Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ



1994

Статьи в рецензируемых журналах

  1. I.V. Antonova, A.V. Dvurechinskii, A.A. Karanovich, A.V. Rybin, S.S. Shaimeev "Some point defect removal in Si irradiated by high energy heavy ions" NIM-B, 1994.
  2. I.V. Antonova, A.V. Dvurechinskii, A.A. Karanovich, A.V. Rybin, S.S. Shaimeev "Electrical active defect removal in Si irradiated by high energy heavy ions" Phys. Stat. Sol. A, 1994.
  3. A. Misuk, J. Vanhellemont, C. Claeys, J. Harwig, E. Prieur, I.V. Antonova, L. Datsenko, V. Khrupa, J. Bak-Misiuk "Creation and dissolution of oxygen related defect in czochralski grown silicon treated at high pressures -high temperatures" Proceedings of the XVIth Conference on Applied Crystalography, 1994.
  4. I.V. Antonova, L.I. Fedina, A. Misiuk, V.P. Popov, S.S. Shaimeev "DLTS study of oxygen precipitates evolution in Czochralski grown silicon at high pressures -high temperatures" Proceedings of the XVIth Conference on Applied Crystalography, 1994.
  5. Г.П. Курышев, А.М. Мясников, В.И. Ободников, Л.Н. Сафронов, Г.С. Хрящев "Перераспределение берилия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге", ФТП, 1994, т. 28, в. 3, с. 439-442.
  6. Г.А. Качурин, В.И. Ободников, В.Я. Принц, И.Е. Тысченко "Нейтрализация бора в кремнии при высокотемпературном облучении ионами аргона", ФТП, 1994, т. 28, в. 3, с. 510-514.
  7. N.P. Stepina, G.A. Kachurin, S.I. Romanov "Ion-beaminduced epitaxial cryastallization of Si due to diffusion of point defects from crystalline and amorpnous regions to the interface boundary" Phys. Stat. Sol. 1994,(a) v. 141, № 2, p. 305-310.
  8. В.А. Швейгерт, М.И. Жиляев, И.В. Швейгерт «Моделирование моносилановой плазмы ВЧ разряда». Прикл. мех. техн. ф. 1994, т. 35, № 1, с. 13-21.
  9. Талипов Н.Х., Ремесник В.Г. "Определение параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках A2B6 p-типа на основе магнитосопротивления". Письма в журнал технической физики, 1994, т. 20, в. 5, с. 57-61.
  10. Г.А. Качурин, И.Е. Тысченко «Ионный синтез захороненных диэлектрических слоев для структур кремний на изоляторе» Микроэлектроника, 1994, вып. 6, т. 23, с. 3-12.
  11. Г.А. Качурин «Стимулированная облучением твердофазная кристаллизация слоев аморфного кремния» Микроэлектроника, 1994, в. 6, т. 23, с. 83-89.
  12. G.A. Gadiayk, G.A. Kachurin, V.I. Shatrov, I.E. Tyshchenko «The modeling of the radiation enhanced diffusion of boron in silicon». J. Mechan. Behav. Materials. v. 5, N 3, 307-314, 1994.