Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе соединений А2В6

ПУБЛИКАЦИИ

Количество статей за последние 5 лет – 36
статьи в рецензируемых журналах – 26, Тезисы конференций – 27, (10 приглашенных докладов).

статьи в журналах   тезисы конференций

  1. В. Андреева, В.С. Варавин, В.В. Васильев, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, З.Ф. Цибрий, Ф.Ф. Сизов. Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках HgCdTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии для спектрального диапазона 8-12 мкм. Оптический журнал, т. 76, № 12, 2009.
  2. В.В. Васильев, А.В. Предеин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.П. Рева, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Ф.Ф. Сизов, А.О. Сусляков, А.Л. Асеев. Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом ВЗН. Оптический журнал, т. 76, № 12, 30-35, 2009.
  3. В.В. Васильев, В.С.Варавин, С.А. Дворецкий, И.В Марчишин, Н.Н. Михайлов, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.О. Сусляков. Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром. Оптический журнал, т. 76, № 12, 36-41, 2009.
  4. Войцеховский А.В., Васильев В.В., Григорьев Д.В., Романов И.В. Оценка возможности определения электрофизических характеристик CdxHg1-xTe p+-n-структур методом дифференциальных холловских измерений // Известия вузов. Физика, 5, С. 3-8, 2009.
  5. Гуменюк-Сычевская Ж.В., Забудский В.В., Лысюк И.А., Сизов Ф.Ф., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г. «Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8—12 мкм». Прикладная физика, № 2, 2009, с.64-68.
  6. Якушев М.В., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Захарьяш Т.И., Козлов А.И., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л., Виноградов А.В., Дегтярев Е.В. «Разработка элементов технологии монолитного инфракрасного фотоприемника». Прикладная физика, № 2, 2009, с. 120-126.
  7. Вишняков А.В., Варавин В.С., Гарифуллин М.О., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю. «Исследование влияния постимплантационного отжига на вольт-амперные характеристики ИК фотодиодов на основе p-CdHgTe». Автометрия, 45, 4, 32-40, 2009.
  8. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.О. Сусляков. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников. Автометрия, 45, 4, с.23-31, 2009.
  9. Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я., Павлов А.В., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н. «Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHg1-xTe с x=0.22». Письма в ЖТФ, 2009, том 35, выпуск 12, с.32-37.
  10. М.В. Якушев, В.В. Васильев, Е.В. Дегтярев, С.А. Дворецкий, А.И. Козлов, А.Р. Новоселов, Ю.Г. Сидоров, Б.И. Фомин, А.Л. Асеев Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе HgCdTe в монолитном исполнении. Оптический журнал т. 76, №12, сс. 55-62, 2009.
  11. А.Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, Н.В. Карнаева, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк, Д.Г. Есаев «Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах», Оптический журнал, Том 76, 12, 2009 г., с. 63-68.
  12. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Оперативный метод контроля сборок flip-chip. Автометрия, 2009, Т. 45, № 6, с. 119-122.
  13. Ольшанецкий Е.Б., Квон З.Д., Энтин М.В., Магарилл Л.И., Михайлов Н.Н., Парм И.О., Дворецкий С.А. Процессы рассеяния в двумерном полуметалле. Письма в ЖЭТФ, том 89, вып. 6, стр. 338-342, 2009.
  14. Новоселов А.Р., Предеин А.В., Косулина И.Г., Васильев В.В. «Оптимизация температуры сварки индиевых столбов в методе групповой сборки многоэлементных ФП» Прикладная физика, № 1, 2010.
  15. A.V. Vishnyakov, V.S. Varavin, M.O. Garifullin, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, G.Yu. Sidorov. Effect of post-implantation anneal on the current-voltage characteristics of IR photodiodes basd on p-CdxHg1-x. Phys. Status Solidi C, 1-3 (2010).
  16. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина, А.Г. Паулиш, Н.Б. Кузьмин, В.В. Васильев, Н.А. Валишева. Оплавленные индиевые столбы в технологии сборки ИК ФПУ. Прикладная физика, №5, с. 77-80, 2010.
  17. Ю.П. Машуков, Н.Н. Михайлов, В.В. Васильев «Электрические характеристики структуры CdTe – n-CdHgTe, полученной в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии». ФТП, 44(9), стр. 1216 (2010).
  18. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Якушев М.В. «Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика», Известия Вузов. Физика, 2010, 2, С. 40-45.
  19. Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Машуков Ю.П., Якушев М.В. «Фотоэлектрические покрытия МДП-структур на основе материала кадмий-ртуть-теллур, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии», Прикладная физика, 2010, №3, С.119-123.
  20. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Ю.П. Машуков, М.В. Якушев, Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ, Прикладная физика, 2010, №6, стр. 102-106.
  21. V.V. Vasiliev, A.V. Predein, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.V. Gumenjuk-Sichevska, A.G. Golenkov, V.P. Reva, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, F.F. Sizov, A.L. Aseev. Linear HgCdTe IR FPA 288x4 with bidirectional scanning. Opto-Electr. Review, 18, # 3, p. 338-341 (2010).
  22. V.V. Vasilyev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, I.V. Marchishin, N.N. Mikhailov, A.V. Predein, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, and A.O. Susliakov. «320×256 HgCdTe IR FPA with a built-in shortwave cut-off filter». Opto-Electronics Review, 2010, v18, №3, p.236-240.
  23. А.В. Предеин, В.В. Васильев. Особенности изгиба зон на поверхности варизонного Hg1-xCdxTe. Прикладная физика, №5, с. 41-47, 2011.
  24. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Ю.П. Машуков, М.В. Якушев. Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ. Прикладная физика, №6, с.102-106, 2010.
  25. Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Машуков Ю.П., Якушев М.В. Электрические характеристики МДП-структур на основе ГЭС HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава. Прикладная физика, №2, с. 116-122, 2011.
  26. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона // ФТП. - 2011. - Т. 45, № 3. - С. 396-402.
  27. М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.О. Сусляков Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры CdHgTe/Si(310) // Письма в ЖТФ. - 2011. - Т. 37, № 4. - С. 1–7.
  28. M.V. Yakushev, V.S. Varavin, V.V. Vasilyev, S.A. Dvoretsky, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.V. Sorochkin, A.L. Aseev HgCdTe Heterostructures on Si(310) Substrates for Infrared Photodetectors in Photodiodes world activities in 2011, ed. by Jeong-Woo Park, INTECH, Croatia, p. 367-400.
  29. Книга: V.V. Vasiliev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, I.M. Marchishin, N.N. Mikhailov, A.V. Predein, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, A.L. Aseev. LWIR photodiodes and focal plane arrays based on novel HgCdTe/CdZnTe/GaAs heterostructures grown by MBE technique. Photodiodes - From Fundamentals to Applications, Edited by Ilgu Yun, Janeza Trdine 9, 51000 Rijeka, Croatia, С. 133-172, 2012.
  30. А.Р. Новоселов, И.Г. Косулина. Зависимость размеров «повреждённых» областей вокруг индиевых контактов к p-типу КРТ на GaAs–подложке от температур и времени отжига// Автометрия, 2012, Т. 48, № 6, С. 111-115.
  31. М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин, А.Л. Асеев. Гетероструктуры HgCdTe, выращенные методом МЛЭ на подложках Si(310), для инфракрасных фотоприемников. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 129-165, 2012.
  32. А.В. Вишняков, В.С. Варавин, М.О. Гарифуллин, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров. Исследование влияния постимплантационного отжига на ВАХ ИК-фотодиодов на основе p-CdxHg1-xTe. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 193-202, 2012.
  33. В.В. Васильев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, Н.Н. Михайлов, А.В. Предеин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков. Матричные фотоприемники 320х256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л.Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 207-215, 2012.
  34. В.В. Васильев, А.В. Предеин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.В. Гуменюк-Сычевская, А.Г. Голенклв, В.П. Рева, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков, Ф.Ф. Сизов, А.Л. Асеев. Линейчатые фотоприемники формата 288х4 с двунаправленным режимиом ВЗН. В книге «Фотоприемные устройства на основе эпитаксиальной системы кадмий-ртуть-теллур», под ред. А.Л. Асеева, Новосибирск, изд. СО РАН, стр. 215-223, 2012.
  35. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.В. Васильев, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-HgCdTe (x=0,21-0,23). Известия ВУЗов. Физика, т. 55, №8, 2012.
  36. А.В. Предеин, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.В. Васильев, Г.Ю. Сидоров, И.В. Марчишин, Высококачественные длинноволновые инфракрасные матричные ФПУ формата 320×256 элементов на основе слоев CdHgTe, выращенных методом МЛЭ, Автометрия, т. 49, № 5, с. 78-85, 2013.