В Новосибирском Академгородке 25 апреля 2018 года с 10-15 до 17-00 на базе Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН (Новосибирск, пр. академика Лаврентьева, 13) при поддержке Нанотехнологического Общества России, компании NT-MDT Spectrum Instruments и Сибирского Отделения РАН состоится в формате круглого стола семинар по теме: «Научное приборостроение для нанотехнологий. Современное состояние. Возможности развития».

Целью мероприятия является анализ состояния современного научного приборостроения в России и мире, а также обсуждение возможностей его развития.

К участию приглашаются представители научных коллективов, а так же научно-производственных объединений Сибирского Федерального Округа.

ПРОГРАММА СЕМИНАРА

25 апреля, актовый зал главного корпуса ИФП им. А.В. Ржанова СО РАН

10:15-10:30 Открытие круглого стола. Пармон В.Н., академик РАН, председатель Сибирского отделения РАН; Латышев А.В., академик РАН, директор ИФП СО РАН.

10:30-11:00 Быков В. А., д.т.н., NT-MDT SI, НОР «Сканирующая зондовая микроскопия. Актуальные тенденции и перспективы»

11:00-11:30 Поляков В. В., к.т.н., руководитель отдела R&D в NT-MDT SI «Инфракрасная микроскопия нанометрового пространственного разрешения»

11:30-12:00 Шелаев А. В., к.ф.-м.н., ведущий инженер NT-MDT SI «Практические приложения спектроскопии комбинационного рассеяния и ближнепольной оптической микроскопии»

12:00-12:20 кофе-брейк

12:20-12:35 Попик В. М., к.ф.-м.н., ИЯФ им. Г. И. Будкера СО РАН «Статус Новосибирского лазера на свободных электронах»

12:35-12:50 Пельтек С. Е., к.б.н, зам. директора по научной работе, ИЦиГ СО РАН «Нетермическое воздействие терагерцового излучения на биологические объекты»

13:00-14:00 Обеденный перерыв

14:00-14:20 Милёхин А. Г., д.ф.-м.н., зам.директора по научной работе, ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН «Зондовая спектроскопия комбинационного рассеяния света полупроводниковых наноструктур»

14:20-14:50 Анисимов А.Н., м.н.с., ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН «Высокочастотные спектрометры ЭПР (ОДМР) нового поколения. Возможности спиновых центров окраски в широкозонных полупроводниках в качестве квантовых сенсоров магнито-резонансной сканирующей спектроскопии»

14:50-15:10 Терещенко О.Е., д.ф.-м.н., и.о. зав. Лаб. №3, ИФП им. А. В. Ржанова СО РАН «Фотоэмиссионные катоды на базе полупроводников с отрицательным электронным сродством и возможность их адаптации для многолучевых электронных литографов»

15:10-15:30 Выхристюк И.А., зав. лаб. ОИС, КТИ НП СО РАН «Интерфереционный микроскоп сверхвысокого разрещения с применением атомногладких зеркал»

15:30-15:40 кофе-брейк

15:40-16:00 Круглый стол

Желающие приглашаются обменяться на круглом столе опытом в области анализа материалов, выступить с краткими (около 5 мин) презентациями собственных результатов и разработок. Расширенный список докладов будет объявлен дополнительно не позднее 24 апреля.

ВХОД СВОБОДНЫЙ

По вопросам участия:

ОРГАНИЗАТОРЫ:

Организационный комитет: