Оппоненты
|
Грузнев Димитрий Вячеславович, доктор физико-математических наук, главный научный сотрудник лаборатории технологии полупроводников и диэлектриков,
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук
, Web-сайт:
https://www.iacp.dvo.ru/
, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:
- L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, Y. E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A. N. Mihalyuk, N. V. Denisov, A. V. Matetskiy, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Pb/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, Vol.716, P.121966-6 (2022).
- V. V. Mararov, T. V. Utas, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, Y. E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A. N. Mihalyuk, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Self-assembly of C60 layers at Tl/NiSi2 atomic sandwich on Si(111). Surface Science, Vol.715, p.121934-5 (2022).
-
D. V. Gruznev, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, A. A. Yakovlev, A. V. Slyshkin, A. N. Mihalyuk, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Formation of a double-layer Pb reconstruction on the B-segregated Si(111) surface. Surface Science, Vol. 706, P.121784-6 (2021).
- L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, Y. E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, A. N. Mihalyuk, Y. P. Ivanov, D. A. Olyanich, A. V. Matetskiy, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Metal sheet of atomic thickness embedded in silicon. ACS Nano, Vol.15, No.12, 19357–19363 (2021).
- A. N. Mihalyuk, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, T. V. Utas, Y. E. Vekovshinin, D. V. Gruznev, S. V. Eremeev, A. V. Zotov, A. A. Saranin. One-dimensional spin-polarized electron channel in the two-dimensional PbBi compound on silicon. Physical Review B, Vol. 104, P.125413-7 (2021).
- D. V. Gruznev, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, V. G. Kotlyar, O. A. Utas, A. N. Mihalyuk, N. V. Denisov, A. V. Matetskiy, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Atomic, electronic and transport properties of In-Au 2D compound on Si(100). J. Phys.: Condens. Matter, Vol.32, P. 135003-7 (2020).
- T. Nakamura, A. Takayama, R. Hobara, D. V. Gruznev, A. V. Zotov, A. A. Saranin, S. Hasegawa. Superconducting single-atomic-layer Tl-Pb compounds on Ge(111) and Si(111) surfaces. Applied Surface Science, Vol. 479, P.679-684 (2019).
- D. V. Gruznev, L. V. Bondarenko, A. Y. Tupchaya, V. G. Kotlyar, O. A. Utas, A. N. Mihalyuk, S. V. Eremeev, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Two-dimensional metallic (Tl, Au)/Si(100)c(2×2): A Rashba-type system with C2v symmetry. Phys.Rev. B, Vol.98, P. 125428-6 (2018).
- D. V. Gruznev, S. V. Eremeev, L. V. Bondarenko, A. Yu. Tupchaya, A. A. Yakovlev, A. N. Mihalyuk, Jyh-Pin Chou, A. V. Zotov, A. A. Saranin. Two-dimensional In-Sb compound on silicon as a quantum spin Hall insulator. Nano Letters 18, Iss.7, P.4338-4345 (2018).
Кунцевич Александр Юрьевич, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник отдела "Центр высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов им. В.Л. Гинзбурга", Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
, Web-сайт:
https://www.lebedev.ru/ru/main.html
, отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:
- Y. G. Selivanov, V. P. Martovitskii, M. I. Bannikov, and A. Y. Kuntsevich. Effect of Sr Doping on Structural and Transport Properties of Bi2Te3. Materials 14(24), 7528 (2021).
- A. Almoalem, I. Silber, S. Sandik, M. Lotem, A. Ribak, Y. Nitzav, A. Yu. Kuntsevich, O. A. Sobolevskiy, Yu. G. Selivanov, V. A. Prudkoglyad, M. Shi, L. Petaccia, M. Goldstein, Y. Dagan, and A. Kanigel. Link between superconductivity and a Lifshitz transition in intercalated Bi2Se3. Phys. Rev. B 103, 174518 (2021).
- A. Yu. Kuntsevich, G. V. Rybal'chenko, V. P. Martovitskii, M. I. Bannikov, Yu. G. Selivanov, S. Yu. Gavrilkin, A. Yu. Tsvetkov, and E. G. Chizhevskii. Effect of Barium Codoping on Superconductivity in SrxBi2Se3. JETP Letters 111, pp. 151-156 (2020).
- S. G. Martanov, N. K. Zhurbina, M. V. Pugachev, A. I. Duleba, M. A. Akmaev, V. V. Belykh, and A. Y. Kuntsevich. Making van der Waals Heterostructures Assembly Accessible to Everyone. Nanomaterials 10, 2305 (2020).
- A. Yu. Kuntsevich, A. V. Shupletsov, and A. L. Rakhmanov. Simple mechanism that breaks the Hall-effect linearity at low temperatures. Phys. Rev. B 102, 155426 (2020).
- A. Yu. Kuntsevich, M. A. Bryzgalov, R. S. Akzyanov, V. P. Martovitskii, A. L. Rakhmanov, and Yu. G. Selivanov. Strain-driven nematicity of odd-parity superconductivity in SrxBi2Se3. Phys. Rev. B 100, 224509 (2019).
- S. O. Volosheniuk, Yu. G. Selivanov, M. A. Bryzgalov, V. P. Martovitskii, and A. Yu. Kuntsevich. Effect of Sr doping on structure, morphology, and transport properties of Bi2Se3 epitaxial thin films. Journal of Applied Physics 125, 095103 (2019).
- A. Yu. Kuntsevich, V. P. Martovitskii, G. V. Rybalchenko, Y. G. Selivanov, M. I. Bannikov, O. A. Sobolevskiy and E. G. Chigevskii. Superconductivity in Cu Co-Doped SrxBi2Se3 Single Crystals. Materials 12, 3899 (2019).
- A. Yu. Kuntsevich, M. A. Bryzgalov, V. A. Prudkoglyad, V. P. Martovitskii, Yu. G. Selivanov and E. G. Chizhevskii. Structural distortion behind the nematic superconductivity in SrxBi2Se3. New J. Phys. 20 103022 (2018).
- A. Yu. Kuntsevich, A. V. Shupletsov, and G. M. Minkov. Simple mechanisms that impede the Berry phase identification from magneto-oscillations. Phys. Rev. B 97, 195431 (2018).
|
Ведущая организация
|
Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий", Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»
, Web-сайт:
https://urfu.ru/ru/,
отзыв
Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет (10-15):
- V. Ya. Aleshkin, A. V. Germanenko, G. M. Minkov, A. A. Sherstobitov. Anomalous electron polarizability of HgTe quantum wells. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 128, 114606 (2021).
- A. N. Rudenko, M. Katsnelson, Yu N. Gornostyrev. Dislocation structure and mobility in the layered semiconductor InSe: a first-principles study. 2D Materials 8 045028 (2021).
- A. S. H. Khachatryan, E. V. Charnaya, E. V. Shevchenko, M. V. Likholetova, M. K. Lee, L. J. Chang, S. V. Naumov, A. N. Domozhirova, V. V. Marchenkov. Coexistence of magnetic states and metamagnetism in the Bi2-xCrxSe3 topological insulators. EPL 134, 47002 (2021).
- G. M. Minkov, V. Ya. Aleshkin, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, and A. V. Germanenko. Anisotropy of the in-plane g-factor of electrons in HgTe quantum wells. Phys. Rev. B 101, 085305 (2020).
- G. M. Minkov, O. E. Rut, A. A. Sherstobitov, S. A. Dvoretski, N. N. Mikhailov, V. A. Solov'Ev, M. Yu Chernov, S. V. Ivanov, A. V. Germanenko. Magneto-intersubband oscillations in two-dimensional systems with an energy spectrum split due to spin-orbit interaction. Phys. Rev. B. 101, 245303 (2020).
- E. G. Shkvarina, A. A. Titov, A. S. Shkvarin, M. S. Postnikov, D. I. Radzivonchik, J. R. Plaisier, L. Gigli, M. Gaboardi, A. N. Titov. Thermal disorder in the Fe0.5TiSe2. Journal of Alloys and Compounds 819, 153016 (2020).
- R. German, E. V. Komleva, P. Stein, V. G. Mazurenko, Z. Wang, S. V. Streltsov, Y. Ando, and P. H. M. van Loosdrecht. Phonon mode calculations and Raman spectroscopy of the bulk-insulating topological insulator BiSbTeSe2. Phys. Rev. Materials 3, 054204 (2019).
- D. I. Radzivonchik, A. V. Lukoyanov, V. I. Grebennikov, M. V. Yakushev, T. V. Kuznetsova. A wide energy range ab initio modeling of the electronic structure of valence states in Cu(In,Ga)Se2: Comparison with photoelectron spectra. Journal of Alloys and Compounds
802, p.19-24 (2019).
- B. Kiraly, E. J. Knol, K. Volckaert, D. Biswas, A. N. Rudenko, D. A. Prishchenko, V. G. Mazurenko, M. I. Katsnelson, P. Hofmann, D. Wegner, and A. A. Khajetoorians. Anisotropic Two-Dimensional Screening at the Surface of Black Phosphorus. Phys. Rev. Lett. 123, 216403 (2019).
- R. J. Sokolewicz, I. A. Ado, M. I. Katsnelson, P. M. Ostrovsky, M. Titov. Spin-torque resonance due to diffusive dynamics at the surface of a topological insulator. Phys. Rev. B 99, 214444 (2019).
|