Участие Института в программах фундаментальных исследований РАН и СО РАН
Комплексная программа фундаментальных научных исследований Сибирского отделения РАН:
- «Неравновесные эффекты в наноструктурах, вызванные электромагнитными и акустическими внешними полями», руководители – А.В. Чаплик, З.Д. Квон;
- «Особенности атомного строения многокомпонентных твердотельных и полупроводниковых нано-гетеросистем», руководитель – А.В. Латышев;
- «Наноструктурированные полупроводниковые и гибридные системы для наноэлектроники и нанофотоники», руководители – А.Л. Асеев, В.А. Гайслер;
- «Физико-химические основы технологий полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством: поиск путей упорядочения поверхностных диполей в наноразмерном (Cs,O) – слое и его влияния на вероятность выхода, угловые и энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaAs (Cs,O) – фотокатодов», руководитель – А.С. Терехов;
- «Физические основы управления спиновым транспортом в наногетероструктурах с квантовыми точками. Метаматериалы на основе трехмерных плазмонных наноструктур», руководители – А.В. Двуреченcкий, В.Я. Принц;
- «Физико-технологические основы создания нового поколения гетероструктур для наноэлектроники и нанофотоники», руководитель – О.П. Пчеляков;
- «Механизмы формирования наноструктур на основе соединений AIIIBV», руководитель – И.Г. Неизвестный.
Программа фундаментальных исследований Президиума РАН по стратегическим направлениям развития науки «Фундаментальные проблемы математического моделирования»:
- «Моделирование полей упругих деформаций и электронного спектра в полупроводниковых наногетероструктурах с пространственно упорядоченным ансамблем квантовых точек», руководитель – А.В. Двуреченский.