ЛАБОРАТОРИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

ПУБЛИКАЦИИ

Монографии

  1. Michael A. Dem'yanenko, Dmitry G. Esaev, Aleksandr I. Toropov, Natalia A. Valisheva, Sergey A. Dvoretsky, Dmitry V. Dmitriev, Dmitry V. Gulyaev, Vladimir A. Fateev, Igor V. Marchishin, Dmitry Yu Protasov, Anatoly P. Savchenko, Victor N. Ovsyuk and Konstantin Zhuravlev, AlGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetectors, Chapter 6 in the book "Two-dimensional Materials for Photodetector", pp138-160, 2018, published by INTECH http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.71266, ISBN 978-953-51-3952-2.
  2. Фотоника. Словарь терминов. // Ковалевская Т. Е., Овсюк В.Н., Белоконев В.М., Дегтярев Е.В. Под ред. В.Н. Овсюка. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2004, 342 С.
  3. Матричные фотоприёмные устройства инфракрасного диапазона. // В.Н. Овсюк, Г.Л. Курышев, Ю.Г. Сидоров, и др., Новосибирск, «Наука», 2001, 375 С.
  4. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда. Новосибирск: Наука, 1984, 253 С.

Избранные публикации

  1. М.А. Демьяненко. Эффективные широкополосные приёмники терагерцового излучения на основе болометров с тонким металлическим поглотителем // Журнал технической физики. Т. 88. Вып. 1. С. 121–126. (2018).
  2. М.А. Демьяненко. Поглощение инфракрасного излучения в многослойной болометрической структуре с тонким металлическим поглотителем // Оптический журнал. Т. 84. Вып. 1. С. 48–57. (2017).
  3. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Оптимизация параметров системы «ИК - фоточувствительный элемент на основе многослойных структур с квантовыми ямами – кремниевый мультиплексор фотосигналов. – Оптический журнал, 2017, Т. 84, № 9, с. 59-65.
  4. D. Yu. Protasov and K. S. Zhuravlev, “The Influence of Impurity Profiles on Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in AlGaAs/InGaAs/GaAs Heterostructures Modulation-Doped by Donors and Acceptors”, Solid State Electronics, V.129, Pp. 66-72 (2017).
  5. М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, В.Н. Овсюк. Аналитическое сравнение характеристик фотоприёмников инфракрасного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фоторезисторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Оптический журнал, т. 83, №9, С. 64-71. (2016).
  6. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Создание аналого-цифровых кремниевых мультиплексоров сигналов фотоприёмников инфракрасного диапазона. – Автометрия, 2016, Т. 52, № 6, С. 120-127.
  7. Демьяненко М. А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н. О мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приёмниках инфракрасного и терагерцового диапазонов. - Автометрия, 2016, т. 52, № 2, С. 115-123
  8. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Неохлаждаемые матричные микроболометрические приёмники инфракрасного диапазона. – Вестник Научного центра по безопасности работ в угольной промышленности, 2016, . 2, С. 130-135.
  9. Kozhukhov Anton, Klimenko Anatoliy, Shcheglov Dmitriy, Volodin Vladimir, Karnaeva Natalya, Latyshev Alexander, Highly conductive indium nanowires deposited on silicon by dip- pen nanolithography, Journal of Applied Physics, 2015, vol. 117, 14, p.
  10. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, А.Г. Клименко, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк. Преобразование изображений в мозаичных неохлаждаемых микроболометрических приёмниках инфракрасного и терагерцового диапазона форматом до 3072×576 и более. // Оптический журнал, т. 81, №3, С. 35-43. (2014).
  11. Овсюк В.Н., Демьяненко М.А., Есаев Д.Г. От электронных процессов на поверхности полупроводников к инфракрасным матричным приёмникам. Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН (1964-2014), Новосибирск, изд. «Параллель», С. 126-146, 2014.
  12. В.Ш. Алиев, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприёмное устройство формата 320х240 на основе оксида ванадия, полученного методом реактивного ионно-лучевого распыления", Успехи прикладной физики, т. 1, №4, С. 471-476 (2013).
  13. Д.Ю. Протасов, Т.В. Малин, А.В. Тихонов, А.Ф. Цацульников, К.С.Журавлев, «Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом», ФТП, 2013, Т. 47, вып. 1, С. 36-47.
  14. D. Yu. Protasov, Wen-Bin Jian, K.A.Svit, T.A.Duda, S.A.Teys, A.S. Kozhuhov, L.L.Sveshnikova, K.S.Zhuravlev «Formation of Arrays of Free Standing CdS Quantum Dots Using the Langmuir-Blodgett Technique», The Journal of Physical Chemistry С, 2011, 115 (41), pp 20148–20152
  15. B.A. Knyazev, V.S. Cherkassky, Y. Y. Choporova, V.V. Gerasimov., M.G. Vlasenko, M.A. Dem’yanenko., D.G. Esaev. Real-time imaging using a high-power monochromatic terahertz source: comparative description of imaging techniques with examples of application. // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, V.32, N 10, P.1207-1222. (2011).
  16. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, "Применение неохлаждаемых матричных матричных микроболометрических приёмников для регистрации излучения терагерцового спектрального диапазона". Автометрия, том 47, № 5, С. 109-113. (2011).
  17. М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, С.А. Волков, И.В. Марчишин, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, В.Л. Дшхунян, Е.Б. Володин, А.В. Ермолов, П.П. Усов, В.П. Чесноков, Ю.С. Четверов, П.Н. Кудрявцев, А.Е. Здобников, А А. Игнатов., "Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприёмное устройство формата 320х240 на основе золь-гель VOx", Прикладная физика, № 4, С. 124-130, (2010).
  18. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И. Фомин, И.В. Марчишин, В.Ш. Алиев, Б.А. Князев, В.В. Герасимов, Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, В.И. Литвинцев, «Разработка и применение неохлаждаемых матричных микроболометров для терагерцового диапазона». Вестник НГУ, серия «Физика», том 5, вып. 4, 2010, стр. 73-78
  19. Быков А.А, Марчишин И.В. "Гигантские осцилляции магнетопроводимости, индуцированные микроволновым излучением в двумерных электронных дисках Корбино с ёмкостными контактами". Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, т. 92, №1, стр. 73-76
  20. Bykov A.A., Marchishin I.V., Goran A.V., Dmitriev D.V. "Microwave Induced Zero-Conductance State in a Corbino Geometry 2D Electron Gas with Capacitive Contacts". APPL PHYS LETT, 2010, т. 97, стр. 082107
  21. М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, В.Н. Овсюк, Б.И.Фомин, А.Л. Асеев, Б.А. Князев Г.Н. Кулипанов, Н.А. Винокуров, "Матричные микроболометрические приёмники для инфракрасного и терагерцового диапазонов. "Оптический журнал, т. 76, № 12, С. 5-11, (2009).
  22. Н.А .Винокуров, М.А. Демьяненко, Д.Г. Есаев, Б.А. Князев, Г.Н. Кулипанов, О.И. Чащина, В.С. Черкасский, "Спекл-структура изображений объектов, освещаемых монохроматическим когерентным терагерцовым излучением", Квантовая электроника, Том 39, № 5, С. 481-486. (2009)
  23. А.Г. Клименко, Т.Н. Недосекина, Н.В. Карнаева, И.В. Марчишин, А.Р. Новоселов, Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах, Оптический журнал, Т. 76, № 12, 63-76, 2009
  24. М.А. Демьяненко., В.Н. Овсюк. Применение импульсов смещения для выравнивания сигналов в матричных микроболометрических приёмниках. // Оптический журнал. Т. 75, № 2, С. 58-64. (2008).
  25. M.A.Dem’yanenko, D.G.Esaev, B.A.Knyazev, G.N.Kulipanov, N.A.Vinokurov. Imaging with a 90 frames/s microbolometer focal plane array and high-power terahertz free electron laser. // Applied Physics Letters. V. 92, No13, 113-116, (2008).
  26. Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Карнаева Н.В., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Есаев Д.Г., Новоселов А.Р./ Принципы сборки крупноформатных модулей на индиевых микростолбах. // Тезисы докладов «Российского совещания по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника 2008»»г. Новосибирск, 19-23 августа 2008г., стр. 114
  27. Д.Г. Есаев, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк, А.П Савченко, В.А Фатеев, В.В Шашкин, А.В. Сухарев, А.А. Падалица, И.В. Будкин, А.А. Мармалюк,"Инфракрасное фотоприёмное устройство 320х256 на основе многослойных структур с квантовыми ямами", Автометрия, 43, 112-118 (2007)
  28. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. "Кремниевые мультиплексоры 320х256 для инфракрасных фотоприёмных устройств на основе КРТ-фотодиодов" Автометрия, 2007, т. 43, № 4, С. 74-82
  29. В.Н. Овсюк, В.В. Шашкин, М.А. Демьяненко, Б.И. Фомин, Л.Л. Васильева, А.П.Соловьев. Неохлаждаемые матричные микроболометрические приёмники ИК излучения на основе золь-гель VOx. //Прикладная физика, № 6, С.114-117. (2005).
  30. Демьяненко М.А., Кравченко А.Ф. , Овсюк В.Н., Неохлаждаемые резистивные микроболометры. Ч.II. Режим импульсного смещения. // Автометрия. № 5, С.108-121. (2005).
  31. G. Ariyawansa, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, S.G. Matsik, G. Hastings, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, and V.I. Gavrilenko, Near- and Far-Infrared p-GaAs Dual Band Detector, Appl. Phys. Lett, 86, 143-510, (2005).
  32. D.G. Esaеv, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna,"Effect of Doped Substrate on GaAs/AlGaAs Interfacial Workfunction IR Detector Response through Cavity Effect", IEEE Transactions on Electron Devices, 52 (3), 413-418, (2005).
  33. Козлов А. И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В. Кремниевые мультиплексоры для многоэлементных фотоприёмников ИК диапазона. – Автометрия, 2005, Т. 41, № 3, С. 88–99.
  34. F.F. Sizov, V.N. Ovsyuk, V.V. Vasil'ev, T.I. Zakhar'yash, A.O. Suslyakov, N.H. Talipov, N.N. Mikhailov, V.S. Varavin, V.P. Reva, A.G. Golenkov, Y.P. Derkach, V.V. Zabudsky, and S.V. Korinets. 4x288 linear array with hybrid ROIC (CCD + CMOS). – Proceedings SPIE, 2005, Vol. 5726, pp. 132-139.
  35. В.В.Васильев, В.Н.Овсюк, В.В.Шашкин, А.Л.Асеев. Инфракрасные фотоприёмные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. – Оптический журнал, 2005, т.72, №6, с.63-69.
  36. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, S.G. Matsik, G.Von Winckel, A. Stintz, and S. Krishna, "Free carrier absorption in Be doped epitaxial AlGaAs thin films". Appl. Phys. Lett., 85 (22), pp.5236-5238 (2004)
  37. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, "Design and optimization of GaAs/AlGaAs heterojunction infrared detectors", Jour. Appl. Phys,96, pp. 4588-4597 (2004)
  38. S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "20 m cutoff heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors", Appl. Phys. Lett., 84, 3435-3437 (2004)
  39. D.G. Esaev, M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, A.G.U. Perera, H.C. Liu, B.N. Zvonkov, V.I. Gavrilenko, A.A. Belyanin, "High performance single emitter homojunction interfacial workfunction far infrared detectors", J. Appl. Phys., 95, 512-519 (2004)
  40. V.N.Ovsyuk, V.V.Shashkin, M.A.Demyanenko, B.I.Fomin, L.L.Vasilyeva, A.P.Soloviev. Uncooled microbolometer IR FPA on sol-gel VOx. – Proceedings of SPIE, 2004, vol. 5834, p. 47–54.
  41. V.V. Vasilyev, A.G. Klimenko, I.V. Marchishin, V.N. Ovsyuk, N.Ch. Talipov, A.G. Golenkov, Yu.P. Derkach, V.P. Reva, F.F. Sizov, V.V. Zabudsky. MCT heteroepitaxial 4x288 FPA. – Infrared Phys. and Technology, 2004, 44, p. 13 – 23.
  42. Ковалевская Т.Е., Овсюк В.Н. О распределении потенциала в тонком слое варизонного полупроводника. – Прикладная физика, 2004, № 5, С. 115–121.
  43. M.B.M. Rinzan, S.G. Matsik, D.G. Esaev, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, Z.R. Wasilewski, "Heterojunction interfacial workfunction internal photoemission detectors for use at 8-20 m", IEE Proc.-Optoelectronics., 150, 385-389 (2003)
  44. D.G. Esaev, S.G. Matsik, M.B.M. Rinzan, A.G.U. Perera, H.C. Liu, M. Buchanan, "Resonant cavity enhancement in heterojunction GaAs/AlGaAs Terahertz detectors" J. Appl. Phys., 93, 1879-1883 (2003).
  45. S.G. Matsik, M.B. M. Rinzan, A.G.U. Perera, D.G. Esaev, H.C. Liu, Z.R. Wasilewski, M. Buchanan, "Resonant cavity enhanced GaAs/AlGaAs IR detectors", Quantum Sensing: Evolution and Revolution from Past to Future”, 27-30 January 2003, San Jose, California, USA, Proc. SPIE, vol. 4999 (2003), pp. 467-477
  46. Yu.P.Derkach, S.A.Dvoretski, A.G.Golenkov, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, I.V. Marchishin, V.N.Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky. “The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base”. – Proceedings SPIE, 2003, vol. 5126, p.98-104.
  47. Yu.P.Derkach, S.A.Dvoretski, A.G.Golenkov, A.G.Klimenko, A.I.Kozlov, I.V. Marchishin, V.N.Ovsyuk, V.P. Reva, Yu.G. Sidorov, F.F. Sizov, A.O. Suslyakov, N.Kh. Talipov, V.V. Vasiliev, T.I. Zahar’yash, V.V. Zabudsky. “The 4×288 linear FPA on the heteroepitaxial HgCdTe base”. – Proceedings SPIE, 2003, vol. 5126, p.98-104.
  48. С.П. Синица, Д.Г. Есаев, A.A. Французов, "Фотоприёмники с блокированной прыжковой проводимостью", "Матричные фотоприёмники для ИК диапазона", Сборник трудов под ред. С.П. Синицы «Наука», Новосибирск, , стр. 256-306.
  49. Ж.В. Гуменюк-Сычевская, Д.Г. Есаев, Ф.Ф. Сизов, В.Н. Овсюк, В.В. Васильев, "Процессы токопереноса в n+-p-фотодиодах на основе HgCdTe", ФТП, 35 (7), 835-840 (2001)
  50. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Фотоэлектрические характеристики ИК фотоприёмников с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 35(4), 474-478 (2001)
  51. Клименко А.Г., Недосекина Т.Н., Карнаева Н.В., Овсюк В.Н., Захарьяш Т.И., Васильев В.В., Новоселов А.Р./ Индиевые микростолбы для холодной сварки инфракрасных фотоприёмных устройств при минимальных давлениях.// Наука производству. №12, 2001, стр.50-53
  52. Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприёмники 128х128 на основе слоев HgCdTe и многослойных структур с квантовыми ямами. – Физика и техника полупроводников, 2001, Т. 35, Вып. 9, С. 1159–1165.
  53. Есаев Д.Г., Синица С.П., "Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью", ФТП, 34(10), 1270-1274 (2000)
  54. Демьяненко М.А., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Многофононный захват носителей на глубокие центры в обедненной области полупроводника. // Физика и техника полупроводников, Т.34, № 6 , С.660-666. (2000).
  55. Демьяненко М.А., Марчишин И.В., Клименко А.Г., Козлов А.И., Овсюк В.Н., Савченко А.П., Торопов А.И., Шашкин В.В. Матричные ИК фотоприёмники на основе многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs. // Прикладная физика, № 6, С.94-99, (2000).
  56. Demyanenko M.A., Marchishin I.V., Klimenko A.G., Kozlov A.I., Savchenko A.P., Toropov A.I., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V. 128x128 IR FPA based on GaAs/AlGaAs MQW. – Proceedings SPIE, 2000, Vol. 4340, P. 27–30.
  57. Sidorov Yu.G., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Yakushev M.V., Varavin V.S., Vasilyev V.V., Suslyakov A.O. MCT heterostructure design and growth by MBE for IR devices. – Proceedings SPIE, 2000, Vol. 4340, P. 232–239.
  58. Sizov F.F., Ovsyuk V.N., Vasilyev V.V., Esaev D.G., Sidorov Yu.G., Reva V.P., Golenkov A.G., Derkach Yu.P. Properties of 2x64 linear HgCdTe molecular beam epitaxy long wavelength infrared arrays with charge coupled devicies silicon readouts. – Sensors and Materials, 2000, Vol. 12, No. 7, P. 435–444.

Патенты РФ

  1. В.М. Ефимов, Д.Г. Есаев, Микроконтакт для фотоприёмной гибридной микросхемы, Патент на изобретение № 2621889, Заявка № 2016128624, Зарегистрирован 07.06.2017
  2. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Патент РФ № 2602373. Кремниевый мультиплексор, Опубликовано 20.11.2016, Бюл. №32.
  3. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Двухкаскадный динамический сдвиговый регистр, Патент на изобретение № 2542898, Приоритет изобретения от 05.03.2014, Зарегистрирован 23.01.2015, Опубликовано: 27.02.2015 Бюл. № 6
  4. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Динамический регистр сдвига, Патент на изобретение № 2542913, Приоритет изобретения от 27.03.2014, Зарегистрирован 23.01.2015, Опубликовано: 27.02.2015, Бюл. № 6
  5. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Двухтактный сдвигающий регистр, Патент РФ на изобретение № 2549136, Приоритет изобретения от 05.05.2014, Зарегистрирован 16.03.2015, Опубликовано. 20.04.2015, Бюл. №11.
  6. Демьяненко М.А, Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Сдвиговый регистр, Патент РФ № 2522306, Опубликовано 10.07.2014, Бюл. № 19
  7. Демьяненко М.А, Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Сдвиговый регистр, Патент РФ № 2527188, Опубликовано 27.08.2014, Бюл. № 24
  8. Демьяненко М.А, Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Сдвиговый регистр (варианты), Патент РФ № 2530271, Опубликовано 10.10.2014, Бюл. № 28, Патент на изобретение № 2556437
  9. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Филиппова В.В., Двухтактный динамический регистр сдвига, Приоритет изобретения от 16.06.2014, Зарегистрирован 16.06.2015, Опубликовано: 10.07.2015 Бюл. № 19