CONTACTS

Novosibirsk
13 Lavrentiev aven.,
Tel.: 8 (383) 333-26-24
fax: 8 (383) 333-28-32, 8 (383) 333-24-66
Site

AWARDS

    2010
  • A.V.Dvurechenskii, RAS Corresponding member, was awarded the Honourary paper by the Novosibirsk Mayor's for his fruitful scientific-organisational activities and a great contribution to the development of Novosibirsk scientific complex.

    • 2009
  • A.A.Shevyrin, as a member of co-authors team, was marked for the contribution "Breakdown of coulomb blockade in a suspended one-electron transistor conditioned by the excitation of its mechanical vibrations modes" with a premium and a "Paper of Honour" within the IXth Russian Conference on semiconductor physics.

    • 2008
  • Doctor of phys.-meth. sci. A.V.Dvurechenskii and Doctor of phys.-meth. sci. A.V.Latyshev were elected Corresponding Members of RAS.

    • 2007
  • A.V. Dvurechenskii, Professor and Doctor of phys.-math. sci., I.G. Neizvestny, RAS Corresponding member and V.V. Bolotov, Doctor of physico-mathematical sciences were awarded the Honorary Diplomas of the Russian Ministry of Education and Science.
  • A.I. Yakimov was awarded the Paper of Honour of the SB RAS.

    • 2004
  • A.I. Yakimov was awarded the Paper of Honour of the Soviet District Administration, Novosibirsk.

    • 2003
  • A.I. Yakimov was awarded the first Premium of the Novosibirsk Regional Administration for a cycle of contributions to "Electron processes in Ge/Si heterosystems with quantum dots and device structures based on them".

    • 1999
  • A.G. Pogosov was awarded the first degree Diploma in the young scientists contest devoted to the 275-year anniversary of RAS.

    • 1988
  • A.V.Dvurechenskii received the highest award of the Soviet Union in Science, State Prize on the results on physical phenomena at pulsed laser annealing of thin semiconductor's layers, and International prize of academies of science of Soviet Union and German Democratic Republic.

PUBLICATIONS



2011

Articles
  1. A. V. Nenashev, S. D. Baranovskii, M. Wiemer, F. Jansson, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii, and F. Gebhard Theory of exciton dissociation at the interface between a conjugated polymer and an electron acceptor Phys. Rev. B, 2011, 84, 035210
  2. P.L. Novikov, J.V. Smagina, D.Yu. Vlasov, A.S. Deryabin, A.S. Kozhukhov, A.V. Dvurechenskii Space arrangement of Ge nanoislands formed by growth of Ge on pit-patterned Si substrates Journal of Crystal Growth, 2011, v. 323, iss. 1, p. 198-200
  3. Zh.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Zinovyev, V.A. Armbrister, S.A. Teys, A.V. Dvurechenskii Molecular-beam epitaxial growth of Ge/Si nanostructures under low-energy ion irradiation Journal of Crystal Growth, 2011, v. 323, iss. 1, p. 244-246
  4. A. Yakimov, A. Nikiforov, A. Bloshkin, A. Dvurechenskii Electromodulated reflectance study of self-assembled Ge/Si quantum dots Nanoscale Research Letters, 2011, 6, № 1, 208
  5. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.A. Bloshkin, V.V. Kirienko, A.V. Dvurechenskii Midinfrared photoresponse of Ge quantum dots on a strained Si0.65Ge0.35 layer Semicond. Sci. Technol., 2011, 26, 085018
  6. A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, V.A. Timofeev, A.V. Dvurechenskii Infrared absorption and admittance spectroscopy of Ge quantum dots on a strained SiGe layer Semicond. Sci. Technol., 2011, 26, 125002
  7. N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, J. Gerharz, J. Moers, and D. Gruetzmacher Giant mesoscopic photoconductance fluctuations in Ge/Si quantum dot system Applied Physics Letters, 2011, v. 98, 142101
  8. Л. М. Плясова, И. Ю. Молина, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский Эффекты пространственного упорядочения массивов квантовых точек по данным малоугловой рентгеновской дифрактометрии при вариации параметров роста Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2011, № 2, с. 21-26
  9. А.И. Якимов, В.А. Тимофеев, А.И. Никифоров, А.В. Двуреченский Антисвязывающее основное состояние дырок в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si Письма в ЖЭТФ, 2011, т. 94, № 10, с. 806-810
Invited reports
  1. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov Electron energy Spectrum and Optical Phenomena in Dense Array of Ge Quantum Dots in Si Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Minsk Belarus, 2011. PP. 19-26
  2. А. В. Двуреченский, А.Ф.Зиновьева, А.В.Ненашев Спиновые состояния электронов в ансамбле туннельно-связанных квантовых точек XV Всероссийский Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника". 14-18 марта 2011, Нижний Новгород
  3. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, A.A.Bloshkin Optical transitions in dense array of Ge quantum dots Si6th Joint Russia - China Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, 18 - 22 July 2011, Irkutsk, Russia, p. 24
  4. A. V. Dvurechenskii, A. F. Zinovieva, A.V.Nenashev Spins in low-dimensional quantum dot semiconductor nanostructures Inter. Conf. SPIN PHYSICS, SPIN CHEMISTRY AND SPIN TECHNOLOGY, Kazan, November 1-6, 2011, p. 3
  5. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov Electron energy Spectrum and Optical Phenomena in Dense Array of Ge Quantum Dots in Si Intern. Conf. Nanomeeting-2011, May, 24-27, Minsk, Belarus, pp. 19-26
  6. A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, A.A.Bloshkin Multiscale Modeling of Correlation Phenomena in Quantum Dot Strained Nanostructures and Design of Functional Devices MRS Symposium YY: Computational Semiconductor Materials Science, San Francisco, April, 25-29, USA
  7. А.В. Двуреченский, А.Ф.Зиновьева, А.В.Ненашев Спиновые состояния электронов в ансамбле туннельно-связанных квантовых точек НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА 14-18 марта 2011, Нижний Новгород
  8. A.V. Dvurechenskii Dense Array of Ga/Si Quantum Dots: Physics and Application Polish-Russian Academies of Sciences Seminar on Nanotechnologies, Warsaw, October 17-18, 2011
  9. А.В.Двуреченский Полупроводниковые фотодетекторы и нанотехнологии Международная зимняя школа по физике полупроводников 2011, Зеленогорск, 25-28 февраля 2011, с. 12-13
Conference proceedings
  1. Мудрый А.В., Шакина Н.В., Мофиднахаи Ф., Двуреченский А.В., Смагина Ж.В., Новиков П.Л Структурные и люминесцентные свойства Si/Ge наноструктур с квантовыми точками Ge Сборник докладов Международной научной конференции Актуальные "Проблемы физики твердого тела", 18-21 октября, 2011, Минск, Беларусь, т.1, стр. 159-161
  2. P.L. Novikov, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii Formation of Ge nanoislands on pit-patterned Si substrates studied by molecular dynamics simulations 19th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", June 20-25, 2011, Ekaterinburg, pр. 201-202
  3. P. Kuchinskaya, V.A. Zinovyev, A.V. Nenashev, V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii The electronic structure of SiGe quantum rings 19th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology", June 20-25, 2011, Ekaterinburg, Russia, р. 203
  4. A. I. Yakimov, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko and A. V. Dvurechenskii Intraband photocurrent spectroscopy of self-assembled Ge quantum dots on strained Si0.65Ge0.35 layer 19th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology", June 20-25, 2011, Ekaterinburg, Russia, р.199
  5. E.I.Gatskevich, V.L.Malevich, G.D.Ivlev, V.A.Zinovyev , A.V.Dvurechenskii Model calculation of the melting temperature of Ge nanoclusters in Si at pulsed laser heating Procedings of XXV International Conference on Equations of State for Matter, March 1–6, 2011, Elbrus, Russia. Edited by Fortov V. E. et al., Chernogolovka , pp. 32-34
  6. Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич, В.Л. Малевич, А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев Температура плавления нанокластеров Ge в Si при наносекундном лазерном воздействии Сборник: XXI Международная конференция "РАДИАЦИОННАЯ ФИЗИКА ТВЁРДОГО ТЕЛА", Севастополь, 22 августа - 27 августа, 2011, 8 стр
  7. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.I. Nikiforov A.V. Dvurechenskii Detection of small photon flux in 2D array of tunnel-coupled Ge/Si quantum dots Polish Russian Aсademies of Scence Seminar on Nanotechnologies, Warsaw, October 17-18, 2011
  8. N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. G. Pogosov Two-parameter scaling in 2D transport through a Ge/Si quantum dot array 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, July 25-30 2010, Seoul, Korea, AIP Conference Proceeding Series
  9. Е.И.Гацкевич, В.Л.Малевич, Г.Д.Ивлев, В.А.Зиновьев, Ж.В.Смагина, В.А.Володин, А.В.Двуреченский Плавление и кристаллизация нанокластеров Ge, встроенных в Si матрицу, в условиях импульсного лазерного воздействия Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника -2011", 22-26 августа 2011, Новосибирск, стр. 37
  10. Новиков П.Л., Смагина Ж.В., Двуреченский А.В. Исследование формирования наноостровков Ge на структурированных подложках Si методом молекулярной динамики VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний - 2011", 05-08 июля, 2011, Москва, стр. 185
  11. Смагина Ж.В., Новиков П.Л., Двуреченский А.В. Роль междоузельных атомов в зарождении наноостровков Ge на Si при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний - 2011", 05-08 июля, 2011, Москва, стр. 188
  12. Zh.V. Smagima, P.L. Novikov, A.V. Nenashev, V.A. Zinoviev, A.V. Dvurechenskii Growth of Ge/Si monolayer structures under low-energy ion irradiation International Conference on Materials for Advanced Technologies "ICMAT 2011", 26 Jun - 1 Jul, 2011, Suntec, Singapur, p.73(J11.2-4)
  13. P. Novikov, Zh.V. Smagina, A.S. Deryabin, A.V. Dvurechenskii Growth of Ge nanoislands on pit-patterned substrates International Conference on Materials for Advanced Technologies "ICMAT 2011", 26 Jun - 1 Jul, 2011, Suntec, Singapur, (J12.1-6) p.77
  14. Ж.В. Смагина, П.Л. Новиков, А.В. Ненашев, С.А. Рудин, В.А. Зиновьев, С.А. Тийс, А.В. Мудрый, А.В. Двуреченский Процессы формирования квантовых точек в многослойных Ge/Si структурах при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков X Российская конференция по физике полупроводников, 19-23 сентября, 2011, Нижний Новгород
  15. П.Л. Новиков, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский Формирование наноостровков Ge на структурированных подложках Si (моделирование методом молекулярной динамики) X Российская конференция по физике полупроводников, 19-23 сентября, 2011, Нижний Новгород, стр. 40
  16. Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина Лазерно-индуцированные фотолюминесценция и инфракрасное излучение Ge/Si гетероструктур 9-ая Международная конференция "Взаимодействие излучений с твердым телом", сентябрь 20-22, 2011, г. Минск, Беларусь, стр.35-36
  17. П.А. Кучинская, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский SiGe квантовые кольца на поверхности Si(100) VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний - 2011", 05-08 июля, 2011, Москва, стр. 168
  18. В.А. Зиновьев, П.А. Кучинская, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, В.А. Володин, C.W. Liu Квантовые кольца Ge/Si для приемников ИК и терагерцового излучения Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника -2011", 22-26 августа 2011, Новосибирск, стр. 33
  19. П.А. Кучинская, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, В.А. Володин, А.В. Двуреченский Самоорганизованные SiGe нанокольца на Si(100) X Российская конференция по физике полупроводников, 19-23 сентября, 2011, Нижний Новгород, стр. 26
  20. А.И. Якимов, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.А. Блошкин, В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский Фотоэлектрические явления в слоях квантовых точек Ge, встроенных в квантовые ямы SiGe в матрице Si Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника -2011", 22-26 августа 2011, Новосибирск, стр 30
  21. G.D. Ivlev, E.I.Gatskevich, Zh. V. Smagina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov Photoluminescence and infrared radiation of Ge/Si heterostructures with quantum dots at nanosecond laser exposure. Фiзика i техлогiя тонких плiвок та наносистем Матeрiалы XIII Мiжнародної конференцiї: У 2 т. – Т.2./ За заг. ред. Фреїка Д.М., May, 16-21, 2011, Ивано-Франкiвськ: Видавництво Прикарпатського нацioнального унiверситету iменi Василя Стефаника, стр. 133
  22. G.D. Ivlev , E.I. Gatskevich , V.L. Malevich , V.A. Zinovyev , A.V. Dvurechenskii Melting temperature of the nanocluster embedded in rigid matrix Фiзика i техлогiя тонких плiвок та наносистем . Матeрiалы XIII Мiжнародної конференцiї: У 2 т. - Т.2./ За заг. ред. Фреїка Д.М., May, 16-21, 2011, Ивано-Франкiвськ: Видавництво Прикарпатського нацioнального унiверситету iменi Василя Стефаника, стр. 132
  23. А.С. Любин, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский Гетероструктуры Si/Ge с квантовыми точками Si VII-я Международная конференция и VII Школа молодых ученых и специалистов "Кремний - 2011", 05-08 июля, 2011, Москва, стр. 171
  24. N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.G. Pogosov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov Magnetoresistance in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots Abstracts of 14th International Conference on Transport in Interacting and Disordered systems, September 5-8, 2011, Acre Israel http://physionet.ph.biu.ac.il/~TIDS14/program.htm
  25. N.P. Stepina, E.S. Koptev, J.Moers, J. Gerharz. A.I. Nikiforov A.V. Dvurechenskii, D. Gruetzmacher Single photon detection in mesoscopic array of Si/Ge-quantum dots Abstract on 6 Int. Conf. on Advanced materials, Singapore, June 2011, H7-3, p.40
  26. Н.П. Степина, Е.С. Коптев, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров Детектирование слабых потоков ИК-излучения в мезоскопических структурах с квантовыми точками Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники "Фотоника 2011", 22-26 августа 2011, Новосибирск, стр.31
  27. Н.П. Степина, Е.С. Коптев, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Дж. Герхардц, Ю. Мойес, Д. Грюцмахер Мезоскопические флуктуации фотопроводимости в массиве квантовых точек Ge/Si X Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород. 19-23 сентября 2011, стр.104
  28. A. Lyubin, A. Zinovieva, A. Dvurechenckii Spin properties of electron in two dimensional quantum dot arrays Spin physics, spin chemistry, and spin technology, abstracts of the international conference, November 1-5, 2011, Kazan, p. 200
  29. A.A.Bloshkin, A.I. Yakimov, A. V, Dvurechenskii Singlet-triplet splitting and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots Spin physics, spin chemistry, and spin technology, abstracts of the international conference, November 1-5, 2011, Kazan, p. 75

PATENTS

  • S.N. Koliadenko, A.V. Dvurechenskii. A way of silicon-on-insulator monocrystalline islands fabrication. AC N 1567947, 1987

  • A.A. Karanovich, A.V Dvurechenskii, P.L. Khripkov. A way of EPR signal registration in solids. AC N 1508715, 1987

  • I.A. Godnik, A.V. Dvurechenskii, B.P. Kashnikov, G.A. Potemkin, A.V Kucheriavy. The device for anealing semiconductor wafers. AC N 1512397, 1987

  • I.A. Ryazantsev, A.V. Dvurechenskii. Thermoindicator. AC N 1508715, 1987

  • I.A. Ryazantsev, A.V. Dvurechenskii., V.I. Fedchenko. Thermoindicator. AC N 1402038, 1988

  • Yu.A. Manzhosov, A.V. Dvurechenskii, S.I. Romanov. A way of developing SOI structures. AC N 1637599, 1989

  • A.V. Dvurechenskii, L.N. Alexandrov, V.Yu Balandin. A way of developing structures with a burried metal layer. Patent N 2045795. Inventions Bullet., 1995, N 28

  • I.A. Ryazantsev, A.V. Dvurechenskii, N.H. Talipov, A.M. Mishchenko. A way of obtaining n-type conductivity layers in p-type samples of CdxHg1-xTe. Patent N 2035804. Invention Bullet., 1995, N14

  • I.A. Ryazantsev, A.V. Dvurechenskii. Multi-element IR detector on hot electrons with the longwave interface of 0.2 eV. Patent N 2065228. Inventions Bullet., 1996, N 22

  • V.V. Suprunchik. The application for receiving the RF patent for invention N 97101796 dated 12.02.97. A way of signal transition...

  • S.I. Romanov, V.V. Kirienko, L.V. Sokolov, V.I. Mashanov, M.I. Lamin. A way of developing the ''semiconductor-on-porous-silicon'' structure. Applic. N 97103165/25 dated 4.04.97

  • S.I. Romanov, V.V. Kirienko, L.V. Sokolov, V.I. Mashanov, M.I. Lamin, B.I. Fomin. A way of developing the SOI structure. Applic N 97103424/25 dated 6.04.97

  • Yu.I. Yakovlev. Tetraammintrisiliconfluoride. Applic N 97109606 dated 6.06.97

  • Yu.I. Yakovlev. A way of obtaining silicon. Applic. N 97109607/25 dated 6.06.97

  • V.V. Suprunchik. Application for receiving the RF patent for the invention dated 10.01.98. Acoustic locator

  • Yu.I. Yakovlev, S.I. Romanov, V.V. Kirienko. A way of silicon oxidation. Applic. N 99110763/12 dated 25.05.99

  • Yu.I. Yakovlev, S.I. Romanov, V.V. Kirienko. A way of silicon purification. Patent N 2165481, received 10.05.2001

  • A.V. Dvurechenskii, A.P. Kovchavtsev, G.L Kuryshev, I.A. Ryazantsev. Multielement PD device with the longwave absorption interface to 7 µm. Applic. N 2000109106/28 prior. 11.04.2000

  • S.I. Romanov, V.V. Kirienko, M.N. Cheyukov. Invention Patent: A way of obtaining the SOI structure, N 2331949, 2008

  • V.A. Ambrister, A.V. Dvurechenskii, Zh.V. Smagina. Invention Patent: A way of atom and molecular fluids ionization and the device for its realisation, N 2370849 dated 20.10.2009

  • N.V. Vandysheva, S.I. Romanov. Applic. for Invention: A way of developing a silicon multichannel matrix in monolithic framing, N 200910874/28, 2009

  • N.V. Vandysheva, S.S. Kosolobov, S.I. Romanov. Applic. for Invention: A way of obtaining a silicon microchannel matrix, N 2009132571/28, 2009

  • S.G. Mironov, S.I. Romanov. Applic. for Invention: A way of liquid matter introduction in microcapsules and the device for its realisation, N 2009125254 dated 01.07.2009

  • P.P. Laktionov, O.B. Vainer, I.A. Zaporozhchenko, I.A. Pyshnaya, D.V. Pyshny, E.V.Dmitrienko, S.I. Romanov, V.V. Vlasov. Applic. for Invention N 2009141429 dated 09. 11.2009: A way of selecting viable cell population from biological liquids

DEVICE DEVELOPMENTS


Photodetector elements (PDs) for the wavelength range of l = 1.3 - 1.55 µm


Aim: building-in (inclusion) in the complex of photon components of fiber-optical communication lines, including that based on one uniform silicon chip.
Description parameters: wavelength range — 1.3-1.55 µm, quantum efficiency — up to 21%, functioning t — room temperature.
Technological bases: Ge/Si heterostructures with quantum dots MBE.


Field transistor on Ge/Si structures with quantum dots


automatic installation of MBE to synthesize multilayer semiconductor structuresGe nanoclusters in Si: Ge islands density 3x1011 cm-2;lateral size 10-30 nm

- The technology to obtain Ge quantum dots arrays in Si was developed
- A nanotransistor framework on the structures with Ge quantum dots in Si was created


Framework of the field transistor with Ge QDs

Application:
- new quantum electron and optoelectron devices functioning at room temperature (electrometers, memory elements);
- element base of the XXI century's computing devices of higher rapidity.



  1. Main results
  2. Historical background
  3. Experimental techniques
  4. Defended scientific degrees

Subcategories

Staff lab 24

Staff members

Public lab 24