В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН 9.1, 9.3, 10.2 и 3.3.

Программа СО РАН №9.1

"Физика полупроводников и диэлектриков, полупроводниковые, композитные нанокристаллические и фотоннокристаллические материалы и структуры, твердотельные системы пониженной размерности, атомные и молекулярные кластеры".
(Координатор - член-корр.РАН А.Л.Асеев)

9.1.1. "Разработка физико-химических основ формирования атомарно-чистых поверхностей и гетероструктур арсенид индия - диэлектрик, обеспечивающих возмож- ность работы МДП-структур при повышенных температурах 120-200К"
Руководитель - д.ф.-.м.н. Г.Л.Курышев.

9.1.2. "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ КРТ, квантово-размерных слоев на основе А₃В₅, легированных пленок PbSnTe и термоэлектрических свойств оксидов с целью разработки и создания многоэлементных ИК-фотоприемных устройств нового поколения"
Руководитель - д.ф.-м.н, профессор В.Н.Овсюк.

9.1.3. "Изучение влияния структурных перестроек атомарно-гладкой поверхности GaAs при адсорбции Cs,O на электронный спектр и фотоэмиссионные свойства инфракрасных полупроводниковых фотокатодов для перспективных приборов ночного видения"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.

9.1.4. "Перенос носителей заряда и оптические явления в структурах с квантовыми точками".
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский.

9.1.5. "Электронные и оптические процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах на их основе"
Руководители - чл-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.

9.1.6. "Исследование атомного строения поверхности, границ раздела и дефектов структуры в полупроводниковых материалах и развитие методов современной электронной и зондовой микроскопии для анализа и создания твердотельных систем с пониженной размерностью"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.В.Латышев.

9.1.7. "Разработка научных основ технологии выращивания структурно совершенных слоев твердых растворов кадмий-ртуть-теллур на подложках из Si и GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии для создания приемников инфракрасного излучения с предельными характеристиками"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.

Программа СО РАН №9.3

"Твердотельные устройства и приборы микро- и наноэлектроники, микрофотоэлектроники, медицины и экологии".
(Координатор - член-корр.РАН, профессор И.Г.Неизвестный)

9.3.1. "Разработка научных основ технологии молекулярно-лучевой эпитаксии квантово-размерных структур на основе кремния и германия, псевдоморфных гетероструктур на основе А3В5, исследование кинетики атомных процессов на поверхности структур, включая нитриды металлов GaN, AlN и InN для создания приборов наноэлектроники и НЕМТ-транзисторов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.

9.3.2. "Разработка физико-химических основ получения ультратонких КНИ-структур и исследование процессов роста кристаллов кремния методом БЗП для создания нанотранзисторов и материалов для силовой электроники"
Руководители - к.ф.-м.н. В.П.Попов, к.ф.-.м.н. В.В.Калинин.

9.3.3. "Создание и исследование полупроводниковых и металлических нанотрубок и нанооболочек"
Руководитель - к.ф.-м.н. В.Я.Принц.

9.3.4. "Базовые технологии и физические основы работы функциональных элементов интегральной оптики и акустоэлектроники"
Руководители - к.ф.-м.н. В.В.Атучин, к.ф.-м.н. А.В.Царев.

9.3.5. "Разработка и исследование физико-химических основ создания наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.

Программа СО РАН №10.2

"Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения и потоков заряженных частиц с веществом".
(Координатор – член-корр.РАН, профессор А.М.Шалагин)

10.2.1. "Исследование когерентных и нелинейных процессов в атомах, молекулах, кристаллах и наноструктурах при взаимодействии с излучением"
Руководитель - д.ф.-м.н. П.А.Бохан.

Программа СО РАН №3.3

"Архитектура, системные решения и программноппаратное обеспечение информационно-вычислительных комплексов новых поколений - распределенные вычисления, распределенные высокопроизводительные вычислительные ресурсы, параллельные вычисления, системы массового параллелизма, программное обеспечение".
(Координатор - академик РАН, профессор Ю.Л.Ершов)

"Разработка методов анализа и алгоритмов организации функционирования больше-масштабных распределенных вычислительных систем и создание аппаратурно-программного инструментария параллельного моделирования"
Руководитель - чл-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский.