PUBLICATIONS



1987

  1. A.V.Dvurechenskii, I.A.Ryazantsev, A.I.Yakimov, V.A.Dravin. Wide Coulomb gap in localized states of 3d- metals in amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Sol., 1987, № 1 111-114.
  2. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Б.П.Кашников. Дефект вакансия-примесь с пространственно разделенными компонентами в кремний, облученном электронами. Физ. и техн. полупроводн. 1987, т.21, № 1, с.50-56.
  3. А.В.Двуреченский, Н.М.Игонина, Р.Гретцшель. Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного импульсного отжига. Физ. и техн. полупроводн. 1987,т.21, № 2 357-360.
  4. Л.Н.Александров, В.Ю.Баландин, А.В.Двуреченский. Фазы самоподдерживающейся кристаллизации аморфных слоев. Автометрия, 1987, № 1, с.64-67.
  5. Л.Н.Александров, И.П.Белоусов, В.А.Ефимов. Закономерности роста и электрофизические свойства слоев нитрида кремния, полученных плазмохимическим методом. Электронная техника, материалы, сер.6.1987, вып.2(223), с.66-69.
  6. Л.Н.Александров, С.Ю.Князев, С.В.Лозовский. Диффузионная модель переноса легколетучих примесей при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток.- В кн:Кристаллизация и свойства кристаллов, Новочеркасск, ГТУ, 1987, с.35-40.
  7. Л.Н.Александров, С.В.Лозовский, С.Ю.Князев. Управление массопереносом легирующей примеси при зонной сублимационной перекристализации кремния. Письма в в ЖТФ, 13 (1987) с.1080-85.
  8. Aleksandrov, V.S.Mordyuk, A.T.Tokareva, A.A.Rubtsov. Growth and Removing of Tungsten Whiskers under Control Conditions. Cryst. Res.Technol. 22(1987) с.503-508.

PUBLICATIONS



1988

  1. Ю.В.Баландин, А.В.Двуреченский, Л.Н.Александров. Плазменный эффект при импульсном наносекундном отжиге аморфных слоев кремния. Поверхность: физ. хим. мех. 1988, № 7, с.79-86.
  2. А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, А.И.Якимов. Безактивационная прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели в a-Si. Письма в ЖЭТФ, 1988, в.3, с.144-146.
  3. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Melting of Multilayered Structures under Pulse Heating (Computational Experiment). Phys.Stat.Sol. (а), 1988, v.109, № 1, K27-K28.
  4. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович. Междоузельный дефект низкой симметрии в кремии, облученном нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.6, с.1057-1061.
  5. А.Х.Антоненко, В.В.Болотов, А.В.Двуреченский, В.А.Стучинский, В.А.Харченко, А.А.Стук. Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремии в зависимости от температуры при облучении нейтронами. Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.5, с.887-892.
  6. L.N.Aleksandrov, E.V.Nidaev, and A.L.Vasil'ev. Defects produced in a silicon surface layer by laser pulse. Pis'ma Zh. Tekh. Fiz, 14(1988) 838-841. Sov. Tech. Phys. Lett. 14(1988) 374-375.
  7. L.N.Aleksandrov, I.I.Belousov and V.M.Efimov. Regularities of growth and electrical properties in the plasma enhanced deposition of Silicon Nitride. Thin Solid Films, 157(1988) 337-343.
  8. L.N.Aleksandrov. Structure Modifications of Silicon by Pulse Annealing.- in: Recent Trends in Grystal Growth, Ed. R.Ramasamy, ICSU COSTED, Madras, 1988, p.85-101.
  9. L.N.Aleksandrov, S.V.Lozovskii, and S.V. Knyazev. Silicon Zone Sublimation Regrowth. Phys. Stat. Sol. A, 107 (1988) 213-224. L.N.Aleksandrov. Mechanical Stress in the Crystallization Process of Amorphous Semiconductors by Pulse Action. Phys. Stat. Sol. (A), 106 (1988) K 135-138.
  10. L.N.Aleksandrov. Die Modifikations die Strukturen im Silicon bei dem Pulse Heizung. TU Karl-Marx-Stadt Wissenschaftliche Tagungen, 5 (1988) 133-141.
  11. Л.Н.Александров. Рост и структура полупроводниковых пленок при импульсных воздействиях. - В кн.: Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, ред. Ф.А.Кузнецов, 1988, с. 23-37.

PUBLICATIONS



1990

  1. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Физ. и техн. полупроводн. 1990, т.24, вып.6, с.1101-1103.
  2. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, В.Ю.Баландин, С.П.Верходанов, Л.В.Мишина, О.А.Кулясова. Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.22, с.11-17.
  3. L.N.A.Aleksandrov, V.A.Zinovyev. Melting and Grystallization of Silicon Layers on Insulator with Millisecond Lamp Heating. Gryst.Res. Technol. 25 (1990) 269-276.
  4. Л.Н.Александров. Современные физические проблемы твердых пленок. Новосибирск, НГТУ, 1990, 100 с.

PUBLICATIONS



1989

  1. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
  2. A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев. Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
  5. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations). Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
  6. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys. Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
  7. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects and Defects in Solids, 1989, v.111-112, № 1-2, p.91-98.
  8. Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
  9. Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова. Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
  10. L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors, Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v. 35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
  11. L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev. Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
  12. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova. Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid Films, 183 (1989) 345-350.
  13. L.N.Aleksandrov. Crystallization processes and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3 (1989) 203-220.

PUBLICATIONS



1991

  1. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1, p.1-14.
  2. V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova, Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol. (a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4, p.630-632.
  4. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991, вып. 7(261), с.26-29.
  5. Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
  6. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн. полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
  7. L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced Diffusion of Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing (Computer Simulation). Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
  8. Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин, И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
  9. Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
  11. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.
  1. 1992
  2. 1993
  3. 1994
  4. 1995