Рис. Cхема ГЭС КРТ МЛЭ (АГ).
Основные технические характеристики
По показателям толщины и состава эпитаксиальных слоев ГЭС КРТ МЛЭ (АГ) должны соответствовать значениям, приведенным в таблице 1.
Таблица 1Наименование слоя | Толщина | Cостав (мольная доля CdTe) | ||||
Номинальное значение | Предельное отклонение | Разброс по площади | Номинальное значение | Предельное отклонение | Разброс* ΔxCdTe/ΔL | |
мкм | % | % | xCdTe | xCdTe | см-1 | |
1-й буферный слой ZnTe | 0,1...1 | 20 | 10 | - | - | - |
2-й буферный слой CdTe | 5...8 | 10 | 10 | 1 | - | - |
Высоколегированный слой** | 2...5 | 0,24...0,26 | ±0,005 | - | ||
Нижний варизонный слой | 0,5...1,5 | 10 | 10 | Монотонно уменьшается до значения в фоточувствительном слое перепадом состава ΔxCdTe от 0,1 до 0,4 | ||
Фоточувствительный слой | 4...12 | 10 | 10 | 0,2...0,23 | ±0,005 | ≤0,002 |
Верхний варизонный слой | 0,1...0,5*** | 10 | 10 | Монотонно увеличивается до значения в фоточувствительном слое с перепадом состава ΔxCdTe от 0,1 до 0,4 | ||
*) Определяется между двумя произвольно взятыми точками на поверхности ГЭС КРТ МЛЭ, удаленными друг от друга на расстояние ΔL = 1 см | ||||||
**) Высоколегированный слой выращивается в зависимости от типа ФП | ||||||
***) Допускается по согласованию с потребителем поставка ГЭС КРТ МЛЭ без верхнего варизонного слоя или с увеличенной толщиной верхнего варизонного слоя |
Электрофизические и фотоэлектрические параметры ГЭС КРТ МЛЭ должны соответствовать нормам, приведенным в таблице 2 для составов фоточувствительного слоя ХCdTe =0,2 0,23 (параметры измеряются при температуре 77 К).
Таблица 2№ п/п | Наименование параметра | Единицы измерения | Номинальное значение |
1 | Тип проводимости | - | Электронный (марка Э) |
1.1 | Концентрация основных носителей заряда | см-3 | (2...5)×1014 |
1.2 | Подвижность основных носителей заряда | см2/В·с | ≥105 |
1.3 | Время жизни неравновесных носителей заряда | нс | ≥1000 |
2 | Тип проводимости | - | Дырочный (марка Д) |
2.1 | Концентрация носителей | см-3 | (5....20)·1015 |
2.2 | Подвижность | см2/В·с | ≥400 |
2.3 | Время жизни носителей | нс | ≥10 |
Геометрические размеры, плотность ямок травления и морфологических V-дефектов ГЭС КРТ МЛЭ приведены в таблице 3.
Таблица 3№ п/п | Наименование параметра | Единицы измерения | Номинальное значение |
1 | Диаметр | мм | 50,8±0,4 и 76,2±0,4 |
2 | Толщина | мм | 0,4±00,2 |
3 | Базовый срез (011) | мм | 20±1 |
4 | Плотность V-дефектов | см-2 | ≤1000 |
5 | Плотность ямок травления (дислокаций) | см-2 | ≤106 |
ГЭС КРТ МЛЭ обеспечивают следующие требования по назначению:
- изготовление фоторезистивных и фотодиодных фоточувствительных элементов (ФЧЭ);
- рабочая температура (77+5) К;
- нагрев до 1000С в течение не более 1 часа;
- изготовление матричных фотодиодных фоточувствительных элементов форматом до 1024×1024;
- изготовление линейчатых фоторезистивных фоточувствительных элементов до 128 в одной линейке;
- эффективное поглощение излучения в спектральном диапазоне 8 – 12 мкм.
Области применения
ГЭС КРТ МЛЭ (АГ) предназначены для разработки и производства инфракрасных фотоприемников (ИК ФП) в том числе линейчатых и матричных на диапазоны длин волн 8-12 мкм.