ПУБЛИКАЦИИ



2003

Статьи в рецензируемых журналах

  1. Д.В. Киланов, В.П. Попов, Л.Н. Сафронов, А.И. Никифоров, Р. Шольц. «Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором», ФТП, 2003, т. 37, в. 6, с. 644-648.
  2. Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова, Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и гамма-квантами, ФТП, 2003, 37(4), 443-449.
  3. И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Я. Бак-Мисюк, В.И. Ободников, Е.В. Спесивцев, В.П. Попов, Электрофизические и структурные свойства тонких отсеченных слоев кремния в структурах кремний–на –изоляторе, Изв.Академии Наук, сер. Физическая, 2003, 67(2), 175-178.
  4. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.P. Popov, V.A. Skuratov, DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 547-552.
  5. I.V. Antonova, D. Yang, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, Formation of the thermal donors in the hydrogen implanted Nitrogen-Doped Silicon Crystal, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4 pp. 367-372.
  6. I.V. Antonova, M.B. Gulyev, L.N. Safronov, S.A. Smagulova, Competition between Thermal Donors and thermal acceptors in electron irradiated Silicon annealed at temperatures 400-700 °C, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 385 – 391.
  7. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 457-462.
  8. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov,V.F. Stas, Heterostructures formed on silicon by high-dose multi-energy hydrogen implantation, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 422-426.
  9. M. Kaniewska, I.V. Antonova , V.P. Popov, Study of Complex Free-Carrier Profiles in Hydrogen Implanted and Annealed Silicon, Phys. Stat. Sol. 2003, (c), 0(2), 715 – 720.
  10. M. Kaniewska, I.V. Antonova , V.P. Popov, Capacitance study of defects induced in heavily damaged region formed in hydrogen implanted and annealed p-type Si, Materials Science & Engeneering B, 2003, v. 102, n 1-3, 233-237.
  11. I.V. Antonova, S.A. Smagulova, L.N. Safronov, Formation of the Shallow donors and acceptors in Silicon irradiated with either electron or high energy ions and annealed at temperatures 400-700oC, Phys.Stat.Sol (c), 2003, 0(2) 690-693.
  12. С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов, Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелых ионов высоких энергий, ФТП, 2003, 37(5), 565-569.
  13. I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI, принята в Electrochemical and Sol.St letter.
  14. A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, L. Bryja, J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, E.N. Vandyshev, A. Barcz, M. Kaniewska, A. Romano-Rodriguez, C. Kovacsics, Porous-like silicon prepared from Si:H annealed at high argon pressure, Phys. Stat. Sol. (a), 2003, 197(1), 236-240.
  15. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации, ФТП, 2003, 37(10), 1253-1259.
  16. И.В. Антонова, В.А. Стучинский, О.В. Наумова, Д.В. Николаев, В.П. Попов, Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний на изоляторе, ФТП, 2003, 37(11), 1341-1345.
  17. A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V. Rainery, J. Back-Misiuk, A. Romano-Rodriguez Porous-like silicon prepared from Si:H and Si:He annealed at high argon pressure, Phys.State.Sol., 2003, v.197, 1, 236 – 240.
  18. I.V. Antonova, A. Misiuk, A. Barcz, D. Yang, V.P. Popov, Gettering of Impurities in Hydrogen Implanted Nitrogen-Doped Silicon, Solid St.Phenomena, 2004, v. 95-96, 565-570.
  19. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin and A.L. Aseev, Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication, Microelectronic Engineering, 2003, 69(2-4), 168-172.
  20. I.V. Antonova, C.A. Londos, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii, M. Potsidou, A. Misiuk, Defects in silicon heat-treated under uniform stress and irradiated with high dose of fast neutrons, Phys.Stat.Sol.(а), 199 (2), 2003, 207-213.
  21. I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.P. Popov, J. Stano, V.A. Skuratov, Modification of the bonded interface in silicon-on-insulator structures under thermal treatment in hydrogen ambient, J. Appl.Phys, 2003, 93(1), 426-431.
  22. О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась Электрофизические свойства структур Si:H/p-Si созданные имплантацией водорода, ФТП, 2003, 37(1), 93-97.
  23. D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiljev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implantad SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2003. V. 16. No. 3-4. P. 410-413.
  24. Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2. ФТП, 2003, т. 37, в. 6, с. 738.
  25. В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Г.А. Качурин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, С.Г. Яновская. Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si. Известия АН, сер.физ., 2003, 67, № 2, 184-186.
  26. M.D. Efremov, G.N. Kamaev, G.A. Kachurin, V.A. Volodin, S.A. Arzhannikova, A.V. Kretinin, V.V. Malutina-Bronskaya, D.V. Marin, S.G. Yanovskaya. Coulomb blockade in silicon nanocrystals embedded in SiO2 matrix. Solid State Phenomena, 2003, Vols. 95-96, pp. 629-634.
  27. Л.Н. Сафронов, М.А. Ильницкий. – Свойства дефектов в нанокристаллах кремния и свойства нанокристаллов с дефектами, Микросистемная Техника, 2003, № 9, стр. 1, 22-26.
  28. И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа. Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением. ФТП, 2003, т. 37, в. 4, с. 479-484.
  29. I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, R.A. Yankov, W. Skorupa, Raman and HRTEM investigations of Ge nanocrystals produced by Ge+ ion implantation of SiO2 films and subsequent high-pressure annealing. Crystalline Materials for Optoelectronics (Proceed. SPIE Solid State Crystals 2002, J.Rutkowski, A.Rogalski, eds.), vol. 5136, 2003, pp. 236-242.
  30. I.V. Antonova, J. Stano, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Traps at the bonded Si/SiO2 interface in silicon-on-insulator structures, Electrochemical Society Proceedings, PV-2003-19, Semiconductor wafer bonding VII: Science, technology and applications, pp. 64-69, 2003.