Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Основными направлениями деятельности лаборатории являются:

1. Разработка физико-химических принципов формирования активных и пассивирующих плёночных наноструктур на полупроводниках А₃В₅.

2. Фундаментальные исследования электронных процессов в сверхтонких (1-20 нм) диэлектрических слоях.

3. Научное приборостроение.

4. Работы в рамках государственных и инициативных проектов.

Качественный и количественный состав сотрудников:

В состав лаборатории входит 24 сотрудника, из них: 12 научных сотрудников (3 д.ф.-м.н., 1 д.т.н., и 8 к.ф.-м.н.) и 12 человек инженерно-технического персонала.

Лаборатория располагается в здании Лабораторно-технологического корпуса ИФП СО РАН (исследовательская часть) по адресу: г. Новосибирск, Проспект Академика Лаврентьева, 13 и Термостатированного корпуса ИФП СО РАН (технологическая часть) по адресу: г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30.