Зенкевич Андрей Владимирович, кандидат физико-математических наук, Заведующий лабораторией функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Московского физико-технического института (Национального исследовательского университета), Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
Почтовый адрес: 141701, Московская область, г. Долгопрудный, Институтский переулок, д.9., E-mail организации: , Web-сайт: http://mipt.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Жук, М. Ю., Чуприк, А. А., Кузмичев, Д. С., Горнев, Е. С., Красников, Г. Я., Негров, Д. В., Зенкевич, А. В., Низкопотребляющая встроенная энергонезависимая резистивная память на основе TaOx //Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – №. S4. – С. 572-574.
2. Кондратюк, Е. В., Чуприк, А. А., Михеев, В. В., Черникова, А. Г., Козодаев, М. Г., Маркеев, А. М., Зенкевич, А. В., Негров, Д. В., Влияние объемных дефектов и поверхностных состояний на характеристики функциональной структуры FeFET на основе сегнетоэлектрического HfO2-слоя //Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – №. S4. – С. 210-211.
3. Mikheev, V., Chouprik, A., Lebedinskii, Y., Zarubin, S., Markeev, A. M., Zenkevich, A. V., & Negrov, D., Memristor with a ferroelectric HfO2 layer: in which case it is a ferroelectric tunnel junction //Nanotechnology. – 2020. – Т. 31. – №. 21. – С. 215205.
4. Zhuk, M. Y., Sizykh, N. A., Kuzmichev, D. S., Chouprik, A. A., Zarubin, S. S., Gornev, E. S., & Zenkevich, A. V., Effect of Electrode Nanopatterning on the Functional Properties of Ta/TaO x/Pt Resistive Memory Devices //ACS Applied Nano Materials. – 2022. – Т. 5. – №. 6. – С. 8594-8601.
5. Егоров, А., Маврицкий, О., Холина, М., Зенкевич, А., Володина, Н., Моделирование импульсного лазерного отжига сегнетоэлектрических структур на основе HZO //XII международная конференция по фотонике и информационной оптике. – 2023. – с. 365-367.
6. Михеев, В. В., Чуприк, А. А., Лебединский, Ю. Ю., Зарубин, С. С., Маркеев, А. М., Зенкевич, А. В., Негров, Д. В., Мемристор на основе сегнетоэлектрического оксида гафния: взаимодействие двух механизмов резистивного переключения в одном устройстве //Наноиндустрия. – 2020. – Т. 13. – №. S4. – С. 585-586.
7. Дмитриева, А. В., Мутаев, А. И., Лебединский, Ю. Ю., Горнев, Е. С., Красников, Г. Я., Зенкевич, А. В., Исследование мемристорных устройств на основе функциональных SiOx (x≈ 1), полученных методом плазмохимического осаждения //Международный форум «Микроэлектроника-2019» 5-я Международная научная конференция «Электронная компонентная база и микроэлектронные модули». – 2019. – С. 531-533.

Игуменов Игорь Константинович, доктор химических наук, профессор, Главный научный сотрудник, Лаборатория химии летучих координационных и металлорганических соединений, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук
Почтовый адрес: 630090 г.Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева 3, тел. +7(383)333-05-54, e-mail: , Web-сайт: http://www.niic.nsc.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Turgambaeva, A. E., Zherikova, K. V., Mosyagina, S. A., Krisyuk, V. V., Lukashov, V. V., & Igumenov, I. K., Thermal Behavior of Mixtures of Zirconium (IV) and Yttrium (III) Dipivaloylmethanates //Russian Journal of Applied Chemistry. – 2021. – Т. 94. – №. 4. – С. 450-456.
2. Kuchumov, B. M., Zabuslaev, S. V., Shevtsov, Y. V., Shubin, Y. V., Trubin, S. V., Romanenko, A. I., & Igumenov, I. K., Chemical Composition, Structure, and Functional Properties of the Coatings of Microchannel Plate Channels //Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. – 2019. – Т. 13. – С. 451-455.
3. Vasilyeva I.G., Vikulova E.S., Morozova N.B., Igumenov I.K., Pochtar A.A. Invisible surface oxygen vacancies in a thin MgO film: impacts on the chemical activity and secondary electron emission, Inorganic Chemistry. 2020. Т. 59. № 24. С. 17999-18009.
4. Головнев, И. Ф., Кучумов, Б. М., Пирязев, Д. А., Игуменов, И. К., Гибридный метод расчета потенциалов межмолекулярного взаимодействия многоатомных молекул в газовой фазе //Журнал структурной химии. – 2020. – Т. 61. – №. 5. – С. 713-721.
5. Lukashov, V. V., Turgambaeva, A. E., & Igumenov, I. K., Analytical Model of the Process of Thermal Barrier Coating by the MO CVD Method //Coatings. – 2021. – Т. 11. – №. 11. – С. 1390.
6. Krisyuk, V. V., Baidina, I. A., Romanenko, G. V., Kryuchkova, N. A., Shayapov, V. R., Komarov, V. Y., Igumenov, I. K., Structural Diversity and Spectral Properties of the Crystals of Heterometallic Complexes Derived from TM (acacen) and Pb (diketonate) 2, TM= Cu, Ni, Pd //Crystal Growth & Design. – 2020. – Т. 20. – №. 11. – С. 7260-7270.

Новиков Алексей Витальевич, к.ф.-м.н., доктор физико-математических наук, директор, заведующий лабораторией молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур отдела физики полупроводников
Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук», Web-сайт: www.ipmras.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. D.N. Lobanov, K.E. Kudryavtsev, M.I. Kalinnikov, L.V. Krasilnikova, P.A. Yunin, E.V. Skorokhodov, M.V. Shaleev, A.V. Novikov, B.A. Andreev, Z.F. Krasilnik, “Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE”, Appl. Phys. Lett. 118, 151902-6 (2021).
2. Yurasov, D.V., Baídakova, N.A., Verbus, V.A., Gusev, N.S., Morozova, E.E., Shengurov, D.V., Yablonskiy, A.N., Novikov, A.V. Formation and Optical Properties of Locally Strained Ge Microstructures Embedded into Cavities (2021) Semiconductors, 55 (6), pp. 531-536.
3. Novikov, A.V., Smagina, Z.V., Stepikhova, M.V., Zinovyev, V.A., Rudin, S.A., Dyakov, S.A., Rodyakina, E.E., Nenashev, A.V., Sergeev, S.M., Peretokin, A.V., Dvurechenskii, A.V. One-stage formation of two-dimensional photonic crystal and spatially ordered arrays of self-assembled ge(Si) nanoislandson pit-patterned silicon-on-insulator substrate. (2021) Nanomaterials, 11 (4), статья № 909,
4. Nguyen, V.H., Novikov, A., Shaleev, M., Yurasov, D., Semma, M., Gotoh, K., Kurokawa, Y., Usami, N. Impact of Ge deposition temperature on parameters of c-Si solar cells with surface texture formed by etching of Si using SiGe islands as a mask. (2020) Materials Science in Semiconductor Processing, 114, статья № 105065,
5. D.V. Yurasov, A.V. Novikov, N.A. Baidakova, V.Ya. Aleshkin, P.A. Bushuykin, B.A. Andreev, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, A.N. Yablonskiy, A.A. Dubinov, Z.F. Krasilnik, “Effect of antimony doping on the energy of optical transitions in n-Ge layers grown on Si (001) and Ge (001) substrates”, Journal of Applied Physics 127, 165701-9 (2020);
6. Yurasov, D.V., Baidakova, N.A., Verbus, V.A., Gusev, N.S., Mashin, A.I., Morozova, E.E., Nezhdanov, A.V., Novikov, A.V., Skorohodov, E.V., Shengurov, D.V., Yablonskiy, A.N. Locally Strained Ge/SOI Structures with an Improved Heat Sink as an Active Medium for Silicon Optoelectronics (2019) Semiconductors, 53 (10), pp. 1324-1328.
7. Yurasov, D.V., Baidakova, N.A., Drozdov, M.N., Morozova, E.E., Kalinnikov, M.A., Novikov, A.V. Influence of Annealing on the Properties of Ge:Sb/Si(001) Layers with an Antimony Concentration Above Its Equilibrium Solubility in Germanium (2019) Semiconductors, 53 (7), pp. 882-886.
8. Ota, Y., Yurasov, D., Novikov, A., Shaleev, M., Gotoh, K., Kurokawa, Y., Usami, N. Impact of size distributions of Ge islands as etching masks for anisotropic etching on formation of anti-reflection structures (2019) Japanese Journal of Applied Physics, 58 (4), статья № 045505, .
9. Yurasov, D.V., Novikov, A.V., Baidakova, N.A., Morozova, E.E., Yunin, P.A., Shengurov, D.V., Antonov, A.V., Drozdov, M.N., Krasilnik, Z.F. Influence of thermal annealing on the electrical and luminescent properties of heavily Sb-doped Ge/Si(001) layers (2018) Semiconductor Science and Technology, 33 (12), статья № 124019, .
10. Novikov, A.V., Yurasov, D.V., Morozova, E.E., Skorohodov, E.V., Verbus, V.A., Yablonskiy, A.N., Baidakova, N.A., Gusev, N.S., Kudryavtsev, K.E., Nezhdanov, A.V., Mashin, A.I. Formation and Properties of Locally Tensile Strained Ge Microstructures for Silicon Photonics (2018) Semiconductors, 52 (11), pp. 1442-1447.
11. D.V. Yurasov, A.V. Antonov, M.N. Drozdov, P.A. Yunin, B.A. Andreev, P.A. Bushuykin, N.A. Baydakova, A.V. Novikov, «Structural and electrical properties of Ge-on-Si(001) layers with ultra heavy n-type doping grown by MBE», J. Crystal Growth 491, 26-30 (2018)
12. D.V. Yurasov, A.V. Novikov, M.V. Shaleev, N.A. Baidakova, E.E. Morozova, E.V. Skorokhodov, Y. Ota, A. Hombe, Y. Kurokawa, N. Usami, “Formation of black silicon using SiGe self-assembled islands as a mask for selective anisotropic etching of silicon”, Materials Science in Semiconductor Processing 75, 143-148 (2018).
13. N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A.Rikov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik, “MOCVD growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures with quantum wells on Ge/Si substrates”, Crystals 8, 311 (2018)
14. B.A. Andreev, K.E. Kudryavtsev, A.N Yablonskiy, D.N. Lobanov, P.A. Bushuykin, L.V. Krasilnikova, E.V. Skorokhodov, P.A. Yunin, A.V. Novikov, V.Yu Davydov, Z.F. Krasilnik, “Towards the indium nitride laser: obtaining infrared stimulated emission from planar monocrystalline InN structures”, Scientific Reports (2018) 8:9454
15. Yurasov, D.V., Antonov, A.V., Drozdov, M.N., Yunin, P.A., Andreev, B.A., Bushuykin, P.A., Baydakova, N.A., Novikov, A.V. Structural and electrical properties of Ge-on-Si(0 0 1) layers with ultra heavy n-type doping grown by MBE. (2018) Journal of Crystal Growth, 491, pp. 26-30.

Вывенко Олег Федорович, доктор физико-математических наук, профессор, физический факультет, Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный университет» , Web-сайт: www. spbu.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Danilov, D., Vyvenko, O., Loshachenko, A., & Sobolev, N. (2022). Electron Emission from the Electronic States of Oxygen Precipitates in Oxygen‐Implanted Silicon. physica status solidi (a), 219(7), 2100662.
2. Danilov, D., Vyvenko, O., Loshachenko, A., & Sobolev, N. (2022). Electron Emission from the Electronic States of Oxygen Precipitates in Oxygen‐Implanted Silicon. physica status solidi (a), 219(7), 2100662.
3. Shapenkov, S., Vyvenko, O., Ubyivovk, E., & Mikhailovskii, V. (2022). Fine core structure and spectral luminescence features of freshly introduced dislocations in Fe-doped GaN. Journal of Applied Physics, 131(12), 125707.
4. Petrov, Y. V., Grigoyev, E. A., Sharov, T. V., Ubiyvovk, E. V., Baraban, A. P., & Vyvenko, O. F. (2020, September). Nanofabrication by means of defect engineering with a focused helium ion beam. In CMD 2020 GEFES.
5. Danilov, D. V., Vyvenko, O. F., Loshachenko, A. S., & Sobolev, N. A. (2020, March). Peculiarities of electron emission from high-density deep levels of nanodefects in oxygen-implanted silicon. In Journal of Physics: Conference Series (Vol. 1482, No. 1, p. 012003). IOP Publishing.
6. Danilov, D., Vyvenko, O., Loshachenko, A., & Sobolev, N. (2019). Peculiarity of Electric Properties of Oxygen‐Implanted Silicon at Early Precipitation Stages. physica status solidi (a), 216(17), 1900327.
7. Trushin, M., Varlamov, A., Loshachenko, A., Vyvenko, O., & Kittler, M. (2019, May). Combined DLTS/MCTS investigations of deep electrical levels of regular dislocation networks in silicon. In Journal of Physics: Conference Series (Vol. 1190, No. 1, p. 012005). IOP Publishing.
8. Danilov, D., Vyvenko, O., Trushin, M., Loshachenko, A., & Sobolev, N. (2019, May). Oxygen precipitate positive charge evolution upon annealing of oxygen implanted silicon. In Journal of Physics: Conference Series (Vol. 1190, No. 1, p. 012016). IOP Publishing.
9. Anikeva, A. E., Petrov, Y. V., & Vyvenko, O. F. (2019, January). Secondary electron energy distribution from insulators in helium ion microscope. In AIP Conference Proceedings (Vol. 2064, No. 1, p. 020001). AIP Publishing LLC.
10. Vyvenko, O., & Bondarenko, A. (2019). Crystal lattice defects as natural light emitting nanostructures in semiconductors. In Progress in Photon Science (pp. 405-436). Springer, Cham.
11. Bondarenko, A., & Vyvenko, O. (2018). Band-like behavior of localized states of metal silicide precipitate in silicon. Journal of Electronic Materials, 47(9), 4975-4979.
12. Petrov, Y. V., Anikeva, A. E., & Vyvenko, O. F. (2018). Helium ion beam induced electron emission from insulating silicon nitride films under charging conditions. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 425, 11-17.
13. Maksimova, K. Y., Kozlov, A. A., Shvets, P. V., Koneva, U. Y., Yurkevich, O. V., Lebedev, O. I., ... & Goikhman, A. Y. (2018). Copper-Stabilized Si/Au Nanowhiskers for Advanced Nanoelectronic Applications. ACS omega, 3(2), 1684-1688.

Плюснин Николай Иннокентьевич, Старший научный сотрудник, Научно-исследовательский центр, Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования «Военная орденов Жукова и Ленина Краснознаменная академия связи имени маршала Советского Союза С.М. Буденного» министерства обороны Российской Федерации , Web-сайт: vas.mil.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Плюснин Н.И. СТРАТИФИКАЦИЯ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА Fe/ Si(001)2×1 ОТЖИГОМ СМАЧИВАЮЩЕГО СЛОЯ. Журнал технической физики, 2022 (в печати)
2. PLYUSNIN, N.I., USACHEV, P.A. and PAVLOV, V.V., 2022. Effect of thickness and annealing of the Si(001)2×1-Cu wetting layer on the morphology of layered nanofilms based on Fe, Co, and Cu and their ferromagnetic properties. St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics, vol. 15, no. 3.1, pp. 131–136. DOI 10.18721/JPM.153.122.
3. Influence of Structure-Phase State on Surface Morphology of FeSi2 Nanofilms During RBE-MBE Growth on Si (001) 2× 1 NI Plusnin Solid State Phenomena 312, 62-67 2020
4. Formation of Fe2Si Wetting Coating on Si (001) 2× 1 and Growth of a Stable Fe Nanolayer: AES and EELS Study NI Plusnin, AM Maslov, VM Il’yashenko Solid State Phenomena 312, 9-14 2020
5. Феноменологические модели зарождения и роста металла на полупроводнике НИ Плюснин Физика твердого тела 61 (12), 2421-2424 2 2019
6. Atomic-Force Microscopy Probe-Activated Morphological Transformations in a Nanophase Copper Wetting Layer on Silicon NI Plusnin, AM Maslov Technical Physics Letters 44 (3), 187-190 2018
7. Формирование нанофазного смачивающего слоя и рост металла на полупроводнике НИ Плюснин Письма в Журнал технической физики 44 (21), 64-72 2018
8. Морфологические превращения в нанофазном смачивающем слое меди на кремнии, активированные давлением зонда атомно-силового микроскопа НИ Плюснин, АМ Маслов Письма в ЖТФ 5, 16-24 1 2018
9. Evolution of Optical Spectra at the Initial Stages of Fe Growth on Si (001) AM Maslov, NI Plusnin Defect and Diffusion Forum 386, 15-20 4 2018
10. Wetting Layer and Formation of Metal-Semiconductor Interface NI Plusnin Defect and Diffusion Forum 386, 9-14 5 2018
11. Subnanophase coatings as new type low-dimensional nanomaterials: Ultra-high-vacuum synthesis, properties and application, N Pliusnin, Characterization and Application of Nanomaterials 3 (2), 81-86, 2020
12. From atomic-scale interfaces—To new nanomaterials, N Plusnin, Characterization and Application of Nanomaterials 2 (2), 54-59, 2019

Андреева Наталья Владимировна, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник НОЦ «Нанотехнологии», доцент кафедры Микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Organismic memristive structures with variable functionality for neuroelectronics / Andreeva N. V., Ryndin E. A., Mazing D. S., Vilkov O. Y., Luchinin V. V. // Frontiers in Neuroscience. – 2022. – Vol. 16. – P. 913618. DOI 10.3389/fnins.2022.913618.
2. Compact Model for Bipolar and Multilevel Resistive Switching in Metal-Oxide Memristors / Ryndin E. A., Andreeva N. V., Luchinin V. V. // Micromachines. – 2022. – Vol. 13. – No. 1. – P. 98. DOI 10.3390/mi13010098.
3. Contact engineering approach to improve the linearity of multilevel memristive devices / Andreeva N. V., Mazing D. S., Romanov A. A., Gerasimova M. I., Chigirev D. A., Luchinin V. V. // Micromachines. – 2021. – Vol. 12, No 1. – 1567. DOI 10.3390/mi12121567.
4. Electron impact processes in voltage-controlled phase transition in vanadium dioxide thin films / Andreeva N. V., Turalchuk P. A., Chigirev D. A., Vendik I. B., Ryndin E. A., Luchinin V. V. // Chaos, Solitons and Fractals. – 2021. – Vol. 142. – P. 110503. DOI 10.1016/j.chaos.2020.110503.
5. Bipolar resistive switching properties of titanium dioxide thin films deposited by different techniques / Gerasimova M. I., Ivanov A. S., Mazing D. S., Chigirev D. A., Andreeva N. V. // Journal of Physics: Conference Series. – 2020. – Vol. 1697. – No. 1. – P. 012129. DOI 10.1088/1742-6596/1697/1/012129.
6. Mechanisms of electron transport in BaTiO3 ultrathin epitaxial films in the temperature range 40 K – 295 K / Andreeva N. V., Petrov A. A., Petraru A., Petukhov A. E., Rybkin, A. G. // Materials Research Express. – 2019. – Vol. 6. – No. 2. – P. 026427. DOI 10.1088/2053-1591/aaf24f.
7. Multilevel resistive switching in TiO2/Al2O3 bilayers at low temperature / Andreeva N. V., Ivanov A. S., Petrov A. A // AIP Advances. – 2018. – Vol. 8. – No. 2. – P. 025208. DOI 10.1063/1.5019570.
8. Mechanism of electron transport and bipolar resistive switching in lead oxide thin films / Petrov A. A., Andreeva N. V., Ivanov A. S. // AIP Advances. – 2018. – Vol. 8. – No. 10. – P. 105015. DOI 10.1063/1.5041839.

Лебедев Михаил Сергеевич, кандидат химических наук, старший научный сотрудник, лаборатория металлоорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов, Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт неорганической химии им. А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук
Почтовый адрес: 630090 г.Новосибирск, пр. ак. Лаврентьева 3, тел. +7(383)333-94-90, e-mail: , Web-сайт: http://www.niic.nsc.ru , отзыв

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Rational Design on Polymorphous Phase Switching in Molybdenum Diselenide-Based Memristor Assisted by All-Solid-State Reversible Intercalation toward Neuromorphic Application / Lee L., Chiang C. H., Shen Y. C., Wu S. C., Shih Y. C., Yang T. Y., Hsu Y. C., Cyu R. H., Yu Y. J., Hsieh S.H., Chen C. H., Lebedev M. S., Chueh Y. L. //ACS nano. – 2023. – Vol. 17. – No. 1. – P. 84-93. DOI 10.1021/acsnano.2c04356.
2. The Structural and Electrical Properties of High-K Hf-Sm-O Thin Films Prepared by Atomic Layer Deposition / Petukhova D. E., Kichay V. N., Lebedev M. S. //2023 IEEE 24th International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM). – IEEE, 2023. – P. 40-44. DOI 10.1109/EDM58354.2023.10225098.
3. Особенности роста и фазовый состав тонких пленок Hf-Sc-O, синтезированных методом атомно-слоевого осаждения / Петухова Д. Е., Викулова Е. С., Корольков И. В., Хмель С. Я., Лебедев М. С. //Журнал структурной химии. – 2023. – Т. 64. – №. 3. – С. 107605. DOI:10.26902/JSC_id107605.
4. Modeling of the optical properties of black silicon passivated by thin films of metal oxides / Katkov M. V., Ayvazyan G. Y., Shayapova V. R., Lebedev M. S. //Journal of Contemporary Physics (Armenian Academy of Sciences). – 2020. – Vol. 55. – P. 16-22. DOI 10.3103/S106833722001003X
5. Optical properties and charge transport of textured Sc2O3 thin films obtained by atomic layer deposition / Lebedev M. S., Kruchinin V. N., Afonin M. Yu., Korolkov I. V., Saraev A. A, Gismatulin A. A., Gritsenko V. A. //Applied Surface Science. – 2019. – Vol. 478. – P. 690-698. DOI 10.1016/j.apsusc.2019.01.288.
6. Composition-sensitive growth kinetics and dispersive optical properties of thin HfxTi1−xO2 (0 ≤ x ≤ 1) films prepared by the ALD method / Atuchin V. V., Lebedev M. S., Korolkov I. V., Kruchinin V. N., Maksimovskii E. A., Trubin S. V. //Journal of Materials Science: Materials in Electronics. – 2019. – Vol. 30. – P. 812-823. DOI 10.1007/s10854-018-0351-z.
7. Low-temperature fabrication of SiOx-TiO2 core-shell nanowires for photocatalytic application / Lebedev M. S., Khmel S. Y., Lyulyukin, M. N., Petukhova D. E., Barsukov, A. V. //Vacuum. – 2019. – Vol. 165. – P. 51-57. DOI 10.1016/j.vacuum.2019.03.059
8. Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода / Исламов Д. Р., Гриценко В. А., Кручинин В. Н., Иванова Е. В., Заморянская М. В., Лебедев М. С. //Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60. – №. 10. – С. 2006-2013. – DOI 10.21883/FTT.2018.10.46532.114
9. Research of Atomic Layer Deposited HfO2/TiO2 Multilayer Structures by Spectroscopic and Multiangle Monochromatic Null Ellipsometry / Mishchenko I. B., Petukhova D. E., Lebedev M. S. //2018 19th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM). – IEEE, 2018. – P. 26-29. DOI 10.1109/EDM.2018.8434943.

Авакян Леон Александрович, доктор физико-математических наук, профессор Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования "Южный федеральный университет";

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Bulina N. V.; Avakyan L. A.; Makarova S. V.; Orehov I. B.; Bystrov V. S. Structural Features of Oxyapatite. Minerals 2023, 13(1), 102.
2. Sukharina G.; Ermakova A.; Alekseev R.; Shakhgildyan G.; Veligzhanin A.; Avakyan L.; Bugaev L.; Sigaev V. Effect of B2O3 concentration on the local atomic structure of lanthanum in lanthanum-borate glasses: XANES study and the principle of crystal-chemical similarity of the short-range order in glasses and crystals. Journal of Non-Crystalline Solids 2023, 616, 122454.
3. Srabionyan V. V.; Avakyan L. A.; Durymanov V. A.; Rubanik D. S.; Viklenko I. A.; Skunova A. V.; Bugaev L. A. Atomic structure and optical properties of color centers of silver in AgAu/glass irradiated by UV laser. J. Phys. Chem. Solids 2023, 179, 111412.
4. Alekseev R.; Avakyan L.; Shakhgildyan G.; Komandin G.; Savinkov V.; Romanov N.; Veligzhanin A.; Lebedev S.; Ermakova A.; Sukharina G.; Bugaev L.; Sigaev V. Local atomic structure of the high refractive index La2O3–Nb2O5–B2O3 glasses. J. Alloy Compd. 2022, 917, 165357.
5. Avakyan L.; Tolchina D.; Barkovski V.; Belenov S.; Alekseenko A.; Shaginyan A.; Srabionyan V.; Guterman V.; Bugaev L. Ultimate sensitivity of radial distribution functions to architecture of PtCu bimetallic nanoparticles. Comput. Mater. Sci. 2022, 208, 111326.
6. Bystrov V. S.; Paramonova E. V.; Bystrova A. V.; Avakyan L. A.; Bulina N. V. Structural and physical properties of Sr/Ca and Mg/Ca substituted hydroxyapatite: modeling and experiments. Ferroelectrics 2022, 590(1), 41-48.
7. Likhachev I.; Balabaev N.; Bystrov V.; Paramonova E.; Avakyan L.; Bulina N. Molecular Dynamics Simulation of the Thermal Behavior of Hydroxyapatite. Nanomaterials 2022, 12(23), 4244.
8. Gyulasaryan H.; Avakyan L.; Emelyanov A.; Sisakyan N.; Kubrin S.; Srabionyan V.; Ovcharov A.; Dannangoda C.; Bugaev L.; Sharoyan E.; Angelakeris M.; Farle M.; Spasova M.; Martirosyan K.; Manukyan A. Iron-cementite nanoparticles in carbon matrix: Synthesis, structure and magnetic properties. J. Magn. Magn. Mater. 2022, 559, 169503.
9. Avakyan L.; Paramonova E.; Bystrov V.; Coutinho J.; Gomes S.; Renaudin G. Iron in Hydroxyapatite: Interstitial or Substitution Sites? Nanomaterials 2021, 11(11), 2978.
10. Pryadchenko V. V.; Sukharina G. B.; Ermakova A. M.; Bazovaya S. V.; Kurzina T. I.; Durymanov V. A.; Tolstopyatenko V. A.; Srabionyan V. V.; Avakyan L. A.; Bugaev L. A. Local Structure of Copper Centers Obtained during Solid-Phase Synthesis in Copper–Mordenite Zeolite. Technical Physics 2021, 66(9), 1018-1024.
11. Bystrov V.; Paramonova E.; Avakyan L.; Coutinho J.; Bulina N. Simulation and Computer Study of Structures and Physical Properties of Hydroxyapatite with Various Defects. Nanomaterials 2021, 11(10), 2752.
12. Avakyan L.; Manukyan A.; Bogdan A.; Gyulasaryan H.; Coutinho J.; Paramonova E.; Sukharina G.; Srabionyan V.; Sharoyan E.; Bugaev L. Synthesis and structural characterization of iron-cementite nanoparticles encapsulated in carbon matrix. J. Nanopart. Res. 2020, 22, 30.
13. Bystrov V. S.; Coutinho J.; Avakyan L. A.; Bystrova A. V.; Paramonova E. V. Piezoelectric, ferroelectric, and optoelectronic phenomena in hydroxyapatite with various defect levels. Ferroelectrics 2020, 559(1), 45–55.
14. Avakyan L. A.; Durimanov V.; Nemesh D.; Srabionyan V.; Ihlemann J.; Bugaev L. Theoretical approach for calculation of dielectric functions of plasmonic nanoparticles of noble metals, magnesium and their alloys. Optical Materials 2020, 109, 110264.
15. Bystrov V. S.; Avakyan L. A.; Paramonova E. V.; Coutinho J. Sub-Band Gap Absorption Mechanisms Involving Oxygen Vacancies in Hydroxyapatite. J. Phys. Chem. C 2019, 123(8), 4856–4865.

Ельцов Константин Николаевич, доктор физико-математических наук, заведующий отделом технологий и измерений атомного масштаба, заведующий кафедрой квантовых технологий Федерального государственного бюджетного учреждения науки Федерального исследовательского центра «Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН»

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Pavlova T. V.; Shevlyuga V.M.; Andryushechkin B. V., Eltsov K. N. Dangling bonds on the Cl- and Br-terminated Si(100) surfaces. Appl. Surf. Sci. 2022, 591, 153080.
2. Pavlova T. V., Eltsov K. N. Reactivity of the Si(100)-2 × 1-Cl surface with respect to PH3, PCl3, and BCl3: comparison with PH3 on Si(100)-2×1-H. J. Phys.: Condens. Matter 2021, 33, 384001.
3. Kovalenko S. L., Pavlova T. V., Andryushechkin B. V., Zhidomirov G. M., Eltsov K. N. Ni-Doped Epitaxial Graphene Monolayer on the Ni(111) Surface. Physics of Wave Phenomena 2020, 28, 293-298.
4. Pavlova T. V.; Shevlyuga V. M.; Andryushechkin B. V.; Eltsov K. N. Chlorine insertion and manipulation on the Si(100)-2×1-Cl surface in the regime of local supersaturation. Phys. Rev. B 2020, 101, 235410.
5. Kovalenko S. L.; Pavlova T. V.; Andryushechkin B. V.; Eltsov K.N. Temperature-Programmed Growth of Quasi-Free-Standing N-Doped Graphene Single Crystals from Acetonitrile Molecules. JETP Letters 2020, 111, 591-597.
6. Pavlova T. V.; Shevlyuga V. M.; Andryushechkin B. V.; Zhidomirov G. M.; Eltsov K. N. Local removal of silicon layers on Si(100)-2 × 1 with chlorine-resist STM lithography. Appl. Surf. Sci. 2020, 509, 145235.
7. Pavlova T. V.; Kovalenko S. L.; Eltsov K. N. Room-Temperature Propylene Dehydrogenation and Linear Atomic Chain Formation on Ni(111). J. Phys. Chem. C 2020, 124, 8218–8224.
8. Kovalenko S. L.; Andryushechkin B. V.; Eltsov K. N. STM study of oxygen intercalation at the graphene/Ni(111) interface. Carbon 2020, 164, 198-206.
9. Pavlova T.V.; Skorokhodov E. S.; Zhidomirov G.M.; Eltsov K.N. Ab Initio Study of the Early Stage of Si Epitaxy E.S. on the Chlorinated Si(100) Surface. J. Phys. Chem. C 2019, 123, 19806–19811.

Гринберг Яков Симхонович, д.ф.-м.н., доцент кафедры прикладной и теоретической физики, лаборатория нелинейной электродинамики наноструктур, Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования "Новосибирский государственный технический университет"

Список публикаций по теме диссертации соискателя за последние 5 лет:

1. Greenberg Ya.S., Shtygashev A.A., Moiseev A.G. Time-dependent theory of single-photon scattering from a two-qubit system. Eur. Phys. J. B 96, 162 (2023).
2. Greenberg Ya. S., Moiseev A. G., Shtygashev A. A. Single-photon scattering on a qubit: Space-time structure of the scattered field. Phys. Rev. A 107, 013519 (2023).
3. Greenberg Ya. S., Shtygashev A. A. Quantum phase measurement of two-qubit states in an open waveguide. Phys. Rev. A 106, 042611 (2022).
4. Greenberg Ya. S., Chuikin O. A. Superradiant emission spectra of a two-qubit system in circuit quantum electrodynamics. Eur. Phys. J. B 95, 151 (2022).
5. Greenberg, Ya S.; Shtygashev, A. A.; Moiseev, A. G. Spontaneous decay of artificial atoms in a multi-qubit system. Low Temp. Phys. 47, 834 (2021).
6. Greenberg, Ya S., Shtygashev, A. A., Moiseev, A. G. Spontaneous decay of artificial atoms in a three-qubit system. Eur. Phys. J. B 94, 221 (2021).
7. Greenberg, Ya S., Shtygashev, A. A., Moiseev, A. G. Waveguide band-gap N-qubit array with a tunable transparency resonance. Phys. Rev. A 103, 023508 (2021).
8. Chuikin O. A., Greenberg Y. S., Shtygashev A. A. Damping of vacuum rabi oscillations in a two-qubit structure in a high-Q cavity. Physics of the Solid State. 62, 1571 (2020).
9. Greenberg, Ya S., Shtygashev, A. A. Excitation of the collective states of qubits in a three-qubit system. Low Temp. Phys. 46, 910 (2020).
10. Sultanov A., Greenberg Y., Mutsenik E., Pitsun D., Il’ichev. Universal Tool for Single-Photon Circuits: Quantum Router Design. Materials 13, 319 (2020).
11. Greenberg Ya.S., Moiseev A.G. Influence of impurity on the rate of single photon superradiance and photon transport in disordered N qubit chain. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 108, 300 (2019).