В соответствии с основными научными направлениями в Институте проводятся исследования в рамках государственного задания и по Программам фундаментальных исследований СО РАН №№ II.8.1., II.8.2., II.8.3., II.9.4., II.10.2., II.11.1.

Программа II.8.1.

Физические явления и квантовые эффекты в полупроводниковых наноструктурах
(Координатор - академик А.Л. Асеев)

II.8.1.1. Атомные и электронные процессы на поверхности фотоэмиттеров с эффективным отрицательным электронным сродством
Руководитель - д.ф.-м.н. А.С. Терехов.

II.8.1.2. Квантовые свойства низкоразмерных электронных систем и наноструктур
Руководители - академик А.В. Чаплик, д.ф.-м.н. З.Д. Квон.

II.8.1.3. Разработка сверхминиатюрных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А. Гайслер.

II.8.1.4. Исследование природы активных центров и структурных дефектов в наноструктурах КРТ, выращиваемых методом МЛЭ, и разработка основ создания высокоэффективных фотоприемных и излучающих гетероструктур на основе КРТ
Руководители - д.ф.-м.н. Ю.Г. Сидоров, к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий.

II.8.1.5. Электронные и оптические свойства одно- и двумерных наноразмерных гетероструктур на основе кремния и алмаза в деформационных и электромагнитных полях
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П. Попов

II.8.1.6. Особенности поперечного электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах типа А3В5, А2В6 со сверхтонкими барьерными слоями и квантовыми ямами
Руководитель - д.ф.-м.н. А.П. Ковчавцев.

II.8.1.7. Разработка физических и технологических принципов изготовления неохлаждаемых матричных микроболометрических приемников инфракрасного диапазона повышенного формата и исследование путей повышения чувствительности микроболометров в терагерцовом диапазоне
Руководитель - к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев.

Программа II.8.2.

Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники
(Координатор член-корр. РАН И.Г. Неизвестный).

II.8.2.1. Инжекционные структуры на основе PbSnTe:In для фотоприемных матриц ИК и терагерцового диапазона излучения
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э. Климов.

II.8.2.2. Генерация квантового ключа в атмосферных и оптоволоконных квантовых линиях связи
Руководители - член-корр. И.И. Рябцев, член-корр. РАН И.Г. Неизвестный.

II.8.2.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур для СВЧ – электроники
Руководители - д.ф.-м.н. К.С. Журавлев, к.ф.-м.н. А.И. Торопов.

II.8.2.4. Функциональные оптоэлектронные материалы и волновые процессы в микро- и наноразмерных структурах
Руководитель - к.ф.-м.н. В.В. Атучин.

II.8.2.5. Фундаментальные основы технологии молекулярно-лучевой эпитаксии наногетероструктур А3В5 для создания нового поколения ИК-фотоприемных устройств на основе лавинных фотодиодов и короткопериодных сверхрешеток
Руководитель - к.ф.-м.н. В.В. Преображенский.

Программа II.8.3.

Характеризация и свойства твердотельных наноструктур
(Координатор - академик РАН А.В. Латышев).

II.8.3.1. Атомное строение поверхности, границ раздела и дефектов полупроводниковых наногетероструктур
Руководитель - академик РАН А.В. Латышев.

II.8.3.2. In-situ–характеризация и свойства полупроводниковых наногетероструктур на основе соединений А3В5, включая нитриды металлов третьей группы в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Руководитель - д.ф.-м.н. О.П. Пчеляков.

II.8.3.3. Развитие механизмов самоформирования и нанодиагностика квантово-размерных структур на основе кремния и германия
Руководитель - к.ф.-м.н. А.И. Никифоров.

Программа II.9.4.

Наноструктуры и физические принципы приборов на их основе для электроники, фотоники и магнитных систем
(Координатор - член-корр. РАН А.В. Двуреченский).

II.9.4.1. Наноструктуры с упорядоченными ансамблями квантовых точек, наноколец и нанопроволок
Руководитель - член-корр. РАН А.В. Двуреченский.

II.9.4.2. Развитие высоких нанотехнологий с использованием штамповой и оригинальной нанолитографий
Руководитель - д.ф.-м.н. В.Я. Принц.

II.9.4.3. Наноструктуры на основе функционализированного графена и мультиграфена для электронных приложений
Руководитель - д.ф.-м.н. И.В. Антонова.

II.9.4.4. Исследование оптических и электронных свойств наноструктур на основе полупроводников и диэлектриков
Руководители - д.ф.-м.н. А.Г. Милёхин, к.х.н. О.И. Семенова.

II.9.4.5. Архитектура распределенных вычислительных систем и инструментарий параллельного моделирования гетероэпитаксии на структурированных подложках
Руководитель - д.т.н. К.В. Павский.

Программа II.10.2.

Фундаментальные проблемы взаимодействия лазерного излучения с однородными и структурированными средами
(Координатор - академик А.М. Шалагин).

II.10.2.1. Когерентные и нелинейные явления в однородных и структурированных средах при их взаимодействии с интенсивным лазерным излучением
Руководитель - д.ф.-м.н. Н.Н. Рубцова.

Программа II.11.1.

Актуальные проблемы и прикладные аспекты оптико-информационных технологий
(Координатор - д.т.н. Ю.В. Чугуй).

II.11.1.3. Исследование физико-технических основ и принципов создания оптико-информационных систем для видимого, инфракрасного и миллиметрового диапазона длин волн
Руководитель - к.т.н. В.Н. Федоринин.