Участие Института в программах фундаментальных исследований РАН и СО РАН

Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН:

  • «Неравновесные эффекты в наноструктурах, вызванные электромагнитными и акустическими внешними полями», руководители – А.В. Чаплик, З.Д. Квон;
  • «Особенности атомного строения многокомпонентных твердотельных и полупроводниковых нано-гетеросистем», руководитель – А.В. Латышев;
  • «Наноструктурированные полупроводниковые и гибридные системы для наноэлектроники и нанофотоники», руководители – А.Л. Асеев, В.А. Гайслер;
  • «Физико-химические основы технологий полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством: поиск путей упорядочения поверхностных диполей в наноразмерном (Cs,O) – слое и его влияния на вероятность выхода, угловые и энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaAs (Cs,O) – фотокатодов», руководитель – А.С. Терехов;
  • «Физические основы управления спиновым транспортом в наногетероструктурах с квантовыми точками. Метаматериалы на основе трехмерных плазмонных наноструктур», руководители – А.В. Двуреченcкий, В.Я. Принц;
  • «Физико-технологические основы создания нового поколения гетероструктур для наноэлектроники и нанофотоники», руководитель – О.П. Пчеляков;
  • «Механизмы формирования наноструктур на основе соединений AIIIBV», руководитель – И.Г. Неизвестный.

Программа фундаментальных исследований Президиума РАН по стратегическим направлениям развития науки «Фундаментальные проблемы математического моделирования»:

  • «Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек», руководитель – А.В. Двуреченский.