Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ

  • Изготовление фотоприемных устройств форматов 4х288, 320х256, 640х512 на основе гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) кадмий-ртуть теллур (КРТ), выращенных методом молекулярно лучевой эпитаксии (МЛЭ), чувствительных в ближнем, среднем и дальнем диапазонах ИК спектра.

  • Разработка технологий производства новых форматов ФПУ на основе ГЭС КРТ МЛЭ.

  • Разработка и усовершенствование базовых технологических процессов для создания фотоприемников новых поколений дальнего, среднего и ближнего ИК диапазона спектра на основе варизонных слоев МЛЭ КРТ.

  • Теоретическое и экспериментальное исследование фотоприемников на варизонных слоях МЛЭ КРТ с целью оптимизации структуры и достижения предельных параметров ФП.