Лаборатория физических основ материаловедения кремния

ПУБЛИКАЦИИ

1992

Статьи в рецензируемых журналах

1. Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Плотников А.Е., Попов В.П. "Рост монокристаллического a-Si₃N₄ в захороненных слоях полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N⁺ в нагретый Si". ФТП, 1992, т. 26, с. 1390-1393.
2. Герасименко Н.Н., Мясников А.М., Ободников В.И., Сафронов Л.Н. "Перераспределение магния в InAs при постимплантационном отжиге". ФТП, в. 9, с. 1651-1653.
3. Kachurin G.A., Tyschenko I.E., Fedina L.I. "High-Temperature ion implantation in silicon". Nucl.Instr.Meth., 1992, B 68, p. 323-330.
4. Качурин Г.А., Гадияк Г.В., Шатров В.И., Тысченко И.Е. "Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния: численное моделирование". ФТП, 1992, т. 26, в. 11, с. 1977-1982.
5. Gerasimenko N.N., Stas V.F. "Buried insulator layer formation by N⁺ implantation". Nucl. Instr. Meth., 1992, B 65, p. 73-78.
6. Talipov N.Kh., Popov V.P., Remesnik V.G., Nal"kina Z.A. "Intluence of annealing under an anodic oxide on changes in the composition of the surtace and conversion of the type of conduction of p-type Cd_xHg_1-xTe (x = 0,2) single crystals". Sov. Phys. Semic., 1992, B 26, n. 2, p. 310-317.
7. Швейгерт И.В., Семенова О.И., Швейгерт В.А. «Влияние параметров ВЧ разряда на скорость роста низкотемпературных SiN_x: H пленок».
8. Швейгерт И.В., Плюхин В.В. «Исследование травления кремния в SF₆».
9. Талипов Н.Х., Ремесник В.Г. «Концентрация и подвижность электронов, легких и тяжелых дырок в узкозонных полупроводниках А₂В₆ р-типа. 1. Метод определения параметров». ФТП.