Подведены итоги региональных конкурсов на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, проводимых совместно Российским фондом фундаментальных исследований и правительством Новосибирской области. Из 95 проектов-победителей пять будут выполняться специалистами Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Один из пяти проектов — под руководством молодого ученого Института.

Поздравляем победителей!

В конкурсе р_а_Новосибирск (на лучшие проекты фундаментальных научных исследований) поддержано 50 заявок, среди них 4 — от сотрудников ИФП СО РАН.

Это проект «Напряженные когерентные сверхрешетки на основе тройных соединений GeSiSn для элементов фотоники ИК диапазона» заведующего лабораторией №16 ИФП СО РАН доктора физико-математических наук Александра Ивановича Никифорова,

проект «Исследование генерации низкотемпературной плазменной струи в микроканалах для малоинвазивного воздействия на биологические объекты» заведующего лабораторией № 36 ИФП СО РАН доктора физико-математических наук Дмитрия Эдуардовича Закревского,

проект «Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для интегрально-оптического модулятора» старшего научного сотрудника лаборатории № 37 ИФП СО РАН кандидата наук Дмитрия Владимировича Гуляева,

проект «Механизмы образования новой графеноподобной модификации нитрида кремния (g-Si3N3) на поверхности Si(111) и возможности ее применения в синтезе силицена» старшего научного сотрудника лаборатории № 37 ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Владимира Геннадьевича Мансурова.

В «молодежном» конкурсе р_мол_а_Новосибирск (на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, выполняемые молодыми учеными) поддержано 45 заявок, среди них заявка научного сотрудника лаборатории № 3 ИФП СО РАН кандидата физико-математических наук Дениса Вячеславовича Ищенко «Получение атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей эпитаксиальных плёнок CdTe для последующей эпитаксии».

Пресс-служба ИФП СО РАН