Технологии и материалы
Технологический комплекс для производства ГЭС КРТ МЛЭ

Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6

Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6

Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Электронно-оптические преобразователи с полупроводниковыми фотокатодами

Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
Биосенсоры и фильтры на основе нано- и микроканальных мембран

Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и
соединений А3В5

Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках

Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов

Научно-технологический отдел

Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Свернуть

Изготовление матричных фоточувствительных элементов на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Свернуть
![]() |
Главный специалист по выставочной работе Института Придачин Николай Борисович к.ф.-м.н., с.н.с., доцент Тел: +7(383)330-77-02 Факс: +7(383)333-27-71 E-mail: |