, собственно, о сути разработанной методики. Для того чтобы наблюдать in situ изменения в твердой фазе, например при формировании гетерограницы, используется следующая последовательность операций. Вначале готовится атомарно чистая поверхность как перед эпитаксией, и регистрируется химическое состояние всех элементов на поверхности. Если при этом измерять спектры при разных углах наклона образца относительно оси анализатора, собирающего фотоэлектроны, то получим зависимость химического состояния элементов по глубине. Это обусловлено тем, что эффективная глубина анализа определяется как d_ef = λ×cosα, где λ - длина пробега электронов в материале, α - угол между осью анализатора и поверхностью образца. Таким способом удается разделить поверхностные и объемные компоненты одних и тех же элементов. Поверхностные атомы, имеющие оборванные валентные связи, отличаются положением по энергии остовных уровней от объемных атомов, с полным набором связей. На следующем этапе проводится осаждение на подложку слоя другого материала при комнатной температуре. Толщина слоя не должна превышать 1 нм, чтобы иметь возможность наблюдать химическое состояние элементов в области границы раздела со стороны подложки. После осаждения материала даже при комнатной температуре образца возможно образование химических связей за счет наличия на поверхности оборванных связей и высокой энергии адатомов, поступающих из источника. Поэтому изучение формирования гетерограницы начинается после осаждения слоя и продолжается по мере нагрева подложки. При этом последовательно с ростом температуры будет происходить образование химических связей в твердой фазе. Благодаря тому, что реагирующий слой тонкий, диффузия в этом случае не является лимитирующим процессом.

В такой манере нами были исследованы различные способы получения чистой поверхности Si, GaAs и процесс формирования стабильных гетерограниц различных соединений. Рассматриваемый способ изучения физико-химических изменений в твердой фазе позволил нам существенно сократить время при отработке технологических режимов, соответствующих оптимальной температуре получения структур, с требуемыми свойствами. Для примера, нами наблюдалось течение химической реакции и его особенности при образовании силицида платины с нагревом слоя Pt на Si. Были исследованы процессы окисления гидрогенизированной поверхности кремния: поведение физадсорбированной воды на такой «ван-дер-ваальсовой» поверхности. Получены уникальные результаты во время изучения формирования границы Ge/GaAs при не полной очистке поверхности GaAs от собственных окислов. Такой способ позволяет сохранить стехиометрию поверхности соединения, так как гетерограница образуется до полного удаления окисла, препятствующего неконгруэнтному испарению компонентов материала (S.P. Suprun, & E.V. Fedosenko, Formation of the GaAs-Ge heterointerface in the presence of oxide. JETP Letters, 89, 2, 94, (2009).). Нами «в режиме реального времени» наблюдался процесс твердофазной перекристаллизации Ge на эпитаксильном слое ZnSe, выращенном на GaAs. Это позволило понять механизм образования КТ Ge в случае отсутствия такой «организующей» силы как упругие напряжения. Была исследована граница раздела Si-BaF₂ с очень большим рассогласованием по постоянной решетки материалов ≈ 14% и малой плотностью электронных состояний на границе раздела ≈ N_SS = 10¹¹ эВ^-1см^-2 (исследования электрофизических свойств выполнены В.Г. Ерковым) и так далее (S.P. Suprun, V.G. Kesler, E.V. Fedosenko, Observation of chemical reactions in solid phase using X-ray photoelectron spectroscopy, Stoichiometry and Materials Science - When Numbers Matter, pp. 285-326, InTech, Rijeka, Croatia, 2012.).

Необходимо отметить, что эти результаты во многом были получены благодаря исключительно профессиональной работе химика-технолога А.И. Антоненко, которая готовила все анализируемые нами образцы. Например, для воспроизводимого получения тонкого собственного окисла GaAs ею были испробованы несколько методик, в том числе, с химическими реактивами разных производителей (в конце концов, выбор был сделан в пользу зарубежной фирмы). Кропотливая работа по набору спектров была выполнена Е.В. Федосенко. При интерпретации полученных данных необходимо иметь в виду, что суммарный пик анализируемого элемента представляет собой сумму пиков, соответствующих разным состояниям этого элемента в пределах глубины анализа. Все это приводит к изменению формы пика, его уширению (сужению) по мере изменения химического состава поверхности. Количество компонент при разложении наблюдаемого пика выбирается, исходя из ситуации, и должно быть обосновано. Сам процесс разложения на компоненты включает в себя операции сдвига по энергии, связанного с возможной зарядкой образца, вычитания фона, учета формы пика, обусловленной шириной линии возбуждающего излучения, энергетическому разрешению анализатора и так далее.

Подводя итог, понимаешь, что многое можно было сделать лучше и по-другому, в некотором отношении, это были «потерянные» в творческом отношении годы. Особенно жаль тех молодых сотрудников, которые попали в институт в период перестройки. Все они вынуждены были искать «доходные места» на стороне и оставить научную работу. Среди них были очень способные и подающие надежды ребята, например Алексей Прозоров, Максим Осовик и другие. Но все они, кто работал и работает до сих пор в лаборатории, все они являются соавторами того, что сделано и все заслуживают искренней благодарности за свой вклад в общее дело.

СОТРУДНИКИ

ПУБЛИКАЦИИ

2023

Аксенов М.С., Голяшов В.А., Терещенко О.Е. Пассивация фтором границы раздела оксид/InAs(001) // Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 5. С. 6-9. DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54661.19413

Закиров Е.Р., Кеслер В.Г., Сидоров Г.Ю., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Марин Д.В., Якушев М.В. Жидкостные методы химической обработки поверхности HgCdTe // Журнал структурной химии. 2023. Т. 64. № 3. С. 108216. DOI: 10.26902/JSC_id108216

Казанцев Д.М., Хорошилов В.С., Шайблер Г.Э., Альперович В.Л. Перенос электронов через границу полупроводник-вакуум с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы // Физика твердого тела. 2023. Т. 65. № 8. С. 1271-1280. DOI: 10.21883/FTT.2023.08.56143.130

Климов А.Э., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Сидоров Г.Ю., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Терещенко О.Е. Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe: In с составом вблизи инверсии зон // Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 3. С. 22-25.

Хорошилов В.С., Казанцев Д.М., Рожков С.А., Альперович В.Л. Фотоэдс на поверхности сильнолегированного p+-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода // Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 21. С. 24-28. DOI: 10.61011/PJTF.2023.21.56460.19703

Хорошилов В.С., Протопопов Д.Е., Казанцев Д.М., Шайблер Г.Э., Альперович В.Л. Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из p-GaAs(Cs,O) // Письма в Журнал технической физики. 2023. Т. 49. № 1. С. 23-26. DOI: 10.21883/PJTF.2023.01.54053.19401

Kazantsev D.M., Akhundov I.O., Kozhuhov A.S., Khoroshilov V.S., Shvarts N.L., Alperovich V.L., Latyshev A.V. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation // Physica Scripta. 2023. Т. 98. № 3. С. 035702. DOI: 10.1088/1402-4896/acb6bc

Stepina N.P., Bazhenov A.O., Shumilin A.V., Kuntsevich A.Yu., Kirienko V.V., Zhdanov E.S., Ishchenko D.V., Tereshchenko O.E. Indication for an anomalous magnetoresistance mechanism in (Bi, Sb)2(Te, Se)3 three-dimensional topological insulator thin films // Physical Review B. 2023. Т. 108. № 11. С. 115401. DOI: 10.1103/PhysRevB.108.115401

Talochkin A.B., Kokh K.A., Tereshchenko O.E. Optical phonons of GeSbTe alloys: influence of structural disorder // Journal of Alloys and Compounds. 2023. Т. 942. С. 169122. DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.169122

2022

Глазкова Д.А., Естюнин Д.А., Климовских И.И., Макарова Т.П., Терещенко О.Е., Кох К.А., Голяшов В.А., Королева А.В., Шикин А.М. Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄ при изменении концентрации атомов Sb // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т. 115. № 5-6 (3). С. 315-321. DOI: 10.31857/S1234567822050081 (перевод - Glazkova D.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Makarova T.P., Koroleva A.V., Shikin A.M., Tereshchenko O.E., Golyashov V.A., Kokh K.A. Electronic structure of magnetic topological insulators Mn(Bi_1-xSb_x)₂Te₄ with various concentration of Sb atoms // JETP Letters. 2022. Т. 115. № 5. С. 286-291. DOI: 10.1134/S0021364022100083)

Шикин А.М., Естюнин Д.А., Зайцев Н.Л., Глазкова Д.А., Климовских И.И., Фильнов С.О., Рыбкин А.Г., Кох К.А., Терещенко О.Е., Звездин К.А., Звездин А.К. Модуляция энергетической запрещенной зоны в точке Дирака в антиферромагнитном топологическом изоляторе MnBi₂Te₄ как результат изменений поверхностного градиента потенциала // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т. 161. № 1. С. 126-136. DOI: 10.31857/S0044451022010114 (перевод - Shikin A.M., Estyunin D.A., Glazkova D.A., Klimovskikh I.I., Fil'nov S.O., Rybkin A.G., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Zaitsev N.L., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. Modulation of the Dirac point band gap in the antiferromagnetic topological insulator MnBi₂Te₄ due to the surface potential gradient change // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2022. Т. 134. № 1. С. 103-111. DOI: 10.1134/S1063776121120141)

Estyunin D.A., Kokh K., Tereshchenko O.E., Shikin A.M., Schwier E.F., Kumar S., Shimada K. Features and applications of the energy shift of the topological surface state // Physical Review B. 2022. Т. 105. № 12. С. 125303. DOI: 10.1103/PhysRevB.105.125303

Khatchenko Y.E., Yakushev M.V., Ponosov Y.S., Kuznetsova T.V., Seibel C., Bentmann H., Reinert F., Orlita M., Golyashov V., Stepina N.P., Tereshchenko O.E., Mudriy A.V., Kokh K.A., Martin R.W. Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi1.1Sb0.9Te2S // Journal of Alloys and Compounds. 2022. Т. 890. С. 161824. DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.161824

Stepina N.P., Golyashov V.A., Nenashev A.V., Tereshchenko O.E., Kirienko V.V., Koptev E.S., Antonova I.V., Kokh K.A., Goldyreva E.S., Rybin M.G., Obraztsova E.D. Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 2022. Т. 135. С. 114969. DOI: 10.1016/j.physe.2021.114969

Zhevstovskikh I.V., Sarychev M.N., Averkiev N.S., Semenova O.I., Tereshchenko O.E. Low-temperature luminescence in organic-inorganic lead iodide perovskite single crystals // Journal of Physics D: Applied Physics. 2022. Т. 55. № 9. С. 095105. DOI: 10.1088/1361-6463/ac38e3

2021

Ищенко Д.В., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Климов А.Э., Логинов А.Б., Логинов Б.А., Пащин Н.С., Тарасов А.С., Федосенко Е.В., Шерcтякова В.Н. Зависимость топологии эпитаксиальных слоев PbSnTe: In от концентрации In // Журнал технической физики. 2021. Т. 91. № 6. С. 1040-1044. DOI: 10.21883/JTF.2021.06.50876.326-20 (перевод - Ishchenko D.V., Akimov A.N., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Klimov A.E., Pashchin N.S., Tarasov A.S., Fedosenko E.V., Sherstyakova V.N., Loginov A.B., Loginov B.A. Topology of PbSnTe: In layers versus indium concentration // Technical Physics. 2022. Т. 66. С. 878-882. DOI: 10.1134/S1063784221060086)

Кавеев А.К., Бондаренко Д.Н., Терещенко О.Е. Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb_0.7Sn_0.3Te на Si(111) // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 8. С. 625-628. DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51126.02 (перевод - Kaveev A.K., Bondarenko D.N., Tereshchenko O.E. Structural characterization of Pb_0.7Sn_0.3Te crystalline topological insulator thin films grown on Si(111) // Semiconductors. 2022. Т. 55. С. 682-685. DOI: 10.1134/S106378262108011X)

Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Дёмин А.Ю., Терещенко О.Е. Фотоэмиссионные свойства мультищелочного фотокатода // Автометрия. 2021. Т. 57. № 5. С. 70-76. DOI: 10.15372/AUT20210508 (перевод - Rusetsky V.S., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Mironov A.V., Demin A.Y. Photoemission properties of a multialkali photocathode // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2021. Т. 57. № 5. С. 505-510. DOI: 10.3103/S8756699021050149)

Талочкин А.Б., Кох К.А., Терещенко О.Е. Спектр оптических фононов монокристалла Ge₂Sb₂Te₅ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2021. Т. 113. № 9-10 (5). С. 683-688. DOI: 10.31857/S1234567821100086 (перевод - Talochkin A.B., Tereshchenko O.E., Kokh K.A. Optical phonon spectrum of the Ge₂Sb₂Te₅ single crystal // JETP Letters. 2021. Т. 113. № 10. С. 651-656. DOI: 10.1134/S002136402110012X)

Тарасов А.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Менщиков Р.В., Ужаков И.Н., Кожухов А.С., Федосенко Е.В., Терещенко О.Е. Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных пленок CdTe для последующей эпитаксии // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55. № 9. С. 748-753. DOI: 10.21883/FTP.2021.09.51289.18 (перевод - Tarasov A.S., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Menshchikov R.V., Uzhakov I.N., Kozhukhov A.S., Fedosenko E.V., Tereshchenko O.E. Preparation of atomically clean and structurally ordered surfaces of epitaxial CdTe films for subsequent epitaxy // Semiconductors. 2021. Т. 55. № Suppl. 1. С. S62-S66. DOI: 10.1134/S1063782621090220)

Antonova I.V., Nebogatikova N.A., Stepina N.P., Volodin V.A., Kirienko V.V., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Rybin M.G., Obrazstova E.D. Growth of Bi₂Se₃/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility // Journal of Materials Science. 2021. Т. 56. № 15. С. 9330-9343. DOI: 10.1007/s10853-021-05836-y

Bentmann H., Maaß H., Seibel C., Reinert F., Braun J., Ebert H., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Schreyeck S., Brunner K., Molenkamp L.W., Miyamoto K., Arita M., Shimada K., Okuda T., Kirschner J., Tusche C., Minár J. Profiling spin and orbital texture of a topological insulator in full momentum space // Physical Review B. 2021. Т. 103. № 16. С. L161107. DOI: 10.1103/PhysRevB.103.L161107

Faidiuk Y., Skivka L., Zelena P., Tereshchenko O., Buluy O., Pergamenshchik V.M., Nazarenko V. Anchoring-induced nonmonotonic velocity versus temperature dependence of motile bacteria in a lyotropic nematic liquid crystal // Physical Review E. 2021. Т. 104. № 5. С. 054603. DOI: 10.1103/PhysRevE.104.054603

Kaveev A.K., Suturin S.M., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Eremeev S.V., Estyunin D.A., Shikin A.M., Okotrub A.V., Lavrov A.N., Schwier E.F. Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering // Physical Review Materials. 2021. Т. 5. № 12. С. 124204. DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.5.124204

Ketterl A.S., Andres B., Polverigiani M., Gahl C., Weinelt M., Voroshnin V., Chulkov E.V., Shikin A., Kokh K.A., Tereshchenko O.E. Effect of Rashba splitting on ultrafast carrier dynamics in BiTeI // Physical Review B. 2021. Т. 103. № 8. С. 085406. DOI: 10.1103/PhysRevB.103.085406

Kocsis M., Makk P., Tóvári E., Csonka S., Zheliuk O., Ye J., Kun P., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Taniguchi T., Watanabe K. In situ tuning of symmetry-breaking-induced nonreciprocity in the giant-Rashba semiconductor BiTeBr // Physical Review Research. 2021. Т. 3. № 3. С. 033253. DOI: 10.1103/PhysRevResearch.3.033253

Riha C., Düzel B., Graser K., Chiatti O., Fischer S.F., Golias E., Sánchez-Barriga J., Rader O., Tereshchenko O.E. Electrical transport properties of vanadium-doped Bi₂Te_2.4Se_0.6 // Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics. 2021. Т. 258. № 1. С. 2000088. DOI: 10.1002/pssb.202000088

Schmid C.P., Weigl L., Schlauderer S., Meierhofer M., Hofmann N., Afanasiev D., Huber R., Grössing P., Junk V., Gorini C., Crewse J., Evers F., Wilhelm J., Richter K., Ito S., Güdde J., Höfer U., Kokh K.A., Tereshchenko O.E. Tunable non-integer high-harmonic generation in a topological insulator Nature. 2021. Т. 593. № 7859. С. 385-390. DOI: 10.1038/s41586-021-03466-7

Shikin A.M., Estyunin D.A., Glazkova D., Klimovskikh I.I., Filnov S.O., Rybkin A.G., Kokh K., Tereshchenko O.E., Otrokov M.M., Chulkov E.V., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K., Zaitsev N.L., Schwier E.F., Kumar S., Kimura A., Mamedov N., Aliev Z., Babanly M.B. Sample-dependent Dirac-point gap in and its response to applied surface charge: a combined photoemission and ab initio study // Physical Review B. 2021. Т. 104. № 11. С. 115168. DOI: 10.1103/PhysRevB.104.115168

Shikin A.M., Rybkina A.A., Estyunin D.A., Klimovskikh I.I., Rybkin A.G., Filnov S.O., Koroleva A.V., Shevchenko E.V., Likholetova M.V., Voroshnin V.Y., Petukhov A.E., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., Petaccia L., Di Santo G., Kumar S., Kimura A., Skirdkov P.N., Zvezdin K.A., Zvezdin A.K. Non-monotonic variation of the Kramers point band gap with increasing magnetic doping in BiTeI // Scientific Reports. 2021. Т. 11. № 1. С. 23332. DOI: 10.1038/s41598-021-02493-8

Tarasov A.S., Ishchenko D.V., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Klimov A.E., Suprun S.P., Fedosenko E.V., Sherstyakova V.N., Tereshchenko O.E., Rybkin A.G., Vilkov O.Y. Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe < In > topological crystalline insulator films // Applied Surface Science. 2021. Т. 569. С. 150930. DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.150930

Tereshchenko O.E., Golyashov V.A., Rusetsky V.S., Mironov A.V., Demin A.Y., Aksenov V.V. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect // Journal of Synchrotron Radiation. 2021. Т. 28. С. 864-875. DOI: 10.1107/S1600577521002307

2020

Акимов А.Н., Ахундов И.О., Ищенко Д.В., Климов А.Э., Неизвестный И.Г., Пащин Н.С., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Федосенко Е.В., Шерстякова В.Н. Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 8. С. 796-800. DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49628.04 (перевод - Akimov A.N., Akhundov I.O., Ishchenko D.V., Klimov A.E., Neizvestny I.G., Paschin N.S., Suprun S.P., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Fedosenko E.V., Sherstyakova V.N. Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe: In films in the space-charge-limited current regime // Semiconductors. 2020. Т. 54. № 8. С. 951-955. DOI: 10.1134/S1063782620080035)

Иконников А.В., Дудин В.C., Артамкин А.И., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb0.74Sn0.26Te(In) с модифицируемой поверхностью // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 9 (9833). С. 896-901. DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49828.20 (перевод - Ikonnikov A.V., Dudin V.S., Artamkin A.I., Ryabova L.I., Khokhlov D.R., Akimov A.N., Klimov A.E., Tereshchenko O.E. Optical and transport properties of epitaxial Pb0.74Sn0.26Te(In) films with a modifiable surface // Semiconductors. 2020. Т. 54. № 9. С. 1086-1091. DOI: 10.1134/S1063782620090134)

Кавеев А.К., Банщиков А.Г., Терпицкий А.Н., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Кох К.А., Естюнин Д.А., Шикин А.М. Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe₂ // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 9 (9833). С. 859-864. DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49821.13 (перевод - Kaveev A.K., Banshchikov A.G., Terpitskiy A.N., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Estyunin D.A., Shikin A.M. Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe2 // Semiconductors. 2020. Т. 54. № 9. С. 1051-1055. DOI: 10.1134/S1063782620090146)

Климов А.Э., Акимов А.Н., Ахундов И.О., Голяшов В.А., Горшков Д.В., Ищенко Д.В., Матюшенко Е.В., Неизвестный И.Г., Сидоров Г.Ю., Супрун С.П., Тарасов А.С., Терещенко О.Е., Эпов В.С. Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами // Физика и техника полупроводников. 2020. Т. 54. № 10 (10987). С. 1122-1128. DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49955.29 (перевод - Klimov A.E., Akimov A.N., Akhundov I.O., Golyashov V.A., Gorshkov D.V., Ishchenko D.V., Matyushenko E.V., Neizvestny I.G., Sidorov G.Y., Suprun S.P., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Epov V.S. Features of mis structures based on insulating PbSnTe: In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties // Semiconductors. 2020. Т. 54. № 10. С. 1325-1331. DOI: 10.1134/S1063782620100164)

Неизвестный И.Г., Ищенко Д.В., Ахундов И.О., Супрун С.П., Терещенко О.Е. О причине деградации буферных слоев CaF₂/BaF₂ на Si (111) // Доклады Российской академии наук. Физика, технические науки. 2020. Т. 490. № 1. С. 39-42. DOI: 10.31857/S2686740020010174 (перевод - Neizvestny I.G., Ishchenko D.V., Akhundov I.O., Suprun S.P., Tereshchenko O.E. Origin of degradation of the Caf₂/Baf₂ buffer layers on Si(111) // Doklady Physics. 2020. Т. 65. № 1. С. 15-17. DOI: 10.1134/S1028335820010103)

Тарасов А.С., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Ахундов И.О., Климов А.Э., Эпов В.С., Кавеев А.К., Супрун С.П., Шерстякова В.Н., Терещенко О.Е. Эффект поля и спин-вентильный эффект в кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe // Автометрия. 2020. Т. 56. № 5. С. 121-126. DOI: 10.15372/AUT20200514 (перевод - Tarasov A.S., Golyashov V.A., Ishchenko D.V., Akhundov I.O., Klimov A.E., Epov V.S., Suprun S.P., Sherstyakova V.N., Tereshchenko O.E., Kaveev A.K. Field effect and spin-valve effect in the PbSnTe topological crystalline insulator // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 2020. Т. 56. № 5. С. 553-557. DOI: 10.3103/S8756699020050131)

Antonova I.V., Nebogatikova N.A., Soots R.A., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Kustov D.A. Electrochemically exfoliated thin Bi₂Se₃ films and van der Waals heterostructures Bi₂Se₃/graphene // Nanotechnology. 2020. Т. 31. № 12. С. 125602. DOI: 10.1088/1361-6528/ab5cd5

Golyashov V.A., Rusetsky V.S., Shamirzaev T.S., Dmitriev D.V., Tereshchenko O.E., Kislykh N.V., Mironov A.V., Aksenov V.V. Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures // Ultramicroscopy. 2020. Т. 218. С. 113076. DOI: 10.1016/j.ultramic.2020.113076

Kaveev A.K., Suturin S.M., Golyashov V.A., Klimov A.E., Tarasov A.S., Tereshchenko O.E., Schwier E.F. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator // Materials Chemistry and Physics. 2020. Т. 240. С. 122134. DOI: 10.1016/j.matchemphys.2019.122134

Klimovskikh I.I., Estyunin D., Eremeev S.V., Filnov S.O., Koroleva A., Shevchenko E., Rybkin A.G., Rusinov I.P., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Shikin A.M., Chulkov E.V., Otrokov M.M., Echenique P.M., Voroshnin V., Blanco-Rey M., Hoffmann M., Ernst A., Aliev Z.S., Amiraslanov I.R., Abdullayev N.A., Mamedov N.T., Babanly M.B., Zverev V.N., Kimura A., Petaccia L., Di Santo G. Tunable 3d/2d magnetism in the (MnBi₂Te₄)(Bi₂Te₃)_m topological insulators family // npj Quantum Materials. 2020. Т. 5. № 1. С. 54. DOI: 10.1038/s41535-020-00255-9

Kokh K.A., Goldyreva E.S., Nebogatikova N.A., Antonova I.V., Tereshchenko O.E., Kustov D.A., Golyashov V.A., Stepina N.P., Kirienko V.V. Vapor growth of Bi₂Se₃ and Bi₂O₂Se crystals on mica // Materials Research Bulletin. 2020. Т. 129. С. 110906. DOI: 10.1016/j.materresbull.2020.110906

Kovács-Krausz Z., Makk P., Szentpéteri B., Kocsis M., Fülöp B., Csonka S., Hoque A.M., Dash S.P., Yakushev M.V., Kuznetsova T.V., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Lukács I.E., Taniguchi T., Watanabe K. Electrically controlled spin injection from giant Rashba spin-orbit conductor BiTeBr // Nano Letters. 2020. Т. 20. № 7. С. 4782-4791. DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c00458

Nurmamat M., Okamoto K., Zhu S., Miyashita T., Wang X., Sumida K., Menshchikova T.V., Rusinov I.P., Korostelev V.O., Miyamoto K., Okuda T., Schwier E.F., Shimada K., Ishida Y., Kimura A., Shin S., Ye M., Aliev Z.S., Amiraslanov I.R., Babanly M.B., Chulkov E.V., Kokh K.A., Tereshchenko O.E. Topologically nontrivial phase-change compound GeSb₂Te₄ // ACS Nano. 2020. Т. 14. № 7. С. 9059-9065. DOI: 10.1021/acsnano.0c04145

Tkachenko I.M., Kovalchuk A.I., Kobzar Y.L., Shekera O.V., Shevchenko V.V., Kurioz Y.I., Tereshchenko O.G., Nazarenko V.G. Optical properties of azo-based poly(azomethine)s with aromatic fluorinated fragments, ether linkages and aliphatic units in the backbone // Molecular Crystals and Liquid Crystals. 2020. Т. 697. № 1. С. 85-96. DOI: 10.1080/15421406.2020.1731080

Zhevstovskikh I.V., Sarychev M.N., Averkiev N.S., Semenova O.I., Golyashov V.A., Tereshchenko O.E. Correlation of elastic and optoelectronic properties near structural phase transition in organic-inorganic lead iodide perovskite single crystals // Journal of Physics: Condensed Matter. 2020. Т. 33. № 4. С. 045403. DOI: 10.1088/1361-648X/abb9bb