Есин Михаил Юрьевич
| Дата рождения: | 21.05.1990 |
| Вуз (дата окончания): | Сибирский государственный аэрокосмический университет (2014) |
| 2014 | |
| Форма обучения: | очная |
| 03.06.01 - "Физика и астрономия" | |
| Специальность: | 01.04.10 - "Физика полупроводников" |
| Тема диссертации: | Исследование морфологии и реконструкции поверхности структур GexSi1-x/Si(100), полученных медом молекулярно-лучевой эпитаксии |
| Научный руководитель: |
к.ф.-м.н. Никифоров Александр Иванович |
| Лаборатория: | Лаб. №16 |
| E-mail: |
Публикации:
Статьи в рецензируемых научных журналах:
| Название | Первая страница |
|---|---|
| Есин М.Ю., Никифоров А.И., Тимофеев В.А., Машанов В.И., Туктамышев А.Р., Пчеляков О.П. «Анализ дефектности пленок GeSn и GeSiSn полученных методом МЛЭ на подложках Si(100)» Известия Вузов. Физика, Т.58, №8/2, с. 244-246 (2015). |  |
| Туктамышев А.Р., Тимофеев В.А., Никифоров А.И., Машанов В.И., Есин М.Ю., Тийс С.А. «Формирование методом МЛЭ самоорганизующихся наноструктур Ge–Si–Sn на Si(100) для использования в оптоэлектронике и фотонике» Известия Вузов. Физика, Т.58, №8/2, с. 238-240 (2015). | |
| Тимофеев В.А., Никифоров А.И., Туктамышев А.Р., Есин М.Ю., Машанов В.И., Гутаковский А.К., Байдакова Н.А. Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn. Физика и техника полупроводников, том 50, вып. 12. с. 1610 – 1614., (2016) | |
| Лошкарев И.Д., Василенко А.П., Труханов Е.М., Колесников А.В., Путято М.А., Есин М.Ю., Петрушков М.О. «Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)» Письма в ЖТФ, том 43, вып. 4 с.64-71., (2017) | |
| Yesin M.Yu., Timofeev V.A., Tuktamyshev A.R., Nikiforov A.I., Loshkarev I.D. "The Ge island ordering on a stepped Si(100) surface". Journal of Physics: Conference Series. V. 816, № 1 (2017). | |
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, О.П. Пчеляков. «Влияния ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge» Известия Вузов. Физика, Т.60, №11, с. 13-19 (2017). | |
| Есин М.Ю., Никифоров А.И., Тимофеев В.А., Туктамышев А.Р., Машанов В.И., Лошкарев И.Д., Дерябин А.С., Пчеляков О.П. Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge. Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, вып. 3. | |
| Есин М.Ю., Эрвье Ю.Ю. Тимофеев В.А., Никифоров А.И. «Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии». Известия Вузов. Физика, (2018), в печати |
Труды конференций:
| Название | Обложка | Первая страница |
|---|---|---|
| Есин М.Ю., Никифоров А.И., «Исследование изменения периода осцилляций интенсивности зеркального рефлекса ДБЭ в процессе осаждении Ge на поверхность Si(100)» в материалах 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015: Квантовая физика / Новосиб. гос. ун-т. Новосибирск, 2015 11-17 апреля. |  |
|
| Есин М.Ю., Никифоров А.И., Тимофеев В.А., Машанов В.И., Туктамышев А.Р., Пчеляков О.П. «Анализ дефектности пленок GeSn и GeSiSn полученных методом МЛЭ на подложках Si(100)» тезисы докладов международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы радиофизики», 5 – 10 октября 2015 года, г. Томск. | | |
| А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, С.А. Тийс, М.Ю. Есин. «Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ» Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, 21-25 сентября 2015 г., Звенигород, с. 161. |  |
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. Р. Туктамышев, О. П. Пчеляков. Влияние фонового содержания Sn на формирование Ge островков на поверхности Si(100). Тезисы докладов XX симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-18 марта 2016 г., г. Нижний Новгород ННГУ, Том 2 с. 579 |  |
|
| М.Ю. Есин, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров, И.Д. Лошкарев. «Упорядочение островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100)». Тезисы докладов 18-ой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике 28 ноября - 2 декабря 2016 г., г. Санкт-Петербург, с. 23 | |
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин, О. П. Пчеляков. «Исследование механизма упорядочения массива островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100)». Тезисы докладов XXI симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017 г., г. Нижний Новгород ННГУ, Том 2 с. 588 | |
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, О.П. Пчеляков. «Влияния ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge». Тезисы докладов международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы радиофизики», 18 – 22 сентября 2017 года, г. Томск. | | |
| Есин М.Ю., Тимофеев В.А., Никифоров А.И. «Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии». Тезисы докладов Российской научной студенческой конференции по физике твердого тела «ФТТ-2018», 17 – 20 апреля 2018 года, г. Томск. |
Личное участие в конференциях:
| Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
|---|---|---|---|---|
| Есин М.Ю., Никифоров А.И., Исследование изменения периода осцилляций интенсивности зеркального рефлекса ДБЭ в процессе осаждении Ge на поверхность Si(100), 53-я Международная научная студенческая конференция МНСК-2015, Новосибирск, 11-17 апреля 2015, устный доклад |  |
|
| |
| А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, С.А. Тийс, М.Ю. Есин, Влияние Sn на морфологию поверхности при росте соединений Si-Ge-Sn на Si(100) методом МЛЭ, XII Российская конференция по физике полупроводников, Звенигород, 21-25 сентября 2015 г., стендовый доклад | |
|
|
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. Р. Туктамышев, О. П. Пчеляков, Влияние фонового содержания Sn на формирование Ge островков на поверхности Si(100), XX симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г., устный доклад |  |
|
|
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, А.С. Дерябин, О. П. Пчеляков., «Исследование механизма упорядочения массива островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100)», XXI симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», г. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г., стендовый доклад | |
|
|
|
| М.Ю. Есин, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров, И.Д. Лошкарев. , «Упорядочение островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100)». , 18-я всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике , г. Санкт-Петербург, 28 ноября - 2 декабря 2016 г., стендовый доклад | |
|
|
|
| М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Р. Туктамышев, И.Д. Лошкарев, О.П. Пчеляков., Влияния ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge, Международная научно-практическая конференция «Актуальные проблемы радиофизики», г. Томск, 18 – 22 сентября 2017 года, устный доклад | | |||
| Есин М.Ю., Тимофеев В.А., Никифоров А.И., Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии, Российская научная студенческая конференция по физике твердого тела «ФТТ-2018», г. Томск, 17 – 20 апреля 2018 года, устный доклад |
Участие в грантах:
- Физико-технологические основы создания нового поколения устройств элементной базы для оптоэлектроники на базе материалов GeSiSn. № 14-29-07153
- Влияние Sn на морфологию поверхности и структуру при эпитаксиальном росте соединений GeSiSn на Si(100). № 16-32-00039
- Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе Ge-Si-Sn для многокаскадных солнечных элементов. № 16-29-03292
Научно-педагогическая практика:
- Кафедра физики полупроводников Новосибирского государственного университета, 1.09.2016-31.01.2017, руководитель практики – профессор А.В. Двуреченский
Аннотация выпускной квалификационной работы: 