ПУБЛИКАЦИИ



1986

  1. Kovchavtsev A.P., Kurisev G.L., Postnicov K.O. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of InAs-Superthin Insulator-Au Structures. Phys.stat.sol. (a), 1986, 97, 421-425.
  2. Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Дроздов В.Н. Полевой дрейф ионов в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника 1986, 15, в. 4, стр. 324-327.
  3. Гуртов В.А., Золотов М.В., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л. Объемный заряд в МДП-структурах на основе арсенида индия. Микроэлектроника, 1986, 15, в. 2, стр. 142-146.