Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

ПУБЛИКАЦИИ

1996

1. Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев. Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП-структур на арсениде индия. ФТП, 1996, 30, вып. 5, 914-917.
2. D.A. Romanov, A.V.Kalameitsev, A.P. Kovchavtsev, I.M. Subbotin, K.O. Postnikov. Conversion tunneling in nonideal Schottky barriers: virtual resonance manifestation and interface. Proc. of the Materials Research Sociaty, Boston, 1996, v. 445, pp. 375-379.