В рамках основных научных направлений в Институте проводятся исследования по программам СО РАН 2.1.1, 2.2.2, 2.3.2, 4.6.1 и 5.2.1.
Программа СО РАН №2.1.1
"Физика полупроводников и диэлектриков, твердотельные системы пониженной размерности".
(Координатор - академик РАН А.Л.Асеев)
2.1.1.1. "Эффекты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и
спиновые явления в структурах с квантовыми точками"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.В.Двуреченский.
2.1.1.2. "Разработка излучателей одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых наноструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.А.Гайслер.
2.1.1.3. "Электронные свойства низкоразмерных систем и наноструктур на их основе"
Руководители - член-корр.РАН, профессор А.В.Чаплик, д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон.
2.1.1.4. "Развитие физико-химических основ наноструктурирования полупроводниковых материалов и анализ основных закономерностей роста и дефектообразования в системах пониженной размерности"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.В.Латышев.
2.1.15. "Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе МЛЭ
КРТ, квантово-размерных слоев на основе А3В5, легированных пленок PbSnTe:In и
термоэлектрических свойств оксидов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.Н.Овсюк.
2.1.1.6. "Физико-химические основы формирования границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП-структурах на основе соединений А3В5 и КРТ, фоточувствительных в диапазоне 3 мкм"
Руководитель - д.ф.-м.н. Г.Л.Курышев.
2.1.1.8. "Изучение физико-химических процессов роста и легирования многослойных наноструктур на основе соединений А2В6 в методе молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием одноволновой и спектральной эллипсометрии"
Руководитель - д.ф.-м.н. Ю.Г.Сидоров.
2.1.1.9. "Изучение атомных, электронных и фотоэмиссионных явлений на атомарно-чистой поверхности соединений А3В5"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор А.С.Терехов.
Программа СО РАН №2.2.2
"Фундаментальные основы твердотельных устройств микро- и наноэлектроники".
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор И.Г.Неизвестный)
2.2.2.1. "Базовые технологии оптоэлектронных материалов и физические процессы в слоистых и нанофотонных волноводных структурах"
Руководитель - к.ф.-м.н., доцент В.В.Атучин.
2.2.2.2. "Развитие исследований и разработок физико-химических основ создания
наноструктурированных материалов и приборных структур для интегрированных
микросенсоров. Исследование физических процессов в сенсорных гетероструктурах. Создание газовых интегрированных микросенсоров на основе пленок наноструктурирванных материалов"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор В.В.Болотов.
2.2.2.3. "Генерация квантового ключа в оптоволоконных линиях связи"
Руководители - член-корр.РАН, профессор И.Г.Неизвестный, д.ф.-м.н. И.И.Рябцев.
2.2.2.4. "Разработка физико-химических методов получения ультра тонких полупроводниковых гетероструктур на изоляторе и исследование процессов электронного транспорта в наноструктурах на их основе"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.П.Попов.
2.2.2.5. "Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур"
Руководитель - д.ф.-м.н. В.Я.Принц.
2.2.2.6. "Исследование механизмов молекулярно-лучевой эпитаксии и разработка
научных основ технологии квантово-размерных структур на основе кремния, германия и соединений А3В5, включая нитриды металлов третьей группы для создания приборов наноэлектроники и фотовольтаики"
Руководитель - д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков.
2.2.2.7. "Молекулярно-лучевая эпитаксия на основе соединений А3В5 для полевых
СВЧ транзисторов"
Руководитель - д.ф.-м.н. К.С.Журавлев.
2.2.2.8. "Физико-технологические основы матричных фотоприемных устройств
субмиллиметрового диапазона длин волн на основе пленок PbSnTe:In"
Руководитель - д.ф.-м.н. А.Э.Климов.
Программа СО РАН №2.3.2
"Фундаментальные проблемы взаимодействия излучения с веществом"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор А.М.Шалагин)
2.3.2.1. "Когерентные, нелинейные и столкновительные процессы в атомах, моле-
кулах, стеклах, микрочастицах и наноструктурах при взаимодействии с интенсив-
ным лазерным излучением"
Руководитель - д.ф.-м.н. П.А.Бохан.
Программа СО РАН No 4.6.1
"Архитектура, организация функционирования и программное обеспечение
информационно-вычислительных систем новых поколений"
(Координатор - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский)
4.6.1.1. "Методы алгоритмы анализа и организация функционирования распределенных вычислительных систем, параллельное мультипрограммирование и аппаратурно-программный инструментарий для моделирования технологий обработки
информации"
Руководитель - чл.-корр. РАН, профессор В.Г.Хорошевский.