Технологии и материалы
Технологический комплекс для производства ГЭС КРТ МЛЭ
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Линейчатые 288х4 и матричные 320х256 инфракрасные фотоприемники на длины волн 8-12 мкм для тепловизионных устройств
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
Неохлаждаемые микроболометрические ФПУ форматом 320х240 и 160х120 для инфракрасного и терагерцового диапазонов
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Электронно-оптические преобразователи с полупроводниковыми фотокатодами
Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
Структуры кремний-на-изоляторе
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Диагностика полупроводниковых материалов
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Биосенсоры и фильтры на основе нано- и микроканальных мембран
Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем
Cоздание физико-технических основ формирования детекторов ядерных излучений нового поколения на базе полупроводниковых и химических технологий, высокочистого кремния и сцинтилляционных кристаллов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и
соединений А3В5
Линейчатый фотоприемный модуль на основе гетероэпитаксиальных структур КРТ с кремниевым КМОП-мультиплексором
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Разработка и создание модулей электронно-оптических преобразователей 4-го и 5-го поколений на основе широкополосного GaAs-фотокатода, микроструктурированного экрана и электронно-чувствительной матрицы на приборах зарядового сдвига
Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках
Разработка технологии создания мощных кремниевых резисторов с низким температурным коэффициентов сопротивления (ТКС)
Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
Терабитная энергонезависимая память на эффекте локализации электронов в кремниевых квантовых точках
Научно-технологический отдел
Кремний для современной электроники
Научно-технологический отдел
Молекулярно-лучевая эпитаксия структур на основе соединений III-V для полевых СВЧ транзисторов
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
Многослойные структуры на кремнии
Лаборатория физических основ материаловедения кремния
Свернуть
Изготовление матричных фоточувствительных элементов на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами
Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
Свернуть
Главный специалист по выставочной работе Института Придачин Николай Борисович к.ф.-м.н., с.н.с., доцент Тел: +7(383)330-77-02 Факс: +7(383)333-27-71 E-mail: |