Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик



  1. Y. Kamikawa-Shimizu, R. Patterson, A. Milekhin, K. Akahane, Y. Shoji, D. R.T. Zahn, Y. Okada, G. Conibeer, Study of phonons in self-assembled InAs quantum dots embedded in an InGaAlAs matrix , Physica E, 57, 1-5 (2014).
  2. V. Sh. Aliev, S. G. Bortnikov, I. V. Mzhelskiy, and I. A. Badmaeva. Current oscillations as a manifestation of spatio-temporal inhomogeneity of temperature distribution in vanadium dioxide films at semiconductor-metal phase transition. Applied Physics Letters 105, 142101 (2014).
  3. V. Sh. Aliev, S. G. Bortnikov, and I. A. Badmaeva. Investigations of stochastic resonance in two-terminal device with vanadium dioxide film. Journal of Applied Physics 115, 204511 (2014).
  4. V. Sh. Aliev, S. G. Bortnikov, and I. A. Badmaeva. Anomalous large electrical capacitance of planar microstructures with vanadium dioxide films near the insulator-metal phase transition. Applied Physics Letters 104, 132906 (2014).
  5. Perevalov T.V., Aliev V.S., Gritsenko V.A., Kaichev V.V., Saraev A.A., Ivanova E.V., Zamoryanskaya M.V./ The origin of 2.7 eV luminescence and 5.2 eV excitation band in hafnium oxide// Applied Physics Letters 2014, v. 104, № 7, p. 071904.
  6. E. Sheremet, R.D. Rodriguez, A.G. Milekhin, L. Leal, V. Kolchuzhin, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn, SERS and gap-mode TERS investigations of phthalocyanine molecules on gold nanostructured substrates. Journal of Vacuum Science & Technology B, 32(4), 04E110-1-6 (2014).
  7. N.A. Yeryukov, A.G. Milekhin, L.L. Sveshnikova, T.A. Duda, L.D. Pokrovsky, A.K. Gutakovsky, S.A. Batsanov, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, and D.R.T. Zahn, Synthesis and Characterization of CuxS (x = 1–2) Nanocrystals Formed by the Langmuir–Blodgett Technique. The Journal of Physical Chemistry C, 118 (40), 23409–23414 (2014).
  8. А.Г. Милехин Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем. Юбилейный сборник ИФП, с.152-175
  9. О.И. Семенова, И.В. Швейгерт. Плазмохимический нитрид кремния в современных приложениях. Юбилейный сборник ИФП, с.646-656
  10. Д.Р. Исламов, Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко, В.Ш. Алиев, А.А. Сараев, В.В. Каичев, М.В. Иванова, М.В. Заморянская. Природа дефектов, ответственных за транспорт в элементе резистивной памяти на основе оксида гафния. Юбилейный сборник ИФП, с.614-625.
  11. Atuchin V.V., Troitskaia I.B., Kaichev V.V., Saraev A.A., Korolkov I.V., Perevalov T.V., Gritsenko V.A. Electronic Structure of Noncentrosymmetric α-GeO2 with Oxygen Vacancy: Ab Initio Calculations and Comparison with Experiment. J. Phys. Chem. C. V. 2014. V. 118. № 7. P. 3644–3650.
  12. Кочубей В.А., Атучин В.В., Покровский Л.Д., Солдатенков И.С., Троицкая И.Б., Кожухов А.С., Кручинин В.Н. Структура, микрорельеф и оптические свойства пленок кобальта, полученных методом термического испарения в вакууме. Фундаментальные проблемы современного материаловедения . 2014. Т. 11. № 2. С. 153-158.