Перспективные разработки
![](http://www.isp.nsc.ru/img/lab7_.jpg)
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
![](http://www.isp.nsc.ru/img/labs8_.jpg)
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Сверхбыстродействующие полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором
![](http://www.isp.nsc.ru/img/labs10_.jpg)
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
Institut fur Festkorperphysik and Center of NanoPhotonics Technische Universitat, Berlin
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе
Institut fur Festkorperphysik and Center of NanoPhotonics Technische Universitat, Berlin
![](http://www.isp.nsc.ru/img/razrab3_mini.jpg)
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Гетероструктуры кремний-на-сапфире с ультратонкими и тонкими слоями кремния
![](/img/razrab/14_sm.jpg)
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Свернуть
![](/img/razrab/15_sm.jpg)
Получение p-n переходов с заданной глубиной залегания в эпитаксиальных слоях InP методом локального легирования при диффузии цинка
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Свернуть
![]() |
Главный специалист по выставочной работе Института Придачин Николай Борисович к.ф.-м.н., с.н.с., доцент Тел: +7(383)330-77-02 Факс: +7(383)333-27-71 E-mail: |