Характеристика

Установка в зависимости от направлений её использования может состоять из нескольких специализированных вакуумных камер: камеры загрузки-выгрузки пластин-подложек с кассетной загрузкой (2 кассеты по 7 пластин диаметром 102 мм); камеры эпитаксиального роста элементарных полупроводников (Si,Ge), металлических, диэлектрических слоев снабжаются электронно-лучевыми испарителями, газовыми и плазменными источниками; камеры для выращивания полупроводниковых соединений типа А₃В₅, A₃N и А₂В₆ могут содержать до 12 молекулярных источников, в том числе вентильного типа для сурьмы, фосфора, мышьяка и т.д. Все камеры оборудуются разработанными и изготавливающимися в ИФП СО РАН дифрактометрами быстрых электронов и автоматическими быстродействующими лазерными эллипсометрами - устройствами для неразрушающего контроля структуры и свойств получаемых наногетероструктур в процессе их синтеза. Возможна комбинация рабочих камер в любом порядке. Транспорт подложек между рабочими камерами автоматизирован. Установка оборудована системой компьютерного управления и пакетом программ для проведения технологических процессов. Скорости роста пленочных структур от долей атомного слоя до микронов в час.

В комплекте с установкой или отдельно могут поставляться:

• тигли из пиролитического нитрида бора различных размеров, обработанные по оригинальной методике в соответствии с требованиями эпитаксиальной технологии;
• тигельные, вентильные и электронно-лучевые источники молекулярных пучков;
• электронные дифрактометры (ускоряющее напряжение до 30 кВ) с системой для регистрации дифракционных картин и анализа их интенсивности с программным обеспечением;
• автоматизированные эллипсометры для регистрации оптических, морфологических, магнитных параметров и толщины тонкопленочных структур в процессе их получения и после;
• оптические пирометры;
• блоки питания и управления технологическими процессами с программным обеспечением.

Двухкамерный вариант установки "Катунь-100" на сборочном участке в ИФП СО РАН им. А.В. Ржанова

Технико-экономические преимущества

• компактность, низкая стоимость и экономичность;
• новизна и оригинальность технологических решений (защищены патентами и ноу-хау);
• экономия расходных материалов и высокие характеристики эпитаксиальных структур при низкой себестоимости технологического процесса;
• автоматическая загрузка-выгрузка пластин-подложек;
• отсутствие магнитных манипуляторов и связанных с ними переменных магнитных полей;
• автоматизированная система управления технологическим процессом в комплекте с силовыми блоками питания и системой точного терморегулирования, снабженная оригинальным программным обеспечением, позволяет проводить технологические процессы в автоматическом режиме;
• удобство как для лабораторного университетского, так и для промышленного использования.

Области применения

Проведение экспериментальных исследований и промышленно- ориентированных разработок в области физики конденсированного состояния и синтеза полупроводниковых и металлических наноструктур. Обучение специалистов в области нанотехнологий. Производство многослойных гетероэпитаксиальных структур для элементной базы микро- нано- и оптоэлектроники (СВЧ-приборы, фотопреобразующие, светоизлучающие и фотоприемные устройства, навигационное оборудование, лазерные и телекоммуникационные системы, спутниковое телевидение и т.д).

Год разработки - 2008