Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



1999

Статьи в рецензируемых журналах

  1. G.A. Kachurin, M.-O. Ruault, A.K. Gutakovsky, O. Kaitasov, S.G. Yanovskaya, K.S. Zhuravlev, H. Bernas. "Light particle irradiation effects in Si nanocrystals" Nucl. Instr. Meth. B 147, pp. 356-360, 1999.
  2. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk, G.A. Kachurin. "The effect of annealing under hydrostatic pressure on the visible photoluminescence from Si+-ion implanted SiO2 films". J. Luminescence, 80, pp. 229-233, 1999.
  3. А.Ф. Лейер, Л.Н. Сафронов, Г.А. Качурин. "Моделирование формирования нанопреципитатов в SiO2, содержащем избыточный кремний". ФТП, 33, в. 4, c. 389-394, 1999.
  4. Д.Е. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский “Вольт-амперные характеристики фотоприёмников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si:As” ФТП, т. 33, вып. 5,1999.
  5. Д.Е. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский “Вольт-амперные характеристики фотоприёмников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si:As (BIB-II)” ФТП, т. 33, вып. 8, 1999.
  6. Е.П. Неустроев, И.В. Антонова, В.П. Попов, Д.В. Киланов, А. Мисюк «Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода» ФТП, 33(10), c. 1153-1157, 1999.
  7. I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov «Splitting and electrical properties of the SOI structure formed from the heavily boron doped Silicon with Using of the smart-Cut technology» Microelectronic Engineering v. 48, рр. 383-386, 1999.
  8. L.I. Datsenko, J. Auleytner, A. Misiuk, V.P. Klad'ko, V.F. Machulin, J. Bak-Misiuk, D. Zymierska, V.M. Melnyk, I.V. Antonova, V.P. Popov, T. Czosnyka, J. Choinski, «Structure Perfection Variations of Si Crystals Grownby Czochralski or Floating Zone Methods after Implantation by Oxygen or Neon Atoms followind by Annealing”. Semicond. Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics, 2, рр. 56-61, 1999.
  9. I.V. Antonova, E.P. Neustroev, V.P. Popov, V.F. Stas, V.I. Obodnikov “Donor center formation in hydrogen implanted silicon”. Phys. B, 270, 1&2, 1-5, 1999.
  10. A. Misiuk, J. Jun, H.B. Surma, V.P. Popov, A. Romano-Rodriguez and M.Lopez “Luminescence Properties of Oxygen-Containing Silicon Annealed at Enhanced Argon Pressure” Phys. Stat. Solidi B, 211, pp. 233-238, 1999.
  11. A. Misiuk, H.B. Surma, I.V. Antonova, V.P. Popov, J. Bak-Misiuk, M. Lopez, A. Romano-Rodriguez, A. Barcz, J. Jun “Effect of External Stress Applied during Annealing on Hydrogen- and Oxygen-Implanted Silicon” Solid State Phen., 69-79, pp. 345-350, 1999.
  12. I.V. Antonova, A. Misiuk, J. Bak-Misiuk, V.P. Popov, A.E. Plotnikov, B. Surma “Dependence of oxygen precipitate size and strain on external stress at annealing of Cz-Si”. Journal of Alloys and Compounds 286, pp. 241-245, 1999.
  13. I.V. Antonova, A. Misiuk, H.B. Surma, J. Jun, J. Bak-Misiuk, J. Domagala, V.P. Popov, A. Romano-Rodriguez, M. Lopez “Dependence of Photoluminescence of Silicon on Conditions of Pressure – Annealing. Journal of Alloys and Compounds 286, pp. 258-264, 1999.
  14. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа. Фотолюминесценция пленок Si3N4, имплантированных ионами Ge+ и Ar+. ФТП, т. 33, № 5, с. 559-566, 1999.
  15. L. Rebohle, J. von Borany, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, Photoluminescence and electroluminescence investigations at Ge-rich SiO2 layers. Journal of Luminescence. 1999. v. 80. pp. 275-279.
  16. A. Misiuk, B. Surma, L. Rebohle, J. Jun, I.V. Antonova, I. Tyschenko, A. Romano-Rodriguez, M. Lopez. Luminescence Properties of Oxygen-Containing Silicon Annealed at Enhanced Argon Pressure. Phys. Stat. Sol. (b). 1999. v. 211. p. 233-238.
  17. Antonova, Popov, Plotnikov, Misiuk, Thermal donor and oxygen precipitate formation in silicon during 450C treatments under atmospheric and enhanced pressure, J. Electrochim. Soc., 146 (1999), 1575-1578.
  18. V.P. Popov, V.F. Stas, I.V. Antonova "Noncrucial role of the defects in the splitting for hydrogen implanted silicon with high boron concentration". MRS, 1999, V. 540, p. 499-504.
  19. V.P. Popov, A.K. Gutakovsky, I.V. Antonova, K.S. Zhuravlev, G.P. Pokhil, I.I. Morosov "Dechannealing study of mamocrystalline Si:H layers produced by hydrogen irradiation of silicon crystals". MRS, 1999, V. 536, p. 109-114.