Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники

ПРОЕКТЫ

  1. Программа 27 Президиума РАН. Проект 1.13.7.- Курышев Г.Л. «Аппаратно-методическое обеспечение диагностики тепловых процессов в приборах на основе наногетероструктур методом ИК-микроскопии с высоким временным и латеральным разрешением»

  2. Грант РФФИ № 11-07-12067-офи-м-2011.Кеслер В.Г. (Руководитель проекта). «Разработка и создание опытного образца многоэлементного ИК-фотоприёмника на основе пассивации поверхности InAs сверхтонкими собственными окисными слоями в плазме тлеющего разряда»

  3. Междисциплинарный интеграционный проект СО РАН № 99-Ковчавцев А.П. «Физико-химические принципы формирования совершенных гетерограниц полупроводники А3В5–диэлектрик для создания оптоэлектронных приборов»

  4. Интеграционный проект СО РАН № 97 «Фундаментальные основы процессов химического осаждения плёнок и структур для наноэлектроники». Изучение химического состава, микроструктуры и электрофизических свойств синтезируемых пленок и границ раздела диэлектрик-полупроводник. Отв. исполнитель блока №7 от ИФП – Кеслер В.Г.

  5. Междисциплинарный интеграционный проект СО РАН 2009-2011 гг. № 91 “Функция почки как интегрального механизма регуляции артериального давления при артериальной гипертонии: экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование”. Отв. исполнитель от ИФП – Вайнер Б.Г.

  6. Междисциплинарный интеграционный проект СО РАН 2009-2011 гг. № 45 «Тепловизионные исследования термогенеза растений». Отв. исполнитель от ИФП – Курышев Г.Л.

  7. Грант РФФИ № 11-03-00900/11 “Исследование кинетики, физико-химических механизмов и количественных характеристик адсорбции путем применения матричного тепловидения высокого разрешения”. Научный рук. - Вайнер Б.Г.

  8. Грант РФФИ № 08-07-00230–Кеслер В.Г. «Формирование сверхтонких (5-10 нм) собственных окисных слоев на InAs методом сухого окисления в плазме тлеющего разряда »