ПУБЛИКАЦИИ



1996

Статьи в рецензируемых журналах

  1. В.Д. Ахметов, Е.Б. Горохов, Н.Т. Мошегов, А.И. Торопов “Действие облучения на оптические и фотоэлектрические свойства структур на квантовых ямах GuAs/AlGaAs, фоточувствительных в инфракрасной области спектра”, ФТП. т. 30, вып. 1, с. 23-29.
  2. И.В. Антонова, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко “Формирование электрически-активных центров за областью торможения ионов при высокотемпературной имплантации в кремний”, ФТП, т. 30, в. 11, с. 2017-2024.
  3. I.V. Аntonova, S.S. Shaimeev “Transformation of radiation defect clussters in B+ ion-implanted silicon”, Phys. Stat. Sol.(a) v. 153, N. 2, p. 329-332.
  4. И.В.Антонова, Л.И. Федина, А. Мисюк, В.П. Попов С.С. Шаймеев “Исследование методом DLTS эволюции кислородных преципитатов в Cz-Si при высоких температурах и высоком давлении”, ФТП, т. 30, в. 8, c. 1446-1454.
  5. I.V. Аntonova, L.I. Fedina, А. Мisiuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev “DLTS study of oxygen precipitates in silicon annealed at high pressere Phys”, B, v. 225, N. 3-4, p. 251-257.
  6. I.V. Аntonova, S.S. Shaimeev, S.А. Smagulova “High energy implantation of B+ ion in Si. DLTS study of the defect accumulation”, Proceedng of conference IIT-96.
  7. I.V. Аntonova, S.S. Shaimeev, S.А. Smagulova “High energy implantation of B+ ion in silicon. Defect transformation upon the annealing”, Proceedng of conference IIT-96.
  8. V.A. Schweigert, I.V. Schweigert “Coagulation in a lowtemperature plasma”. J. Phys D: Appl. Phys., V. 29, P. 655-659, 1996.
  9. A. Melzer, V.A. Schweigert, I.V. Schweigert, A.Homann, S. Peters, and A. Piel “Structure and stability of the plasma crystal”. Phys. Rev. E, V. 54, n. 1, P. R46, 1996.
  10. I.V. Schweigert, V.A. Schweigert, F.M. Peeters “Properties of two-dimensional Coulomb clusters confined in a ring” Phys. Rev. B, vol. 54, n. 15, (1996).
  11. V.A. Schweigert, I.V. Schweigert, A. Melzer, A. Homann, A. Piel. “Alignment and Instability of Dusty Crystal in Plasmas”. Phys. Rev. E vol. 54, p. 4155 (1996).
  12. W. Skorupa, R.A. Yankov, I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bome, K. Leo “Room-temperature, short-wavelength (400-500nm) photoluminescence from silicon-implanted silicon dioxide films”. Appl. Phys. Lett. 68(17), 22, 1996, 2410-2412.
  13. Г.В. Гадияк, Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко “Влияние конкурирующих стоков на эволюцию профилей распределения имплантируемого в кремний азота: численное моделирование”. ФТП, т. 30, N 11, 1960-1968, 1996.
  14. W. Skorupa, R.A. Yankov, L. Rebohle, H. Frob, T. Bome, K. Leo, I.E. Tyschenko and G.A. Kachurin “A study of the blue photoluminescence emission from thermally-grown, Si+ -implanted SiO2 films after short-time annealing”. Nucl. Instr. Meth. B, 1996, v. 119, N 1-4, pp. 106-109.