Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках

ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ

Основные направления научно-исследовательской деятельности лаборатории:

• Неохлаждаемые микроболометрические ИК приёмники.
• ИК-приемники на основе многослойных структур с квантовыми ямами (МСКЯ).
• ИК-приемники на основе гетероструктур CdHgTe (КРТ) 1990-2007 гг.
• Матричные приёмники терагерцового излучения.
• Матричные и линейчатые мультиплексоры для ИК приёмников разного назначения.
• Мощные СВЧ транзисторы на слоистых полупроводниковых структурах.
  (Совместно с Лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А₃В₅)

Кадровый состав лаборатории 17 человек, из них:
6 научных сотрудников (1 д.ф.-м.н., 3 к.ф.-м.н., 1 к.т.н.)
11 человек инженерно-технического персонала (3 к.ф.-м.н.).

Лаборатория располагается в здании Термостатированного корпуса ИФП СО РАН по адресу: г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30.