Разработана технология получения многослойных структур методом
прямого сращивания пластин кремния (ПСК) для создания элементной
базы силовой интеллектуальной микроэлектроники

Тепловизионное изображение двухслойных структур

ПРЕИМУЩЕСТВА ТЕХНОЛОГИИ ПСК высокая воспроизводимость электрофизических параметров рабочего слоя (применение FZ-Si) отсутствие структурных дефектов, свойственных эпитаксиальным слоям возможность встраивания на границе раздела легированных "буферных"слоев n- и p-типа возможность встраивания на границе раздела диэлектрических слоев (КНИ-структуры) низкая стоимость экологическая чистота отсутствие длительных высокотемпературных процессов

ПСК-структуры позволяют обеспечить выпуск сильноточных (I=20-100A) высоковольт ных (U=1000-1700В) транзисторов с вертикальным каналом (МОП, СИТ, IGBT) и быстродействующхе диодов с высоким выходом годных изделий

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ: 1. Рабочий слой Материал FZ-Si (КОФ) Уд. сопротивление, Ом.см 40-350 Толщина, мкм 50-150 2. Подложка: Диаметр, мм 76, 100 Материал Si (КЭМ, КДБ) Уд. сопротивление, Ом.см менее 0,01 Толщина, мкм 360-380

На ПСК-структурах выпущена партия транзисторов со статической индукцией АООТ "НЭВЗ-СОЮЗ" на напряжение 800-1200В, характеризующихся: низкими потерями в открытом состоянии, высоким быстродействием, повышенной ра- диационной стойкостью.

Коммерческие предложения:

• изготовление партий ПСК-структур типа n^--n⁺, n^--p⁺, p^--p⁺;
• разработка технологии создания приборов силовой микро- электроники с вертикальным каналом на ПСК-структурах