ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

СПИСОК опубликованных научных работ

1987 | 1988 | 1989 | 1990 | 1991 | 1992 | 1993 | 1994 | 1995 | 1996 | 1997 | 1998 | 1999 | 2000 | 2001 | 2002 | 2003 | 2004 | 2005-2011 |


 
 

1987

  1. A.V.Dvurechenskii, I.A.Ryazantsev, A.I.Yakimov, V.A.Dravin. Wide Coulomb gap in localized states of 3d- metals in amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Sol., 1987, № 1 111-114.
  2. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Б.П.Кашников. Дефект вакансия-примесь с пространственно разделенными компонентами в кремний, облученном электронами. Физ. и техн. полупроводн. 1987, т.21, № 1, с.50-56.
  3. А.В.Двуреченский, Н.М.Игонина, Р.Гретцшель. Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного импульсного отжига. Физ. и техн. полупроводн. 1987,т.21, № 2 357-360.
  4. Л.Н.Александров, В.Ю.Баландин, А.В.Двуреченский. Фазы самоподдерживающейся кристаллизации аморфных слоев. Автометрия, 1987, № 1, с.64-67.
  5. Л.Н.Александров, И.П.Белоусов, В.А.Ефимов. Закономерности роста и электрофизические свойства слоев нитрида кремния, полученных плазмохимическим методом. Электронная техника, материалы, сер.6.1987, вып.2(223), с.66-69.
  6. Л.Н.Александров, С.Ю.Князев, С.В.Лозовский. Диффузионная модель переноса легколетучих примесей при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток.- В кн:Кристаллизация и свойства кристаллов, Новочеркасск, ГТУ, 1987, с.35-40.
  7. Л.Н.Александров, С.В.Лозовский, С.Ю.Князев. Управление массопереносом легирующей примеси при зонной сублимационной перекристализации кремния. Письма в в ЖТФ, 13 (1987) с.1080-85.
  8. Aleksandrov, V.S.Mordyuk, A.T.Tokareva, A.A.Rubtsov. Growth and Removing of Tungsten Whiskers under Control  Conditions. Cryst. Res.Technol. 22(1987) с.503-508.,

1988

  1. Ю.В.Баландин, А.В.Двуреченский, Л.Н.Александров. Плазменный эффект при импульсном наносекундном отжиге аморфных слоев кремния. Поверхность: физ. хим. мех. 1988, № 7, с.79-86.
  2. А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, А.И.Якимов. Безактивационная прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели в a-Si. Письма в ЖЭТФ, 1988, в.3, с.144-146.
  3. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Melting of Multilayered Structures under Pulse Heating (Computational Experiment). Phys.Stat.Sol. (а), 1988, v.109, № 1, K27-K28.
  4. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович. Междоузельный дефект низкой симметрии в кремии, облученном нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.6, с.1057-1061.
  5. А.Х.Антоненко, В.В.Болотов, А.В.Двуреченский, В.А.Стучинский, В.А.Харченко, А.А.Стук. Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремии в зависимости от температуры при облучении нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.5, с.887-892.
  6. L.N.Aleksandrov, E.V.Nidaev, and A.L.Vasil'ev. Defects produced in a silicon surface layer by laser pulse. Pis'ma Zh. Tekh. Fiz, 14(1988) 838-841. Sov. Tech. Phys. Lett. 14(1988) 374-375.
  7. L.N.Aleksandrov, I.I.Belousov and V.M.Efimov. Regularities of growth and electrical properties in the plasma enhanced deposition of Silicon Nitride. Thin Solid Films, 157(1988) 337-343.
  8. L.N.Aleksandrov. Structure Modifications of Silicon by Pulse Annealing.- in: Recent Trends in Grystal Growth, Ed. R.Ramasamy, ICSU COSTED, Madras, 1988, p.85-101.
  9. L.N.Aleksandrov, S.V.Lozovskii, and S.V. Knyazev. Silicon Zone Sublimation Regrowth. Phys. Stat. Sol. A, 107 (1988) 213-224.
  10. L.N.Aleksandrov. Mechanical Stress in the Crystallization Process of Amorphous Semiconductors by Pulse Action. Phys. Stat. Sol. (A), 106 (1988) K 135-138.
  11. L.N.Aleksandrov.  Die Modifikations die Strukturen im Silicon bei dem Pulse Heizung. TU Karl-Marx-Stadt Wissenschaftliche Tagungen, 5 (1988) 133-141.
  12. Л.Н.Александров. Рост и структура полупроводниковых пленок при импульсных воздействиях. - В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, ред. Ф.А.Кузнецов, 1988, с. 23-37.

1989

  1. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
  2. A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев. Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
  5. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations). Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
  6. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys. Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
  7. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects and Defects in Solids, 1989, v.111-112, № 1-2, p.91-98.
  8. Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
  9. Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова. Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
  10. L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors, Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v. 35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
  11. L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev. Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
  12. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova. Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid Films, 183 (1989) 345-350.
  13. L.N.Aleksandrov. Crystallization processes and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3 (1989) 203-220.

1990

  1. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Физ. и техн. полупроводн. 1990, т.24, вып.6, с.1101-1103.
  2. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, В.Ю.Баландин, С.П.Верходанов, Л.В.Мишина, О.А.Кулясова. Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.22, с.11-17.
  3. L.N.A.Aleksandrov, V.A.Zinovyev. Melting and Grystallization of Silicon Layers on Insulator with Millisecond Lamp Heating. Gryst.Res. Technol. 25 (1990) 269-276.
  4. Л.Н.Александров. Современные физические проблемы твердых пленок. Новосибирск, НГТУ, 1990, 100 с.

1991

  1. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1, p.1-14.
  2. V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova, Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol. (a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4, p.630-632.
  4. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991, вып. 7(261), с.26-29.
  5. Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
  6. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн. полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
  7. L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced Diffusion of  Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing (Computer Simulation).  Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
  8. Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин, И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной  ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
  9. Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
  11. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.

1992

  1. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский. Мезоскопические эффекты в прыжковой проводимости тонких слоев аморфного кремния, полученных ионным облучением. ЖЭТФ, 1992, т.102, вып.6(12) с.1882-1890.
  2. А.I.Yakimov, V.A.Markov, A.V.Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov. “Coulomb staircase” in a Si/Ge structure. Phil. Mag., B, 1992, v.65, Iss.4, p.701-705.
  3. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Thermoelastic Stresses in HgxCd1-xTe-SiO2. Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v.131, № 1, p.K19-K24.
  4. V.A.Zinovyev, V.Yu.Balandin, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii. Step Flow Homoepitaxy of Si(111) with (7x7)-(1x1) Superstructure Phase Transition. Phys. Stat.Sol. (b), 1992, v.173, №1, p.K5-K9.
  5. L.N.Aleksandrov. Structural transformation in silicon by pulse heating. Progress in Grystal Growth and Characterization of Materials,  24 (1992) 653-110.

1993

  1. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, R.Gr? tzschel. Paramagnetic defects in silicon irradiated with 40 MeV As ions. Nuclear Instrum. Methods in Phys. Research, B, 1993, v.80/81, Iss. JUN Part 1, p.620-623.
  2. А.В.Двуреченский, В.Г.Ремесник, И.А.Рязанцев, Н.Х.Талипов. Инверсия типа проводимости слоев Cdx Hg1-xTe,подвергнутых плазменной обработке. Физ. и техн. полупроводн. 1993, т.27, вып.1, с.168-171.
  3. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, Э.М.Баскин. Кулоновская щель в явлениях нелинейного экранирования и неомической прыжковой проводимости. ЖЭТФ, 1993, т.104, вып.1, с.2473-2482.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, Д.Шток, В.А.Зиновьев. Возможные механизмы роста в процессе перекристаллизации слоев кремния на SiO2 при импульсном миллисекундном нагреве. Физика и химия обработки материалов, 1993, № 4, с.28-34.
  5. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Spontaneous fluctuations of variable-range hopping current in amorphous silicon microstructures. Phys. Lett. A, 1993, v.179, Iss.2 p.131-134.

1994

  1. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Inelastic resonant tunneling in amorphous silicon microstructures. Phys. Lett. A, 1994, v.194, Iss.1-2, p.133-136.
  2. A.I.Yakimov, V.A.Markov, A.V.Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov. Conductance oscillations in Ge/Si heterosrtuctures containing quantum dots. J.Phys.: Condens. Matter, 1994, v.6, Iss.13, p.2573-2582.
  3. V.Yu.Balandin, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Interference Effects at Laser Pulse Heating of Multilayer Structures. Phys. Stat. Sol. (a), 1994, v.142, Iss.1, p.99-105.
  4. V.A.Zinovyev, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, K.-H.Heining, D.Stock. Modelling of layer-by-layer sputtering of Si(111) surfaces under irradiation with low-energy ions. Thin Solid Films, 1994, v.241, Iss.1-2, p.167-170.
  5. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Hopping conduction and resonant tunneling in amorphous silicon microstructures. J.Phys.: Condens. Matter, 1994, v.6, Iss.13, p.2583-2594.
  6. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Incoherent mesoscopic phenomena in amorphous Si microstructures. Phys. Low-Dim. Structures, 1994, v.6, p.75-92.
  7. K.-H.Heinig, D.Stock, H.Boettger, V.A.Zinovyev, A.V.Dvurechenskii, A.V.Aleksandrov. Formation of double- height Si(100) steps by sputtering with Xe ions – a computer simulation. In: Materials Synthesis and Processing using ion beams. Ed. by R.J.Culberton et. al., Pittsburgh, Material Research Society, 1994,v. 316, p.1035-1040.
  8. L.N.Aleksandrov, R.V.Bochova, G.M.Kiselev and I.A.Entin. Study of the initial stage of film crystallization by Monte Carlo  method. Gryst. Res. Technol. 29 (1994) 25-31.
  9. Л.Н.Александров. Механические напряжения в многослойных структурах типа кремний на изоляторе. Микроэлектроника, 23 (1994) 76-82.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, Yu.P.Stepantsov. Hopping in silicon layers with low impurity concentration - in Hopping and related phenomena 5, World Scientific, Singapore. New Jersey. London. Hong Kong.,1994, 357, p.51-54

1995

  1. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, А.В.Рыбин. Механизм дефектообразования в кристаллах при неупругом торможении высокоэнергетических ионов. ЖЭТФ, 1995, т.107, вып.2, с.493-503.
  2. I.V.Antonova, A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, S.S.Shaimeev, H.Klose. Removal of Electrically Active Defects in Silicon by 340 MeV Xe Ion Bombardment. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v.147, p.K1-K3.
  3. A.A.Karanovich, S.I.Romanov, V.V.Kirienko, A.M.Myasnikov, V.I.Obodnikov. A secondary ion mass spectrometry study of p+ porous silicon. J. Phys. D: Appl. Phys., 1995, v.28, p.2345-2348.
  4. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, L.A.Scherbakova. Low-dimensional hopping conduction in porous amorphous silicon. Physica B, 1995, v.205, p.298-304.
  5. A.I.Yakimov, T.Wright, C.J.Adkins, A.V.Dvurechenskii. Magnetic correlations on the insulating side of the metal-insulator transition in amorphous Si1-x Mnx . Phys. Rev. B, 1995, v.51, №23, p.16549-16522.
  6. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan, V.S.Mordyuk et al. The Study of Whisker Growth by the Monte Carlo Method. Phys. Stat. Sol. (A), 147 (1995) 461-466.

1996

  1. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, C.J.Adkins, V.A.Dravin. Current-voltage characteristics of porous amorphous Si1-x Mnx in the one-dimensional hopping regime. Phil. Mag. Letters, 1996, v.73, №1, p.17-26.
  2. А.И.Якимов, В.А.Марков, А.В.Двуреченский, О.П. Пчеляков. Продольная проводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, вып.6 с.423-426.
  3. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский. Фотостимулированные мезоскопические флуктуации тока в микроструктурах на основе а-Si. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.10, с. 674-677.
  4. A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, A.F.Faizullina. Oscillation of step velocity at sputtering of Si(111) vicinal surfaces by low-energy Xe ions. Surface Science, 1996, v.347, Iss.1-2, p.111-116.
  5. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский, Л.А.Щербакова, А.И.Никифоров. Электрические свойства фрактальных систем на основе пористого аморфного кремния. ЖЭТФ, 1996, т.110, вып.7, с.322-333.
  6. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков, Р.Грецшель, К.-Х. Хайниг. Эффекты импульсного воздействия ионами низких энергий при гомоэпитаксии кремния из молекулярного пучка. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.10, с. 690-695.
  7. В.В.Супрунчик. Прыжковый транспорт в слоях кремния с низким содержанием атомов примеси. ЖЭТФ, 1996, том 110, вып.5 (11), стр. 1-8.
  8. Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование образования структур пористого кремния. В кн. Тонкие пленки в электронике. Москва. 1996 г., с. 265-268.
  9. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Kinetics of Phase Transitions in Porous Materials, Phys. Status solidi (a), 1996, v.198, N 2.

1997

  1. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenckii , N.P.Stepina, L.A.Scherbakova, C.J.Adkins , V.Z.Chorniy, V.A.Dravin and R.Groetzschel. The temperature-induced transition from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-c Mnc. J.Phys.: Condens. Matter 9, p.889-899(1997).
  2. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii,C.J.Adkins and V.A.Dravin.  The Kondo effect in amorphous Si1-cMnc. J.Phys.: Condens. Matter 9, p.499-506(1997).
  3. А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский, Л.А.Щербакова. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации в пористом а-Si:H.  ЖЭТФ, т.112, вып.3(9), с.926-935(1997).
  4. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. “Переход металл-изолятор в аморфном Si1-cMnc,  полученном ионной имплантацией”. Письма в ЖЭТФ, т.65, №4, с. 333-337(1997).
  5. Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование образования структур пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, т.65, в.5, с.685(1997).
  6. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of formation and topologycal analysis of porous silicon-computational modeling.-in “E-MRS Proceedings”, volume 70, Elsevier, Science, 1997, p.406-410. Eds. H.Dreysse et al.

1998

  1. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina. Mesoscopic phenomena in a-Si based microstructures. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1, 1998.
  2. 4. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii and C.J.Adkins. Effect of spin-glass ordering on conduction in a-Si1-cMnc near the metal - insulator transition. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1, 1998.
  3. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Р.Гретцщель, Ф.Херрман, Р.Кеглер, А.В.Рыбин. Распределение по глубине точечных дефектов в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N и Si . Физика твердого тела, 1998, т. 40, N 2, с.217-222.
  4. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, Ю.Ю.Проскуряков. Одномерная локализация в пористом a-Si<Mn>. Письма в ЖЭТФ, т.67, вып.4, с.265-269(1998). (English pdf 93kb)
  5. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched-Exponential Conductivity Relaxation and 1/f Noise on Fractal Networks of Porous Amorphous Silicon. Phys. Low-Dim. Struct. 1998, v.5/6, p.111-129.
  6. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Modelling of porous silicon structures formation.Thin Solid Films, v.312, №1/2, 1998.
  7. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of Formation and Topological Analysis of Porous Silicon-Computational modeling. Computational Material Science, v.10/1-4, p.406-410, 1998.
  8. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков. Формирование нульмерных дырочных состояний при молекулярно лучевой эпитаксии Ge на Si(100). Письма в ЖЭТФ, т.68, вып.2, с.125-130(1998).
  9. A.I.Yakimov, A.V.Dvurerechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Formation of zero-dimensional hole states in Ge/Si heterostructures probed with capacitance spectroscopy. Thin Solid Films 1998, v. 336, No. 1-2, p.332-335.
  10. L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov.  Modelling of porous silicon structures formation.“Thin Solid Films”, v.312, №1/2, 1998.
  11. A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched exponential conductivity and 1/f noise on fractal networks of porous amorphous Si. Phys. Low-Dim. struktures, v.5/6, p.111-129(1998).
  12. П.Л.Новиков, Л.Н.Александров, А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев. Механизм эпитаксии кремния на пористых слоях кремния. Письма в ЖЭТФ, т.67, вып.7, с.512-517(1998).
  13. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков. Механизм структурных изменений поверхности кремния импульсным воздействием низкоэнергетическими ионами при эпитаксии из молекулярного пучка. ЖЭТФ, 1998, т.114, вып.12, с.2055-2064. (текст-text)
  14. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Coulomb interaction in Ge Self-Assembled quantum-dot atoms and quantum-dot molecules. 24 th Intern. Conf. on Phys. Semicond., World Scientific, Singapore 1998.

1999

  1. А.К.Гутаковский, С.И.Романов, О.П.Пчеляков, В.И.Машанов, Л.В.Соколов, И.В.Ларичкин. Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 255-261.
  2. О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, В.А.Марков, А.И.Никифоров, А.И.Якимов. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 228-234.
  3. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, В.А.Марков, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков. Энергетический спектр дырочных состояний в самоформирующихся квантовых точках Ge в Si. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 307-311.
  4. П.Л.Новиков. Моделирование образования пористого кремния и эпитаксии кремния на его поверхности. Известия ВУЗов, серия физическая 1999, т , № 3 с. 49-56.
  5. P.L.Novikov, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev. Modelling of initial stage of silicon epitaxy on porous silicon (111) surface. "Physics of Low. Dimensional Structures", 1999, v.1/2, p. 179-187.
  6. А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков, В.А.Кудрявцев. Сверхструктурный фазовый переход, индуцированный импульсным ионным воздействием при молекулярно-лучевой эпитаксии Si(111). Неорганические материалы, 1999, т.35, №6, с.1-4.
  7. A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, V.A.Markov, V.A.Kudryavtsev. Surface reconstruction induced by low-energy ion-beam pulsed action during Si(111) molecular beam epitaxy. Surface Science. 1999, v.425, №2-3, p.185-194.(pdf)
  8. L.N.Aleksandrov. Phase and Structural modifications, in porous silicon under heating International Journ. of Thermophysics, 1999, v.20, No 4, p.1223-1235.
  9. A.I.Yakimov, C.J.Adkins, R.Boucher, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Hopping conduction and field effect in Si modulation doped structures with embedded Ge quantum dots. Phys.Rev.B, 1999, v.59, No.19, p.12598-12603.
  10. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, and O.P.Pchelyakov. Charging Dynamics and Electronic Structure of Excited State in Ge Self-Assembled Quantum Dots. Phys. Low-Dim. Structure, 1999, v.3/4, p.99-110.
  11. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Квантовые точки в системе Ge/Si. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1999, № 4, стр. 4-15. (doc)
  12. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, Yu.Yu.Proskuryakov, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov, S.A.Teys, A.K.Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 1999, v.75, № 19, p. 1413-1415.
  13. S.I.Romanov, V.I.Mashanov, L.V.Sokolov, A.Gutakovskii, O.P.Pchelyakov. "GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon" Applied Physics Letters, 1999, v.75, No.26, p. 4118-4120.
  14. А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление в одномерных каналах пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, 1999, т.69, № 3, с.189-193.
  15. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I.Nikiforov, C.J.Adkins. Oscillations of Hopping Conductance in Array of Charge-Tunable Self-Assembled Quantum Dots. J.Phys.: Condens. Matter, 1999, v.11, p.9715-9722.
  16. Д.Н.Ким, В.В.Супрунчик, Г.Р.Мунасипов, В.Я.Батищев. "Автоматизированная система сопровождения внутри трубного снаряда в нефтепроводе". Журнал трубопроводный транспорт нефти. 1999, № 5, с. 20-25.

2000

  1. А.А. Федоров, М.А. Ревенко, Е.М. Труханов, С.И. Романов, А.А. Каранович, В.В. Кириенко, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, А.К. Гутаковский. Интерференционные эффекты при рентгеновской топографии в системе эпитаксиальный кремний/пористый кремний/кремний. Поверхность. 2000, № 4, с.19-26.
  2. S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, R. Groetzschel, A. Gutakovskii, L.V. Sokolov, M.A. Lamin. Homoepitaxy on porous silicon with a buried oxide layer: full-wafer scale SOI. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology - Vol. 73, pp.29-46. 2000 Kluwer Academic Publishers.

    3. Download Word Document
  3. S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, Yu.I.Yakovlev, R. Groetzschel, U. Kreissig, V.V. Kirienko, V.I. Obodnikov, A. Gutakovskii. Characterization of porous silicon layers containing a buried oxide layer. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology - Vol. 73, pp.195-204. 2000 Kluwer Academic Publishers.

    4. Download Word Document
  4. P.L. Novikov, L.N. Aleksandrov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev. Study of porous silicon formation and silicon-on-porous silicon epitaxy (computational modelling). In: Nanostructured Films and Coatings, ed.by Gan-Moog Chow et.al, Kluwer Academic Publishers. Dordrecht, 2000, p.255-265.
  5. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов. Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе кремния и герма-ния. Физ. и техн. полупров. 2000, т.34, в.11, с.1281-1299.
  6. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Электрические и фотоэлектрические свойства сруктур Ge/Si с плотным массивом квантовых точек. Известия РАН, серия физическая. 2000, т.65, вып.2, с.306-310. (doc)
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Hopping transport through an ensemble of Ge self-assembled quantum dots. Phys. Stat.Sol. (b), 2000, v.218, p.99-105.
  8. А.А. Федоров, А.В. Колесников, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, С.И. Романов, Л.В. Соколов, Е.М. Труханов. Эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр-инструмент для изучения структуры полупроводниковой гетеросистемы. Приборы и техника эксперимента. 2000 , № 2, с.135-139.
  9. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov, C.J. Ad-kins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.61, p.10868-10876. (pdf)
  10. А.В. Двуреченский, Н.Б. Придачин. Кремний-2000. Наука в Сибири, № 10, 2000.
  11. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2000, № 9, т.118, с.570-578. (doc)
  12. A. Milekhin, N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, S. Schulze. D.R.T. Zahn. Raman scattering of Ge dot superlattices. European Physical Journal B, 2000, v.16, p.355-359.
  13. С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Ненашев, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, Л.Н. Мазалов. Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих нанокластеры и тонкие слои Ge в Si-матрице. Журнал структурной химии, 2000, v.41. № 5, p.890-895.
  14. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, Ж.В.Смагина. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из молекулярных пучков. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, №3, 190-194. [JETF, 2000, № 3, v.72, p.131-133]. (pdf)
  15. O.P. Pchelyakov, Yu. B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.I. Yakimov, B. Voigtlander. Molecular beam epitaxy of Si-Ge nanostructures. Thin Solid Films. 2000. v.367, p.75-84.
  16. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Отрицательная меж-зонная фотопроводимость в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, № 4, с.267-272. (pdf)
  17. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. Depolarization shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, v.62, № 15, p.9939-9942. (pdf)
  18. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Mechanism of Two-Level Hopping Current Fluctuations in Mesoscopic a-Si Based Structures. Phys.Stat.Sol. 2000, v.218, p.155-158. (pdf)
  19. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Exitons in charged Ge/Si type II quantum dots. Semicond. Sci. Technol. 2000, v.15, p. 1-6. (pdf)
  20. A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, J.V. Smagina, S.A. Teys, and I.G. Kozhemyako. Morphology and reconstruction of Surface during Ge/Si Heteroepitaxy under Low-Energy Ion Beam Irradiation. Proc. of 1-st Inter. Congres on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter Tomsk, 2000, v.1, p.238-242.
  21. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.A. Nenashev. Evidence for a negative interband photoconductivity in arrays of Ge/Si type-II quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.62, № 24. (pdf)
  22. A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Investigation of the atomic crystal plane relief by X-ray epitaxial film interferometer. Appl. Surf. Sci. 2000, v.166 (1-4), p.82-86.
  23. A.A. Fedorov, A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov, L.V. Sokolov, E.M. Trukhanov. An X-ray epitaxial film interferometer as a tool for studying the structure of a semiconductor heterosystem. Instruments and experimental techniques. 2000, v.43 (2), p.271-274.
  24. A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Precise structure investigations of heterosystem epitaxial Si/porous Si/substrate Si. Inst.Conf.Ser. 2000. No.166, chapter 3, p.173-176.

2001

  1. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov. Interband absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots, Phys. Rev. B, 2001, v.63, № 4, pp. 45312-45317. (pdf)
  2. А.В. Двуреченский. Явление импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (<Лазерный отжиг>), Соросовский образовательный журнал, 2001.
  3. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Эффекты взаимодействия в системе Ge/Si с квантовыми точками, Известия Академии наук; серия физическая, 2001, т.65, №2, с. 187-191. (doc)
  4. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек, ЖЭТФ, 2001, т.119, вып. 3, стр.574-589. (ps)
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Contribution of the Electron-Electron Interaction to the optical Properties of Dense Arrays of Ge/Si Quantum Dots, JETP, 2001, Vol. 92, No.3, pp.500-513.
  6. А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев. Блокирующий контакт р++ - р+ - р в кремниевых ИК-фотоприемниках с проводимостью р-типа, Автометрия, 2001 г., № 3, стр. 55-64.
  7. A.V. Dvurechenskii, A.P. Kovchavtzev, G.L. Kurychev, I.A. Ryazantsev. The Blocking Contact р++ - р+ - р in Silicon IR-photodetectors with p-type conductivity. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing, № 3, pp.45-52.
  8. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Yu.Yu. Proskuryakov. Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector, J. Appl. Phys. 2001, v. 89, № 10, pp. 5676-5681. (pdf)
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Пространственное разделение электронов в гетероструктурах Ge/Si (001) с квантовыми точками, Письма в ЖЭТФ, 2001, т.73, вып. 10, с. 598-600. (ps)
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Spatial Separation of Electrons in Ge/Si(001) Heterostructures with Quantum Dots, JETP Letters, 2001, Vol.73, No.10, pp.529-531.
  11. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки 2-го типа, ФТП, 2001, т. 35, вып. 9, с. 1143-1153. (pdf)
  12. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Type II Ge/Si Quantum Dots, Semiconductors, 2001, Vol.35, No.9, pp.1095-1105. (pdf)
  13. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина. Эффекты самоорганизации ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. Письма в ЖЭТФ, 2001, т. 74, № 5, с. 296-299.(pdf)
  14. A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev and Zh.V. Smagina. Self-Organization of an Ensemble of Ge Nanoclusters opon Pulsed Irradiation with Low-energy Ions during Heteroepitaxy on Si, JETP Letters, 2001, Vol.74, pp.267-269.(pdf)
  15. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, A.I. Nikiforov, N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Local structure of self-organized uniform Ge quatum dots on Si (001), Solid State Ionics - Diffusion and Reactions, 2001, Vol.141-142, pp.137-141.
  16. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, N.P. Stepina, A.V. Nenashev. Surface sensitive mode XAFS measurement of local structure of ordered Ge nanoclusters (quantum dots) on Si (001), Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A, 2001, Vol.467-468, pp.1229-1232.
  17. S.B. Erenburg, N.V. Bausk, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev, L.N. Mazalov. Microscopic parameters of heterostructures containing nanoclusters and thin layers of Ge in Si matrix, Nucl. Instr. & Meth in Phys. Res. A, 2001, Vol.470/1-2, pp.283-289.
  18. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, УФН, 2001, т.171, №12, стр.7-9. (pdf)
  19. A.Milekhin, S.Schulze, D.R.T.Zahn, N.Stepina, A.Yakimov, A.Nikiforov. Raman Scattering of Ge Dot superlattices, Appl. Surf. Sci., 2001, Vol.175-176, pp.629-635.
  20. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Spatially indirect excitons in self-assembled Ge/Si quantum dots, Nanotechnology 2001, №12, S1-S6.
  21. Зиновьев В.А., Двуреченский А.В., Новиков П.Л. Модель перехода от двумерно-слоевого к трёхмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si, Поверхность 2002, №2, c.10-13. (pdf)
  22.  A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots, Nanotechnology, 2002, № 13, S1-S6. (pdf)
  23. A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, S.A. Teys. Ion-Beam Assisted Surface Islanding During Ge MBE on Si, Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 1/2, p.303. (pdf)

2002

  1.  А. В. Двуреченский, А. В. Ненашев, А. И. Якимов. Электронная структура квантовых точек Ge/Si // Известия РАН, серия физическая, 2002, т. 66, № 2, с. 156–159. (doc)
  2.  A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots // Nanotechnology, 2002, v. 13, № 1, pp. 75-80. (pdf)
  3. A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. V. Nenashev. Many-particle effects in excitonic transitions in type-II Ge/Si quantum dots // Physica E, 2002, v. 13, pp. 1026–1029.
  4.  В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.Л. Новиков. Модель перехода от       двумерно-слоевого к трёхмерному  росту при гетероэпитаксии Ge/Si // Поверхность 2002, №2, c.10-13. (pdf)
  5.  A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinovyev, V. A. Kudryavtsev, Zh. V. Smagina, P. L. Novikov, S.A. Teys.  Ion-Beam Assisted  Surface Islanding During Ge MBE on Si // Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 1/2, pp.303-314.
  6.  A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots in silicon for mid-infrared photodetectors // International Journal of High Speed Electronics and Systems, Special Issue on Intersubband Infrared Photodetectors, 2002.
  7.  K.-H. Heinig, P.L. Novikov, A.N. Larsen, and A.V. Dvurechenskii. Simulation of ion-irradiation stimulated Ge nanocluster formation in gate oxides containing GeO2 // Nucl. Instr. & Meth in Phys Res. B, 2002, 191 (1-4), p. 462. (pdf)
  8.  A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov. Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transitor // Applied Physics Letters, 2002, v.80, № 25, pp.4783-4785. (pdf)
  9.  A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov and S.V. Chaikovskii. Barrier Height and Tunneling Gurrent in Schottky Diodes with Embedded Layers of Quantum Dots // JETP Letters, 2002, v.75, №2, pp.102-106. (pdf)
  10.  А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек // Письма в ЖЭТФ, 2002, том 75, вып. 2, с. 113-117.
  11.  A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov, O.P.Pcheljakov,A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Growth and characterization of CaF2/Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant tunneling diodes operating at room temperature // Applied Physics Letters, 2002, v.81, № 3, pp.449-501.(pdf)
  12.  N.P.Stepina, R.Beyer, A.I. Yakimov, I. Thurzo, A.V. Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, S. Shulze, D.R.T. Zahn. Hole emission and capture in array of self-assembled Ge quantum dots in Si studied by deep-level transient spectroscopy // Phys.Low-Dim.Struct., 2002, v.11, pp.261-270.
  13.  А. В. Двуреченский, И. А. Рязанцев, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А. И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Фотодиодные свойства p-n переходов Si<Ge> c квантовыми точками // Автометрия, 2002, т.38,  № 4, с.115-125.
  14.  A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov. Optical properties of array of Ge/Si quantum dots in electric fields // NATO Science series volume, “Towards the first  Silicon laser”, Kluwer Academic Publishers, 2002
  15.  A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko and A.I.Nikiforov. Hole transport in Ge/Si quantum-dot field-effect transistors// “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2002, p.191-194.
  16.  S.B. Erenburg, N.V. Bausk, , A.I .Nikiforov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov, G.N. Kulipanov. Developing of XAFS method designed for characterization of materials containing nanostructures (Ge/Si systems)// “Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology”, Fifth ISTC SAC Seminar, St. Petersburg, Russia, May 27-29, 2002, p. 277-287

2003

  1. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2003, 12, № 3, 873-889.
  2. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах. – Известия Академии наук: серия физическая, 2003,  67, вып. 2,  166-169. (doc)
  3. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003,  67, № 12,  125318. (pdf)
  4. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems, 2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 77, вып. 7, 445-449. (pdf)
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and A.A. Bloshkin. Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 77, №3, 376-380.
  7. A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. Optical properties of arrays of Ge/Si quantum dots in electric fields. – In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Paversi et al., Kluwer Academic Publishers, Netherland, 2003, 307-314 (pdf)
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения. – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1352-1357. (pdf)
  9. V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1315-1320.
  10. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский,  А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388. (pdf)
  11.  A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots for the near infrared region. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1345-1349. (pdf)
  12. А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, М.Н. Тимонова. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, вып. 4, 276-280. (pdf)
  13. A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, and M.N. Timonova. Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 78, № 4, 241-245.
  14. S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov, A. Yakimov. Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation conditions. – J. Synchrotron Radiation, 2003, 10, № 5, 380-383.
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003,  68, № 23, 230000. (pdf)
  16. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Wave functions and g-factor  of holes in Ge/Si quantum dots –  Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301. (ps) (pdf)
  17. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками – ЖЭТФ, 2003, том 123, вып.2, 362-372.
  18. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Zeeman Effect for Holes in  a Ge/Si System with Quantum Dots –  JETP, 2003, Vol. 96, No 2, 321-330. (pdf)
  19. В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. Л. Новиков. Формирование     гетероструктур Si/Ge/Si  с квантовыми точками –  Поверхность, 2003, №10,  22-26.
  20. А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. Фотоусиление сигнала Si<Ge> переходом, содержащим квантовые точки – Прикладная физика 2003, 2, 69-76.
  21. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si. –  Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, № 9, 1077-1081.
  22. A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, A. P. Kovchavsev, G. L. Kuryshev, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov «Photoconductivity Gain by Si<Ge> p-n Junction Containing Quantum Dots»,  Proceedings of SPIE, Eds. A. M. Filachev and A.I. Dirochka, 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Vol. 5126 (2003), 167-177.

2004

  1. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 60-62. (pdf)
  2. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.F. Zinov’eva. Ge/Si Quantum Dots in External Electric and Magnetic Fields. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59. (pdf)
  3. Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский. Самоформирование квантовых точек Ge в гетеро-эпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 91-93.
  4. L.V. Sokolov, A.S. Derjabin, A.I. Yakimov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii. Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on Its Basis. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. –  Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, № 1, 51-54. (pdf)
  6. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Физика и техника полупроводников 2004, 38, вып. 10, 1265-1269. (pdf)
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.V. Chaikovskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, M.S. Seksenbaev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Ge/Si waveguide photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication lines. – Semiconductors 2004, 38, № 10, 1225-1229 (pdf)
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Влияние наноимпульсного лазерного облучения на квантовые точки германия в кремнии. – Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi: серыя физiка-матэматычных навук 2004, 2, 93-96.
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ 2004 80, вып. 5, 367-371.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, G. Mikhalev. The Meyer-Neldel rule in the process of thermal emission and hole capture in the Ge/Si quantum dots. – JETP Letters 2004, 80, № 5, 321-325.
  11. V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Ge dots on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study. Physica E 2004, 23, № 3-4, 320-323.
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology, St. Peterburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 306-307.
  13. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Нанофотоника, Н. Новгород, 2-6 мая 2004, с. 133-136.
  14. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками для элементов наноэлектроники. –  В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 67-84.
  15. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 308-336.
  16. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii Spin transport in Ge/Si quantum dot array. Proc. SPIE 2004, Vol. 5401,  p. 402-409.
  17. A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii. “Spin relaxation in Ge/Si quantum dots” –Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 21-25, 2004, 332-333.
  18. А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг). Соросовский образовательный журнал 2004, том 8, №1, 1-7. (pdf)
  19. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. Письма  в ЖЭТФ  2004, том 79, вып.7, с.411-415. (pdf)
  20. A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin and M. D. Efremov. Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during  Ge/Si  epitaxy. JETP Letters 2004, Vol. 79, No.7, pp. 333-336. (pdf)
  21. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, and A.I. Nikiforov,  Non-Equilibrium Transport in Arrays of Type-II Ge/Si Quantum Dots, Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, No.1, pp.21-24. (pdf)
  22. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Modification of growth mode of Ge on Si by pulsed low-energy ion-beam irradiation”. International Journal of Nanoscience 2004, vol.3, No. 1&2, p.19-27
  23. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Ge/Si quantum dot nanostructure grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy”. Surface&Coatings Technology. 2004. (doc) (pdf)
  24. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. “Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками”. Физика низких температур, том 30, вып. 11, 1169-1179 (2004).

Последнее обновление: 12.01.2009

© www.isp.nsc.ru/lab24