Не упустите свой шанс попасть в высшую лигу исследовательской работы и высокотехнологичного производства!
Вы сможете создавать материалы для перспективной электроники и определять будущее цифрового мира
Вы сможете возглавить исследовательскую лабораторию в возрасте до 30 лет
Вы будете работать с ведущими учеными, по передовым направлениям науки
Вас поддержат на всех этапах обучения и дальнейшего пути в науку, помогут с получением общежития или служебного жилья
Вы научитесь работать на современном высокотехнологичном оборудовании
Вы сможете попробовать свои силы, участвуя в крупных научных проектах
Вы научитесь писать исследовательские статьи и публиковаться в ведущих международных научных журналах
В аспирантуре Вас ждут квалифицированные преподаватели, всегда готовые объяснить непонятное, выслушать вас и помочь
Система обучения в аспирантуре оптимально выстроена, образовательные курсы и работа в лаборатории ― все собрано в одном месте
Работа в Институте станет фундаментом для Вашего будущего, карьерного роста в любой высокотехнологичной компании России
Институт физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН ведет набор в аспирантуру, принять новых сотрудников готовы тридцать научных подразделений, среди которых пять молодежных лабораторий.
Административный корпус ИФП СО РАН. Фото Василия Варавина
Аспиранты ИФП СО РАН занимаются перспективными исследованиями в области физики полупроводников и физики твердого тела, осваивают технологии создания новых материалов и полупроводниковых приборов.
Поддержка молодых ученых происходит на всех этапах их обучения и не прекращается после его окончания. Она касается как образовательной деятельности, так и интеграции в исследовательский процесс, работы на высокотехнологичном оборудовании. В институте ежегодно проводится конкурс научных работ для молодых ученых, по результатам которого аспиранты-победители получают стипендию от ИФП СО РАН.
В молодежной лаборатории нанотехнологий и наноматериалов. Фото Тимофея Перевалова
Благодаря хорошей подготовке, востребованным темам исследовательских работ, молодые ученые ИФП СО РАН регулярно становятся победителями конкурсов на получение стипендий (Президента РФ, Правительства РФ, правительства Новосибирской области) и премий (имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН), руководят грантовыми проектами (Российского научного фонда, Президента РФ), возглавляют молодежные лаборатории, участвуют в крупных проектах федерального значения, публикуются в ведущих международных научных журналах.
«Научные тематики, по которым аспиранты ведут исследования в нашем Институте, входят в число передовых направлений физики твердого тела. Молодые ученые могут выбрать карьерный трек в области синтеза и изучения новых квантовых материалов и эпитаксиальных полупроводниковых наноструктур, устройств, работающих на новых физических принципах, в том числе для посткремниевой электроники.
Что касается синтеза эпитаксиальных полупроводниковых наноструктур, — в ИФП СО РАН технология молекулярно-лучевой эпитаксии поставлена на высочайшем уровне, здесь мы задаем планку для других научных центров. Именно эта технология позволяет создавать полупроводниковые материалы с заданными свойствами, например, для перспективной электроники» , — поясняет заместитель директора по научной работе ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Александр Германович Милёхин.
«Работа в Институте станет фундаментом для Вашего будущего, карьерного роста в любой высокотехнологичной компании России», — подчеркивает заместитель директора по научно-организационной работе ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Александр Владимирович Каламейцев, обращаясь к будущим аспирантам.
Работа в чистых помещениях ИФП СО РАН Фото Тимофея Перевалова
«При подаче документов у меня не было сомнений, в какую аспирантуру идти»
Многие молодые ученые остаются в Институте сразу после первого знакомства с ним. Так, аспирантка второго года Ирина Андреевна Краснова впервые попала в ИФП СО РАН на втором курсе физического факультета Новосибирского госуниверситета, во время написания курсовой работы. Ирине понравился Институт, и, выбирая лабораторию для следующей курсовой, а впоследствии и дипломной работы, будущая исследовательница анализировала описания подразделений на сайте ИФП СО РАН. Руководит работой Ирины заместитель директора ИФП СО РАН, заведующий лабораторией № 28 кандидат физико-математических наук Георгий Юрьевич Сидоров.
Ирина Краснова.
Автор фото Надежда Дмитриева.
«В понравившейся лаборатории мне рассказали о направлениях деятельности, они мне показались интересными, и я решила остаться выполнять бакалаврский и магистерский дипломы, а потом поступила в аспирантуру ИФП СО РАН. Я занимаюсь улучшением электрофизических характеристик границы раздела между твердым раствором кадмий-ртуть-теллур (КРТ) и диэлектриком — работа посвящена пассивации поверхности КРТ для улучшения характеристик готового прибора.
В том, что касается обучения в аспирантуре, на мой взгляд, самое важное то, что я повысила уровень своего английского в ходе обучения на первом курсе. Кроме того, благодаря дисциплинам, преподаваемым в аспирантуре, у меня получилось довольно легко и подготовиться, и сдать кандидатские экзамены.
При подаче документов у меня не было сомнений, в какую аспирантуру идти, что именно выбирать: в ИФП СО РАН очень хорошо подобраны преподаваемые дисциплины, они помогают при сдаче кандидатских экзаменов, нет ничего лишнего. Все занятия проходят здесь же, и это позволяет сэкономить значительное время на перемещении между местом работы, прохождения практики и обучения. Еще один плюс такого расположения — если появляются вопросы по курсу, по подготовке к экзамену, можно очень быстро их обсудить с большинством преподавателей. Как минимум уже по этим причинам можно рекомендовать всем поступать в аспирантуру Института физики полупроводников», — поделилась Ирина Краснова.
«…Я бы выделил внимание к молодым ученым, их поддержку, готовность коллег внутри института помогать друг другу»
Максим Андреевич Суханов, аспирант четвертого года обучения, отмечает, что выбрал Институт по тем же причинам, что и Ирина: ему нравилась лаборатория, где он проходил практику в бакалавриате и магистратуре. Научный руководитель Максима — заведующий лабораторией №37 ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Константин Сергеевич Журавлев.
Максим Суханов.
Автор фото Надежда Дмитриева.
«Среди отличительных качеств аспирантуры ИФП СО РАН и критериев, по которым стоит сюда поступить, я бы выделил внимание к молодым ученым, их поддержку, готовность коллег внутри института помогать друг другу. Например, меня трудоустроили в молодёжную лабораторию, где есть дополнительная финансовая поддержка, по результатам успешного написания статей. Кроме того, молодых специалистов привлекают к выполнению проектов РНФ, крупных научных проектов.
Моя работа связана с выращиванием гетероструктур InSb/InAlSb методом молекулярно-лучевой эпитаксии, и я взаимодействую с разными специалистами в области атомно-силовой микроскопии, электронной дифракции, измерений электрофизических параметров. Все сотрудники, к кому я обращаюсь, готовы помочь в обсуждении результатов.
Среди важных достижений, полученных за время обучения в аспирантуре, Максим называет способность самостоятельно работать на установке молекулярно-лучевой эпитаксии, измерять параметры выращенных структур, анализировать и сопоставлять вместе экспериментальные данные разного типа: например, электрофизические и структурные параметры.
«…Я научился полноценно писать статьи: от стадии появления идеи до согласования всех технических вопросов для публикации работы»
Илья Юрьевич Гензе недавно завершил первый год обучения, успешно сдав кандидатские экзамены. Под руководством ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Максима Сергеевича Аксенова аспирант исследует механизм формирования барьеров Шоттки на основе соединения InAlAs: рассматривает, как меняются параметры барьера в зависимости от типа металлизации, обработки поверхности полупроводника, а также отжига при различных условиях.
Илья Гензе.
Автор фото Надежда Дмитриева
«Пока что сложно говорить о глобальных результатах, прошел всего год. Стоит только сказать, что началась настоящая работа. Я научился полноценно писать статьи: от стадии появления идеи до согласования всех технических вопросов для публикации работы в журнале.
Аспирантуру в институте выбрал из-за двух факторов, о которых мне рассказали: минимальное количество бюрократических проблем с защитой диссертации и хорошие преподаватели по философии и английскому языку. Это действительно так, например, наша преподаватель английского языка Екатерина Владимировна Давыдова делает большой упор на грамматику, в результате я стал понимать общие закономерности, обращать внимание на грамматические особенности, видеть определенные конструкции при переводе.
В Институт я попал в студенчестве, выполняя курсовую работу. Позже, за время написания бакалаврского и магистерского дипломов, у меня сложились хорошие отношения с научным руководителем, коллективом лаборатории, и я продолжил исследования уже в аспирантуре», — комментирует Илья.
Сегодня Институт физики полупроводников выполняет исследования в области фундаментальной и прикладной науки, сотрудничает с ведущими производителями микроэлектроники в России, обладает парком современного высокотехнологичного оборудования. Заинтересованные молодые исследователи найдут здесь и квалифицированных, отзывчивых коллег, и амбициозные задачи, и всестороннюю академическую подготовку.
Работа в чистых помещениях ИФП СО РАН Фото Тимофея Перевалова
Аспиранты, получая стипендию, трудоустраиваются на исследовательские должности, администрация помогает получить общежитие или служебное жилье.
Желающим поступить в аспирантуру необходимо подать документы с 26 августа по 6 сентября и выбрать руководителя из числа научных сотрудников института. Сделать это поможет отдел аспирантуры. По интересующим вопросам можно обращаться к заведующей отдела Алле Георгиевне Настовьяк, тел.: +7(383)333-14-74, +7(383)333-14-75, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. и к секретарю руководителя аспирантуры Юлии Николаевне Ефименко, тел.: +7(383)333-14-74, +7(383)333-24-72, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Надежда Дмитриева,
пресс-секретарь ИФП СО РАН