Будущим сотрудникам Института нужно подать документы до 31 августа 2021 года, сдать экзамены до 15 сентября и выбрать руководителя из числа научных сотрудников ИФП СО РАН. В Институте работает собственный диссертационный совет, направление подготовки 03.06.01 ― «Физика и астрономия», специальности 01.04.10 ― «физика полупроводников» и 01.04.07 ― «физика конденсированного состояния». Аспирантам ежемесячно начисляется государственная стипендия (9927,33 руб.), они трудоустраиваются в институт, а очное обучение дает отсрочку от армии. В ИФП СО РАН ежегодно проводится свой конкурс стипендий для молодых ученых. Администрация Института содействует в получении общежития, служебного жилья или выплачивается частичная компенсация аренды.

Объявление о приеме в аспирантуру

По интересующим вопросам можно обращаться к заведующей аспирантурой Алле Георгиевне Настовьяк, тел.: +7(383)333-14-74, +7(383)333-14-75, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра. и к секретарю руководителя аспирантурой Юлии Николаевне Ефименко, тел.: +7(383)333-14-74, +7(383)333-24-72, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

«Многие молодые ученые и аспиранты ИФП СО РАН ― руководители и исполнители грантов Российского научного фонда, Российского фонда фундаментальных исследователей, стипендиаты программ Президента Российской федерации, Правительства РФ, мэрии Новосибирска. Молодые специалисты публикуют работы в высокорейтинговых журналах, участвуют в научных конференциях по всему миру, могут выезжать на стажировки в другие организации (в том числе зарубежные)», ― рассказывает руководитель отдела аспирантуры кандидат физико-математических наук Алла Георгиевна Настовьяк.

Аспиранты под руководством опытных исследователей выполняют работы на уровне мировых научных школ, проводят эксперименты, используя новую приборную базу.

«За последние два года мы закупили следующие приборы: установку атомно-слоевого осаждения SI PEALD; систему фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением ARPES FlexPS; единый комплекс оборудования для ближнепольной микроскопии и спектроскопии фирмы HORIBA; настольную установку лазерной безмасковой фотолитографии модели µMLA; криостат с криомагнитной системой TeslatronPT; установку Wafer Profiler для измерения концентраций легирующих примесей в полупроводниковых структурах; установку неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах; систему реконденсации жидкого гелия для работы криомагнитной системы по получению сверхнизких температур в сильных магнитных полях на базе гелиевого реконденсатора», ― отмечает заместитель директора ИФП СО РАН по научно-организационной работе кандидат физико-математических наук Александр Владимирович Каламейцев.

Установка неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM» (фото Н. Дмитриевой)

Установка атомно-слоевого осаждения SI PEALD. Рядом с ней сотрудник ИФП СО РАН, молодой ученый Сергей Мутилин (фото Н. Дмитриевой)

Для развития полупроводниковых технологий современное оборудование имеет ключевое значение: на устаревших приборах зачастую невозможно провести измерения тонких эффектов, осуществить нужные эксперименты. Специалисты, умеющие работать на современных сложных установках, интерпретировать результаты ― высококвалифицированы, однако, чтобы получить такие навыки, требуется определенное время, и в процессе обучения в аспирантуре это можно сделать.

По словам заведующего молодежной лаборатории нанотехнологий и наноматериалов ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Владимира Александровича Селезнева, новое оборудование ― установка атомно-слоевого осаждения (PEALD, SENTECH, Германия) ― существенно расширяет технологические возможности подразделения.

«С помощью установки мы решаем задачи синтеза высококачественных наноструктур диоксида ванадия и диоксида гафния: например, можно селективно вести рост в заданных нанообластях подложки, синтезировать однородное покрытие на высокоаспектных кремниевых наностержнях (нанообъектах большой высоты с малым латеральным размером. ― Прим. авт.). В частности, мы используем пленки диоксида гафния, толщиной в несколько нанометров, в качестве защитной маски при формировании кремниевых наноструктур», ― комментирует В. Селезнев.

В лаборатории №37 ИФП СО РАН три года назад появилась установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза нитридных гетероструктур «Compact 21-N», производства французской фирмы Riber, позволяющая создавать полупроводниковый материал для СВЧ-электроники за сравнительно короткое время.

В этом году ученые получили возможность бесконтактно проверять параметры синтезируемых объектов, с помощью диагностического прибора ― установки неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM».

Старший научный сотрудник ИФП СО РАН к.ф.-м.н. Дмитрий Протасов за работой на установке неразрушающего измерения карт слоевого сопротивления и подвижности заряда в полупроводниковых структурах «LEI-1618AM» (фото Н. Дмитриевой)

«Новая установка позволяет сэкономить дорогостоящий материал, сократить время производства многослойных полупроводниковых структур ― арсенид-галлиевых и нитрид-галлиевых. Раньше для контроля концентраций подвижности носителей заряда ― основных параметров гетероструктур для СВЧ-транзисторов, нам нужно было изготавливать тестовые структуры, затем вырезать из них образцы, измерять их свойства. Сейчас, с помощью нового оборудования, мы можем проводить контроль бесконтактно, неразрушающими методами и подбирать наилучшие параметры: толщины слоев, уровни легирования, расположения», ― добавляет заведующий лабораторией №37 ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Константин Сергеевич Журавлёв.

Пресс-служба ИФП СО РАН