Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
РУКОВОДИТЕЛЬ
и.о. заведующего лабораторией
Дмитрий Георгиевич Есаев
к.ф.-м.н.
тел. +7(383) 330-90-29
вн. 1347
E-mail:
кабинет 343, ТК
Область интересов:
Физика полупроводников и диэлектриков,
Оптические системы,
Процессы переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах,
Фотоприемные устройства инфракрасного и субмиллиметрового спектрального диапазонов.
Образование
1974 г. окончил физический факультет НГУ по специальности физика, прикладная математика.
1990 г. защита кандидатской диссертации «Горячие электроны в двуокиси кремния»
1999 г. присвоено звание старшего научного сотрудника.
Трудовая деятельность
1970–1974 — стажировка — ИЯФ СО РАН по специальности "Физика элементарных частиц". Тема диплома "Мю-мезонный распадный тракт на основе безжелезных квадрупольных линз"
С 1974 г. основное место работы ИФП СО РАН.
1974–1976 — стажер-исследователь.
1977–1978 — инженер
1979–1984 — младший научный сотрудник.
1995–1997 — научный сотрудник.
1998–2000 — старший научный сотрудник.
2002–2004 — работа в Georgia State University, Department of Physics and Astronomy, Optoelectronics Lab. (Atlanta, USA). Разработка, оптимизация параметров и экспериментальные исследования фотоприемников на основе соединений A3B5 для спектрального диапазона 5-80 мкм при гелиевых температурах.
2004–2006 — ведущий научный сотрудник.
2006 — по настоящее время исполняющий обязанности заведующего лабораторией № 13 "Физика кинетических явлений в полупроводниках".
Публикации
Опубликовано 115 научных работ.
Избранные публикации
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, Б.И. Фомин, В. Н. Овсюк, "Неохлаждаемые матричные микроболометрические приемники инфракрасного диапазона". Вестник Научного центра по безопасности работ в угольной промышленности.2016, № 2, стр. 130-135.
В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе оксида ванадия, полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления", Успехи прикладной физики, т. 1, №4, с. 471-476 (2013)
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, И.В. Марчишин, В.Ш. Алиев, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, В.И. Литвинцев,«Разработка и применение неохлаждаемых матричных микроболометров для терагерцового диапазона».Вестник НГУ, серия «Физика», том 5, вып. 4, 2010, стр. 73-78
М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, С.А. Волков, И.В. Марчишин, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, В.Л. Дшхунян, Е.Б. Володин, А.В. Ермолов, П.П. Усов, В.П. Чесноков, Ю.С. Четверов, П.Н. Кудрявцев, А.Е. Здобников, А.А. Игнатов., "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство формата 320х240 на основе золь-гель VOx", Прикладная физика, № 4, с. 124-130, 2010
М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк Б.И.Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, "Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов." Оптический журнал, т. 76, № 12, стр. 5-11, 2009
Н.А. Винокуров , М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев , Б. А. Князев, Г.Н. Кулипанов, О.И. Чащина, В.С. Черкасский, "Спекл-структура изображений объектов, освещаемых монохроматическим когерентным терагерцовым излучением", Квантовая электроника, Том 39, № 5, с. 481-486. (2009)
M.A.Dem’yanenko, D.G. Esaev,B. A. Knyazev, G. N. Kulipanov, and N. A. Vinokurov, "Imaging with a 90 frames/s microbolometer focal plane array and high-power terahertz free electron laser", APPLIED PHYSICS LETTER S 92, 131-116 , 2008.
Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, А.П Савченко, В.А Фатеев, В.В Шашкин, А.В. Сухарев, А.А. Падалица, И.В. Будкин, А.А. Мармалюк," Инфракрасное фотоприемное устройство 320х256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами", Автометрия, 43, 112-118 (2007)
G. Ariyawansa, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, S.G. Matsik, G. Hastings, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, and V.I. Gavrilenko, Near- and Far-Infrared p-GaAs Dual Band Detector, Appl. Phys. Lett, 86, 143-510, (2005).
D.G. Esaеv, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna," Effect of Doped Substrate on GaAs/AlGaAs Interfacial Workfunction IR Detector Response through Cavity Effect", IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (3), 413-418, (2005).
D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, S.G. Matsik, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna, "Free carrier absorption in Be doped epitaxial AlGaAs thin films". Appl. Phys. Lett., 85 (22), pp.5236-5238 (2004)
D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, "Design and optimization of GaAs/AlGaAs heterojunction infrared detectors", Jour. Appl. Phys,96, pp. 4588-4597 (2004)
M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, "Heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors for use at 8-20 m", IEE Proc.-Optoelectronics., 150, 385-389 (2003)
D.G. Esaev, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "Resonant cavity enhancement in heterojunction GaAs/AlGaAs Terahertz detectors" J. Appl. Phys., 93, 1879-1883 (2003).
S.G. Matsik, M.B. M. Rinzan, A.G.U. Perera, D.G. Esaev, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, M. Buchanan, "Resonant cavity enhanced GaAs/AlGaAs IR detectors", Quantum Sensing: Evolution and Revolution from Past to Future”, 27-30 January 2003, San Jose, California, USA, Proc. SPIE, vol. 4999 (2003), pp. 467-477
С.П. Синица, Д.Г. Есаев, A.A. Французов, "Фотоприемники с блокированной прыжковой проводимостью", "Матричные фотоприемники для ИК диапазона", Сборник трудов под ред. С.П. Синицы «Наука», Новосибирск, 2001, стр. 256-306.
Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Д.Г. Есаев, Ф.Ф. Сизов, В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, "Процессы токопереноса в n+-p-фотодиодах на основе HgCdTe", ФТП, 35 (7), 835-840 (2001)
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Фотоэлектрические характеристики ИК фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 35(4), 474-478 (2001)
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 34(10), 1270-1274 (2000)
Esaev D.G., Sinitsa S.P., "Hot electrons in silicon dioxide and nitride films", Microelectronic Engineering, 1993, v.22, 1-4, pp. 211-214.
Есаев Д.Г., Ефимов В.М., Шкляев А. А., "Effect of hydrogen on hot electron energy relaxation in SiO2 and Si3N4 films". Thin solid films, v.221, 1992, 160-165
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Горячие электроны в SiO2", Сборник “Аморфные Полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике” АПН, Москва, 1989
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Эмиссия горячих электронов из SiO2 вблизи порогового поля", Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в.10, 913-916.
Есаев Д.Г., Синица С.П., " Эмиссия горячих электронов через заряженную поверхность диэлектрика", Письма в ЖТФ, 1986, т.12, вып.17, 1063-1066
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Бесконтактный метод измерения высоты барьера на поверхности раздела диэлектрик- полупроводник", Микроэлектроника, 1986, т.15, вып.6, 532-534
Есаев Д.Г., Синица С.П., "Спектр и кинетика фотоиндуцированного поглощения в аморфном Si3N4", Микроэлектроника, 1984, т.13, вып.5, 448-455
Есаев Д.Г., Шашкин В.В., "Определение радиуса локализации носителей заряда на центрах локализации в Si3N4", Электронная техника, серия Микроэлектроника, 1984, I(200)
Васильев В.В., Есаев Д.Г., Захарьяш Т.И., "Метод волноводной спектроскопии для исследования тонких пленок", Оптика и спектроскопия, 1982, 52, №3, 545-547