Разработана технология получения гетероструктур GaAs на подложках Si с плотностью прорастающих дислокаций не превышающих 1×10⁶ см^-2 и среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 1 нм на поле 100 мкм×100 мкм при толщине пленки GaAs 4 мкм. Разработанная технология может быть использована для монолитная интеграция приборов полупроводниковых соединений AIIIBV с КМОП устройствами на кремнии. Такая интеграция становится все более привлекательной в связи с тем, что КМОП устройства подходят к пределу масштабирования и возникает спрос на применение таких систем. Возможности традиционных подходов к гетерогенной интеграции AIIIBV с КМОП чипами таких как, соединение элементов на различных материалах проводниками или технология переноса чипов (flip-chip), сильно ограничены надежностью и производительностью этих операций.

Рис. Изображение поверхности гетероструктуры GaAs/Si, полученное в атомно-силовом микроскопе. Среднеквадратичная шероховатость поверхности rms = 0,7 нм.

Технико-экономические преимущества

Основные характеристики КНИ КМОП транзисторов и элементов ИС:

Область применения

Разработанные технологии позволят создать ряд монолитных GaAs – КМОП-Si структур, пригодных для использования в качестве основы при разработке СБИС нового поколения. Это позволит расширить эксплуатационные диапазоны элементной базы ВВСТ: навигационных систем авиационно-космического базирования, систем связи и управления, разрабатываемых в России.

Монолитные GaAs – КМОП-Si структуры являются базовой технологией, имеющей двойное применение, и её реализация позволит:
- создать высокоэффективные отечественные комплектующие изделия на основе монолитных GaAs – КМОП-Si структур, не уступающие мировому уровню;
- обеспечить новый технологический уровень для широкого класса аналоговых и цифровых устройств микроэлектроники.