ФИОГайслер Алексей Владимирович
ТемаИсследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей
ОписаниеДиссертация представлена на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 "Физика конденсированного состояния"
Автореферат
Текст диссертации
(размещён 25.03.2015)
Научный руководительк.ф.-м.н. Щеглов Дмитрий Владимирович, отзыв
Оппоненты

Войцеховский А.В., д.ф.-м.н., профессор, заведующий кафедрой «Квантовой электроники и фотоники» Томского государственного университета, 01.04.04 Физическая электроника», Томский государственный университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина 36 (3822) 412772, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., http://www.tsu.ru, отзыв

Публикации Войцеховского А.В.:

  1. Voitsehovsky A. V. Investigation of Ge/Si quantum dot structures using the methods of admittance spectroscopy / V.G. Satdarov, A.P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy // International Journal of Nanotechnology, 2015. – Vol. 12, № 3/4. – Р. 285-296.
  2. Voitsehovsky A. V. Photodetectors and solar cells with Ge/Si quantum dots parameters dependence on growth conditions / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.G. Satdarov // International Journal of Nanotechnology, 2015. – Vol. 12, № 3/4. – Р. 209-217.
  3. Voitsehovsky A. V. Photoluminescence spectra of HgCdTe structures with multiple quantum wells / D.I. Gorn // Russian Physics Journal. 2015. Vol. 57, № 10. С. 1412-1422.
  4. Voitsehovsky A. V. Elongated quantum dots of Ge on Si formation modelling / K A Lozovoy, A P Kokhanenko // Journal of Physics: Conference Series. 2014. – Vol. 541, № 1. – Р. 012084 (1-4).
  5. Voitsehovsky A. V. Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices / K.A. Lozovoy, A.P. Kokhanenko, V.G. Satdarov, O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov // Opto-electronics Review. 2014. – Vol. 22, № 3. – Р. 171-177.
  6. Voitsehovsky A. V. Modeling the Formation Kinetics of Wedge Shaped Germanium Quantum Dots on Silicon / A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. – 2014. – Vol. 78, № 10. – Р. 1058–1062.
  7. Voitsehovsky A. V. Light emission from CdHgTe-based nanostructures / K.D. Mynbaev, A.V. Shilyaev, N.L. Bazhenov,A.I. Izhnin, I.I. Izhnin, N.N. Mikhailov,V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky // Materials Physics and Mechanics. 2014. – Vol. 21, № 2. – Р. 112-118.
  8. Voitsehovsky A. V. Comparative analysis of pyramidal and wedge-like quantum dots formation kinetics in Ge/Si(001) system / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Satdarov V.G. // Surface Science. 2014. – Vol. 619, № 1. Р. 1-4.
  9. Voitsehovsky A. V. Ge/Si nanoheterostructures with ordered Ge quantum dots for optoelectronic applications / Pchelyakov O. P., Dvurechenskii A. V., Nikiforov A. I., Grigor’ev D.V., Kokhanenko A.P. // Russian Physics Journal, 2011. –Vol.53, No/9. p. 943-948.
  10. Войцеховский А.В. Микроболометрические детекторы ИК-диапазона на основе поликристаллического SiGe / Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. // Наноинженерия, № 12, 2013. С. 27-35.

Драгунов В.П., д.т.н., доцент, заведующий отделом подготовки кадров высшей квалификации Новосибирского государственного технического университета, 01.04.10 «Физика полупроводников», Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, пр. Маркса 20, (383) 3461070, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., http://www.nstu.ru, отзыв

Публикации Драгунова В.П.:

  1. Драгунов В.П. Наноструктуры: физика, технология, применение, 2-е изд.: учебное пособие / В.П. Драгунов, И.Г. Неизвестный. – НГТУ, 2010, - 356 с.
  2. Драгунов В.П. Микроэлектромеханические преобразователи / В.П. Драгунов, Д.И. Остертак // Микроэлектроника. – 2012. – Т 41, №2. – С. 120–135.
  3. Архитектура и анализ схем МЭМ рекуператоров электрической энергии / В.П. Драгунов, Д.И. Остертак // Нано- и микросистемная техника. – 2011. – №4(129). – С. 49–54.
  4. Dorzhiev V. MEMS electrostatic vibration energy harvester without switches and inductive elements / A. Karami, P. Basset, V. Dragunov, D. Galayko // J. of Physics: C. Vol. 557 (2014) 012126
  5. Electret-Free Micromachined Silicon Electrostatic Vibration Energy Harvester With the Bennet’s Doubler as Conditioning Circuit / V. Dorzhiev, A. Karami, P. Basset, F. Marty, V. Dragunov, D. Galayko // IEEE Electron Device Letters. - 2015. – Vol. 36, iss. 2. – P. 183–185.
  6. Драгунов В. П. Трехэлектродная двухконденсаторная МЭМС со встроенным зарядом / В. П. Драгунов, В. Ю. Доржиев // Нано- и микросистемная техника. - 2014. – № 2. – С. 33–38
  7. Dragunov V. Electrostatic vibration energy harvester with increased charging current / Dorzhiev V. // Journal of Physics: C. Vol.476 (2013) 012115
  8. Dragunov V. Microelectromechanical Converters / V. Dragunov, V. Dorzhiev // Russian Microelectronics. – 2012. – Vol. 41. – No. 2. – P. 107–121.
  9. Васюков В. Н. Анализ работы мостового МЭМП при случайных воздействиях / В. Н. Васюков, В. П. Драгунов, Д. И. Остертак // Нано- и микросистемная техника. - 2013. – № 1. – С. 40–45.
  10. Драгунов В. П. Анализ влияния pull-in эффекта на параметры трехэлектродных МЭМС / В. П. Драгунов, В. Ю. Доржиев // Доклады АН ВШ РФ. – 2013. – №2 (21). – С.87-97.
Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук: 194021, г. Санкт-Петербург, ул. Политехническая 26, (812)-297-2375, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра., http://www.ioffe.ru, отзыв

Публикации ведущей организации:

  1. Блохин С.А. Оптическая анизотропия квантовых точек InGaAs / Блохин С.А., Надточий А. М., Красивичев А. А., Карачинский Л. Я., Васильев А.П., Неведомский В. Н., Максимов М. В., Цырлин Г.Э., Буравлев А. Д., Малеев Н. А., Жуков А. Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. // ФТП, 2013, т.47, №1, стр. 87-91.
  2. Крыжановская Н.В. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи / Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е. // Квантовая электроника, 2014, т.44, №3 стр. 189-200.
  3. Надточий А.М. Многослойные массивы квантовых точек высокой объемной плотности / Надточий А.М., Паюсов А.С., Максимов М.В., Жуков А.Е., Симчук О.И., ФТП, 2014, т.48, №11 стр. 1487-1491.
  4. Надточий А.М. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs / Надточий А.М., Крыжановская Н.В., Максимов М. В., Жуков А.Е., Моисеев Э.И., Кулагина М.М., Вашанова К.А., Задиранов Ю.М., Мухин И.С., Аракчеева Е.М., Livshits D., Липовский А.А. // Письма ЖТФ, 2013, т.39, №18, стр. 70-77.
  5. Debus J. Spin-flip Raman scattering of the Gamma-X mixed exciton in indirect band gap (In,Al)As/AlAs quantum dots / Debus J., Shamirzaev T.S., Dunker D., Sapega V.F., Ivchenko E.L., Yakovlev D.R., Toropov A.I., Bayer M. // 14, Phys. Rev. B, 2014, v.90, No. 12, p. 125431.
  6. Климко Г.В. Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса / Климко Г.В., Сорокин С.В., Седова И.В., Гронин С.В., Лиачи Ф., Кайбышев В.Х., Севрюк В.А., Брунков П.Н., Ситникова А.А., Торопов А.А., Иванов С.В. // ФТП, 2014, т.48, №1 стр. 36-43.
  7. Соболев М.М. Влияние толщины прослойки GaAs на квантовое связывание и оптическую поляризацию вертикально-коррелированной 10-слойной системы квантовых точек InAs/GaAs / Соболев М.М., Гаджиев И.М., Буяло М.С., Неведомский В.Н., Задиранов Ю.М., Золотарева Р.В., Васильев А.П., Устинов В.М. // ФТП, 2014, т.48, №8, стр. 1059-1064.
  8. Буравлев А.Д., Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As / Буравлев А.Д., Зайцев А.А., Брунков П.Н., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Устинов В.М. // Письма ЖТФ, 2012, т.38, №10, стр. 21-27.
  9. Блохин С.А. Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей / Блохин С.А., Надточий А.М., Минтаиров С.А., Калюжный Н.А., Емельянов В.М., Неведомский В.Н., Шварц М.З., Максимов М.В., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. // Письма ЖТФ, 2012, т.38, 22 стр. 43-49.
  10. Блохин С.А. Оптическая анизотропия InAs квантовых точек / Блохин С.А., Надточий А.М., Красивичев А.А., Карачинский Л.Я., Васильев А.П., Максимов М.В., Жуков А.Е., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. //Письма ЖТФ, 2010, т.36, №23, стр. 24-30.
  11. Korenev V.V. Analytical approach to the multi-state lasing phenomenon in quantum dot lasers / Korenev V.V., Savelyev A.V., Zhukov A.E., Omelchenko A.V., Maximov M.V. // Appl. Phys. Lett., 2013, v.102, №11, p. 112101.
  12. Poltavtsev S.V. Spin noise spectroscopy of a single quantum well microcavity / Poltavtsev S.V., Ryzhov I.I., Glazov M.M., Kozlov G.G., Zapasskii V.S., Kavokin A.V., Lagoudakis P.G., Smirnov D.S., Ivchenko E. L. // Phys. Rev. B, 2014, v.89, №8 p. 081304.
  13. Poshakinskiy A.V. Radiative Topological States in Resonant Photonic Crystals / Poshakinskiy A.V., Poddubny A.N., Pilozzi L., Ivchenko E.L. // Phys. Rev. Lett., 2014, v.112, №10, p. 107403.
  14. Буравлев А.Д., Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства / Буравлев А.Д., Неведомский В.Н., Убыйвовк Е.В., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. // ФТП, 2013, т.47, №8 стр. 1033-1036.
  15. Жуков А.Е. Особенности одновременной генерации через основное и возбужденное состояния в лазерах на квантовых точках / Жуков А.Е., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Лившиц Д.А., Савельев А.В., Зубов Ф.И., Клименко В.В. // ФТП, 2012. т.46, №2 стр. 241-246.
Заключение комиссии
Решение о приёме диссертации к защите
Объявление о защите диссертации
Отзывы на автореферат
Итоги защитыЗаключение диссертационного совета:
Видео

Добавить комментарий

Защитный код
Обновить