ПУБЛИКАЦИИ
2003
Статьи в рецензируемых журналах
- Д.В. Киланов, В.П. Попов, Л.Н. Сафронов, А.И. Никифоров, Р. Шольц. «Водородно-индуцированное скалывание в кремнии по заглубленному слою, сильно легированному бором», ФТП, 2003, т. 37, в. 6, с. 644-648.
- Д.В. Николаев, И.В. Антонова, О.В. Наумова, В.П. Попов, С.А. Смагулова, Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и гамма-квантами, ФТП, 2003, 37(4), 443-449.
- И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Я. Бак-Мисюк, В.И. Ободников, Е.В. Спесивцев, В.П. Попов, Электрофизические и структурные свойства тонких отсеченных слоев кремния в структурах кремний–на –изоляторе, Изв.Академии Наук, сер. Физическая, 2003, 67(2), 175-178.
- I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.P. Popov, V.A. Skuratov, DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 547-552.
- I.V. Antonova, D. Yang, V.P. Popov, V.I. Obodnikov, A. Misiuk, Formation of the thermal donors in the hydrogen implanted Nitrogen-Doped Silicon Crystal, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4 pp. 367-372.
- I.V. Antonova, M.B. Gulyev, L.N. Safronov, S.A. Smagulova, Competition between Thermal Donors and thermal acceptors in electron irradiated Silicon annealed at temperatures 400-700 °C, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 385 – 391.
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, A.L. Aseev, Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 457-462.
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov,V.F. Stas, Heterostructures formed on silicon by high-dose multi-energy hydrogen implantation, Microelectronic Engineering, 2003, 66/1-4, pp. 422-426.
- M. Kaniewska, I.V. Antonova , V.P. Popov, Study of Complex Free-Carrier Profiles in Hydrogen Implanted and Annealed Silicon, Phys. Stat. Sol. 2003, (c), 0(2), 715 – 720.
- M. Kaniewska, I.V. Antonova , V.P. Popov, Capacitance study of defects induced in heavily damaged region formed in hydrogen implanted and annealed p-type Si, Materials Science & Engeneering B, 2003, v. 102, n 1-3, 233-237.
- I.V. Antonova, S.A. Smagulova, L.N. Safronov, Formation of the Shallow donors and acceptors in Silicon irradiated with either electron or high energy ions and annealed at temperatures 400-700oC, Phys.Stat.Sol (c), 2003, 0(2) 690-693.
- С.А. Смагулова, И.В. Антонова, Е.П. Неустроев, В.А. Скуратов, Релаксация дефектной подсистемы кремния, модифицированной облучением тяжелых ионов высоких энергий, ФТП, 2003, 37(5), 565-569.
- I.V. Antonova, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI, принята в Electrochemical and Sol.St letter.
- A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, L. Bryja, J. Bak-Misiuk, I.V. Antonova, E.N. Vandyshev, A. Barcz, M. Kaniewska, A. Romano-Rodriguez, C. Kovacsics, Porous-like silicon prepared from Si:H annealed at high argon pressure, Phys. Stat. Sol. (a), 2003, 197(1), 236-240.
- О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев, КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации, ФТП, 2003, 37(10), 1253-1259.
- И.В. Антонова, В.А. Стучинский, О.В. Наумова, Д.В. Николаев, В.П. Попов, Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний на изоляторе, ФТП, 2003, 37(11), 1341-1345.
- A. Misiuk, K.S. Zhuravlev, E.N. Vandyshev, I.V. Antonova, V.P. Popov, V. Rainery, J. Back-Misiuk, A. Romano-Rodriguez Porous-like silicon prepared from Si:H and Si:He annealed at high argon pressure, Phys.State.Sol., 2003, v.197, 1, 236 – 240.
- I.V. Antonova, A. Misiuk, A. Barcz, D. Yang, V.P. Popov, Gettering of Impurities in Hydrogen Implanted Nitrogen-Doped Silicon, Solid St.Phenomena, 2004, v. 95-96, 565-570.
- O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin and A.L. Aseev, Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale device fabrication, Microelectronic Engineering, 2003, 69(2-4), 168-172.
- I.V. Antonova, C.A. Londos, J. Bak-Misiuk, A.K. Gutacovskii, M. Potsidou, A. Misiuk, Defects in silicon heat-treated under uniform stress and irradiated with high dose of fast neutrons, Phys.Stat.Sol.(а), 199 (2), 2003, 207-213.
- I.V. Antonova, O.V. Naumova, V.P. Popov, J. Stano, V.A. Skuratov, Modification of the bonded interface in silicon-on-insulator structures under thermal treatment in hydrogen ambient, J. Appl.Phys, 2003, 93(1), 426-431.
- О.В. Наумова, И.В. Антонова, В.П. Попов, В.Ф. Стась Электрофизические свойства структур Si:H/p-Si созданные имплантацией водорода, ФТП, 2003, 37(1), 93-97.
- D.I. Tetelbaum, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, V.K. Vasiljev, G.A. Kachurin, S.G. Yanovskaya, D.M. Gaponova. The influence of the annealing conditions on the photoluminescence of ion-implantad SiO2:Si nanosystem at additional phosphorus implantation. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2003. V. 16. No. 3-4. P. 410-413.
- Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов. Влияние имплантации ионов Р на фотолюминесценцию нанокристаллов Si в слоях SiO2. ФТП, 2003, т. 37, в. 6, с. 738.
- В.А. Бурдов, Д.М. Гапонова, О.Н. Горшков, Г.А. Качурин, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, С.А. Трушин, С.Г. Яновская. Некоторые особенности влияния ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию слоев SiO2:Si. Известия АН, сер.физ., 2003, 67, № 2, 184-186.
- M.D. Efremov, G.N. Kamaev, G.A. Kachurin, V.A. Volodin, S.A. Arzhannikova, A.V. Kretinin, V.V. Malutina-Bronskaya, D.V. Marin, S.G. Yanovskaya. Coulomb blockade in silicon nanocrystals embedded in SiO2 matrix. Solid State Phenomena, 2003, Vols. 95-96, pp. 629-634.
- Л.Н. Сафронов, М.А. Ильницкий. – Свойства дефектов в нанокристаллах кремния и свойства нанокристаллов с дефектами, Микросистемная Техника, 2003, № 9, стр. 1, 22-26.
- И.Е. Тысченко, А.Б. Талочкин, А.Г. Черков, К.С. Журавлев, А. Мисюк, М. Фельсков, В. Скорупа. Свойства нанокристаллов Ge, сформированных имплантацией ионов Ge+ в пленки SiO2 и последующим отжигом под гидростатическим давлением. ФТП, 2003, т. 37, в. 4, с. 479-484.
- I.E. Tyschenko, A.B. Talochkin, A.G. Cherkov, K.S. Zhuravlev, A. Misiuk, R.A. Yankov, W. Skorupa, Raman and HRTEM investigations of Ge nanocrystals produced by Ge+ ion implantation of SiO2 films and subsequent high-pressure annealing. Crystalline Materials for Optoelectronics (Proceed. SPIE Solid State Crystals 2002, J.Rutkowski, A.Rogalski, eds.), vol. 5136, 2003, pp. 236-242.
- I.V. Antonova, J. Stano, D.V. Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov, Traps at the bonded Si/SiO2 interface in silicon-on-insulator structures, Electrochemical Society Proceedings, PV-2003-19, Semiconductor wafer bonding VII: Science, technology and applications, pp. 64-69, 2003.