ПУБЛИКАЦИИ



2008

Статьи в рецензируемых журналах

  1. А.А. Французов, Н.И. Бояркина, В.П. Попов. Снижение подвижности электронов в канале металл-окисел-полупроводник транзистора при уменьшении длины затвора. ФТП, т. 42, в. 2, с. 215-219, 2008.
  2. А.Н. Карпов, Д.В. Марин, В.А. Володин, J. Jedrzejewski, Г.А. Качурин, E. Savir, Н.Л. Шварц, З.Ш. Яновицкая, Y. Goldstein, I. Balberg. Формирование SiOx-слоев при плазменном распылении Si- и SiO2-мишеней. ФТП, 2008, т. 42, в. 6, стр. 747-752.
    http://journals.ioffe.ru/ftp/2008/06/page-747.html.ru
  3. G.A. Kachurin, S.G. Cherkova, D.V. Marin, R.A. Yankov and M. Deutschmann. Formation of light-emitting Si nanostructures in SiO2 by pulsed anneals. Nanotechnology 19 (2008) 355305 (5pp).
  4. O.V. Naumova, Y.V. Nastaushev, S.N. Svitasheva, L.V. Sokolov, P. Werner, N.D. Zakharov, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, and A.L. Aseev. MBE-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties. Nanotechnology, 19 (2008) 225708 (5pp).
  5. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, M. Deutschmann. Действие мощных нано- и фемтосекундных лазерных импульсов на кремниевые наноструктуры. ФТП, 2008, т. 42, в. 2, стр. 181-186.
  6. Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, В.А. Володин. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации в нанокристаллы кремния. ФТП, 2008, т. 42, в. 9, стр. 1145-1149.
  7. I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, and V.P. Popov. Crystallization of InSb phase near the bonding interface of silicon-oninsulator structure. Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 137-142.
  8. I.E. Tyschenko, A.G. Cherkov, M. Voelskow, and V.P. Popov. SiGe heterostructures-on-insulator produced by Ge+-ion implantation and subsequent hydrogen transfer. Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) pp. 143-147.
  9. V.A. Shvets, I.E. Tyschenko, S.I. Chikichev, V.Yu. Prokopiev. Real-time ellipsometric study of Ge+ ion implanted SiO2 layers during fast annealing. Phys. Stat. Sol. (c). v. 5, № 5, (2008), pp. 1287-1289.
  10. I.E. Tyschenko, M. Voelskow, A.G. Cherkov, V.P. Popov. The properties of the nanometer thick Si/Ge films-on-insulator produced by Ge+ ion implantation and subsequent hydrogen transfer. Phys. Stat. Sol. (c). v. 5, № 12, (2008), pp. 3724-3727.