Егоров Антон Юрьевич, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, технический директор Общества с ограниченной ответственностью «Коннектор Оптикс», проректор по науке федерального государственного бюджетного учреждения высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфѐрова Российской академии наук» (по совместительству), ООО «Коннектор Оптикс», 194292, г.Санкт-Петербург, Домостроительная ул., д.16 литер Б, тел. +7 (812) 3275055; , Web-сайт: www.connector-optics.com
Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки «Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфѐрова Российской академии наук» (194021, Санкт-Петербург, улица Хлопина, дом 8, корпус 3, литер А), раб. телефон +7 (812) 448-69-80 (по совместительству)

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, G. M. Savchenko, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Development and study of high-power quantum-cascade lasers emitting at 4.5 – 4.6 μm”, Quantum Electronics, 50:11, 989–994 (2020)
2. V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “10-W 4.6-μm quantum cascade lasers”, Quantum Electronics, 50:8, 720–721 (2020)
3. V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. V. Babichev, A. D. Andreev, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, Yu. K. Bobretsova, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “High-power (>1 W) room-temperature quantum-cascade lasers for the long-wavelength IR region”, Quantum Electronics, 50:2, 141–142 (2020)
4. V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, A. D. Andreev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Tunable single-frequency source based on a DFB laser array for the spectral region of 1.55 μm”, Quantum Electronics, 49:12, 1158–1162 (2019)
5. V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. I. Kuchinskii, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “High-coupling distributed feedback lasers for the 1.55 μm spectral region”, Quantum Electronics, 49:9, 801–803 (2019)
6. S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Quantum Electronics, 49:2, 187–190 (2019)
7. Blokhin S.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Blokhin A.A., Kuzmenkov A.G., Vasil’Ev A.P., Rochas S.S., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Egorov A.Y., Ustinov V.M. “A Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser for the 1.55-mu m Spectral Range with Tunnel Junction Based onn(++)-InGaAs/p(++)-InGaAs/p(++)-InAlGaAs Layers”, Technical Physics Letters 46(9), pp. 854-858 (2020).
8. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y., “6-mW Single-Mode High-Speed 1550-nm Wafer-Fused VCSELs for DWDM Application”, IEEE Journal of Quantum Electronics 53(6), pp. 2400808 (2017).
9. Pozina G., Ivanov K.A., Morozov K.M., Girshova E.I., Egorov A.Y., Clark S.J., Kaliteevski M.A. “Enhancement of light emission in Bragg monolayer-thick quantum well structures”, Scientific Reports 9, pp. 10162 (2019).
10. Baranov A.I., Gudovskikh A., Kudryashov D.A., Lazarenko A.A., Morozov I.A., Mozharov A.M., Nikitina E.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Zelentsov K.S., Egorov A.Y., Darga A., Le Gall S., Kleider J.P. “Defect properties of InGaAsN layers grown as sub-monolayer digital alloys by molecular beam epitaxy”, Journal of Applied Physics 123 (16), pp. 161418 (2018)
11. Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Maximov M.V., Zubov F.I., Shernyakov Y.M., Karachinsky L.Y., Zhukov A.E., Denisov D.V., Egorov A.Y. “Temperature performance of InGaAs/InGaAlAs laser diodes with delta-doping active region”, Journal of Physics: Conference Series 1410 (1), pp. 012104 (2019).
12. Pozina G., Girshova E.I., Morozov K.M., Ivanov K.A., Egorov A.Y., Kaliteevski M.A. “Purcell Effect and Nonlinear Behavior of the Emission in a Periodic Structure Composed of InAs Monolayers Embedded in a GaAs Matrix”, Annalen der Physik (Berlin) 531(6), pp. 1800388 (2019).
13. Lazarenko A.A., Nikitina E.V., Gudovskikh A.S., Baranov A.I., Sobolev M.S., Pirogov E.V., Egorov A.Y. “GaPAsN-based light-emitting diode on silicon”. Optics and laser technology 129, pp. 106308 (2020).
14. Rochas S.S., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Nevedomskii V.N., Denisov D.V., Karachinsky L.Y., Egorov A.Y., Bougrov V.E. “The Influence of the Parameters of a Short-Period InGaAs/InGaAlAs Superlattice on Photoluminescence Efficiency”, Technical Physics Letters 46(11), pp. 1128–1131 (2020).
15. Andryushkin V.V., Gladyshev A.G., Babichev A.V., Kolodeznyi E.S., Novikov I.I., Karachinsky L.Y., Nevedomskii V.N., Egorov A.Y. “1 μm range InGaPAs three-dimensional islands grown by molecular beam epitaxy”, Journal of Physics: Conference Series 1695 (1), pp. 012015 (2020).

Зотов Андрей Вадимович, доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН, заведующий лабораторией технологии двумерной микроэлектроники, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (690041, г. Владивосток, улица Радио, дом 5), (4232)310-412, , e-mail: ,Web-сайт: www.iacp.dvo.ru, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Weak antilocalization at the atomic-scale limit of metal film thickness. Nano Letters 19, P.570-575 (2019).
2. D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, L.V. Bondarenko, A.Yu. Tupchaya, A.A. Yakovlev, A.N. Mihalyuk, Jyh-Pin Chou, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Two-dimensional In-Sb compound on silicon as a quantum spin Hall insulator. Nano Letters 18, P. 4338-4345 (2018).
3. D. V. Gruznev, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, A. N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A. A. Saranin. Thallene: graphene-like honeycomb lattice of Tl atoms frozen on single-layer NiSi2. 2D Materials 7, P.045026-7 (2020).
4. L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, Y.E. Vekovshinin, A.V. Slyshkin, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Fabrication and characterization of a single monolayer NiSi2 sandwiched between a Tl capping layer and a Si(111) substrate. 2D Materials 7, P.025009-9 (2020).
5. S. Ichinokura, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconductivity in thallium double atomic layer and transition into an insulating phase intermediated by a quantum metal state. 2D Materials 4, P.025020-10 (2017).
6. A.V. Matetskiy, I.A. Kibirev, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Synthesis and electronic properties of InSe bi-layer on Si(111). Applied Surface Science 539, P. 148144-5, (2021).
7. D.A. Olyanich, V.V. Mararov, T.V. Utas, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, A.N. Mihalyuk, S.V. Eremeev, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. C60 capping of metallic 2D Tl-Au compound with preservation of its basic properties at the buried interface. Applied Surface Science, 501, 144253-7 (2020).
8. D.A. Tsukanov, S.G. Azatyan, M.V. Ryzhkova, E.A. Borisenko, O.A. Utas, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Effect of Si(111)√3x√3-Bi template structure on growth mode and electrical conductance of Au overlayers. Applied Surface Science, 476, P. 1-5 (2019).
9. T. Nakamura, A. Takayama, R. Hobara, D.V. Gruznev, A.V. Zotov, A.A. Saranin, S. Hasegawa. Superconducting single-atomic-layer Tl-Pb compounds on Ge(111) and Si(111) surfaces. Applied Surface Science 479, P.679-684 (2019).
10. N.V. Denisov, A.V. Matetskiy, A.V. Tupkalo, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Growth of layered superconductor β-PdBi2 films using molecular beam epitaxy. Applied Surface Science 401, P. 142-145, (2017)
11. A.V. Matetskiy, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, D.V. Gruznev, S.V. Eremeev, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Adsorbate-induced modification of electronic band structure of epitaxial Bi(111) films. Applied Surface Science 406, P. 122-127 (2017).
12. D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.V.Matetskiy, A.N. Mihalyuk, A.Y. Tupchaya, O.A. Utas, S.V. Eremeev, C.R. Hsing, J.P. Chou, C.M. Wei, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Synthesis of two-dimensional TlxBi1-x compounds and Archimedean encoding of their atomic structure. Scientific Reports 6, Article number:19446 (2016).
13. I.A. Kibirev, A.V. Matetskiy, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Thickness-dependent transition of the valence band shape from parabolic to Mexican-hat-like in the MBE grown InSe ultrathin films. Applied Physics Letters 112, P. 191602-4 (2018).
14. A.V. Matetskiy, N.V. Denisov, D.V. Gruznev, L.V. Bondarenko, A.Y. Tupchaya, A.N. Mihalyuk, A.V. Zotov, A.A. Saranin. Kondo effect at ultimate atomic-scale two dimensional limit: Au/Si(111)√3×√3 reconstruction with embedded Cr atoms. Physical Review B 102, P. 195113-9 (2020).

Эрвье Юрий Юрьевич, доктор физико-математических наук, Профессор, кафедра физики полупроводников Физического факультета, Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский государственный университет» (634050, г. Томск, пр. Ленина, 36) раб. тел. 8(3822) 529-651, , e-mail: ,Web-сайт: http://www.tsu.ru/, отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Yu. Yu. Hervieu, Formation of double steps on Si(100): effect of permeability of the A-steps // Russian Physics Journal 63, P. 901-906 (2020).
2. Ю.Ю. Эрвье, Образование двойных ступеней на поверхности кремния (100): роль проницаемости А-ступеней // Известия вузов. Физика, 63 (6), С. 3-7 (2020).
3. Yu. Yu. Hervieu, Effective diffusion length and elementary surface processes in the concurrent growth of nanowires and 2D layers, Journal of Crystal Growth 493, P.1-7. (2018).
4. M. Yu. Esin, Yu. Yu. Hervieu, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy // Russian Physics Journal 61(7), P. 1210-1214 (2018).
5. S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, Kinetic model of the initial stage of the nanowire growth // Russian Physics Journal 60 (11), P. 2039-2041 (2018).
6. S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, Step flow model of radial growth and shape evolution of semiconductor nanowires // Russian Physics Journal 59(8), P. 1206-1212 (2016).
7. S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu, On the influence of transitions between distinct adsorption states on the desorption kinetics of molecules // Russian Physics Journal 59(N6), P. 762-767 (2016).
8. С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье, О влиянии переходов между различными адсорбционными состояниями на кинетику десорбции молекул, Известия вузов. Физика 59 (6), C. 7-12 (2016).
9. М. Ю. Есин, Ю. Ю. Эрвье, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии, Изв. вузов. Физика 61 (7), С. 22-26 (2018).
10. С. Н. Филимонов, Ю. Ю. Эрвье, Кинетическая модель начальной стадии роста нитевидных нанокристаллов, Известия вузов. Физика 60(11), 171-173 (2017).