Вступительное слово директора ИФП СО РАН
акад. РАН А.В. Латышева

Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле

Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия

Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г.Галицын, К.С. Журавлев

Начальная стадия эпитаксии А³-нитридов на подложке сапфира: от нитридизации до высококачественного буфера

Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.А. Володин, А.Олейничак, В.А. Скуратов, С.В. Ерохин, Д.Г. Квашнин, Л.А. Чернозатонский, А.В. Крашенинников, П.Б.Сорокин

Наноструктурирование пленок мультиграфена при помощи облучения тяжелыми ионами высоких энергий

А.В. Царев

Дисковый оптический резонатор с модуляцией формы с возможностью излучения по нормали к поверхности

11:20 - 11:30 Перерыв

Председатель сессии: Семёнова О.И.

Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Рудин, А.В. Ненашев, П.Л. Новиков, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, А.В. Двуреченский

Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)

О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.С. Ярошевич, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Otteneder, S.D. Ganichev

Фотон-ассистированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт

М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, И.Д. Лошкарев, А.С.Дерябин, Ю.Ю. Эрвье, О.П. Пчеляков

Формирование доменной структуры в процессе эпитаксии Si и Ge на поверхности Si(100) отклоненной менее 0,5°

13:30 - 14:30 Перерыв

Председатель сессии: Наумова О.В.

Направление II

А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Rahaman, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn

Локальный спектральный анализ наноструктур фотоники за дифракционным пределом

А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко

Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон

16:30 - 16:40 Перерыв

Председатель сессии: Володин В.А.

С.В. Мутилин, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.К. Гутаковский, Л.В. Яковкина

Синтез упорядоченного массива вертикальных нанопроволок VO_­2 на наноимпринтированном Si

Л.С. Басалаева, Ю.В. Настаушев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, Д.А. Раднатаров, С.А. Хрипунов, Д.Е. Уткин, И.Б. Чистохин, А.В. Латышев, Ф.Н. Дульцев

Резонансное отражение света упорядоченными массивами кремниевых нанопилларов с вертикальным p-n переходом

Направление I

Сессия 1. Председатель сессии: Д.В. Щеглов

Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева

Работа - победитель конкурса 2022 г.
И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.В. Альянова, К.Ю. Митянин, А.М. Фарук, Я.В. Кудлаев, У. Сингх, И.И. Рябцев «Однокубитовые вентили с ультрахолодными нейтральными атомами»
Текущее состояние и перспектива развития работы.

А.А. Спирина, В.Л. Альперович, Н.Л. Шварц

«Ленгмюровское испарение GaAs(111)A и GaAs(111)B: моделирование методом Монте-Карло»

Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев

«Поверхностная энергия и морфология монослоев GaN на поверхности AlN в потоке аммиака»

11:15 - 11:30 Перерыв

Сессия 2. Председатель сессии: А.А. Шкляев

P. Zhao, Ch.H. Sharma, R. Liang, Ch. Glasenapp, L. Mourokh, V.M. Kovalev, P. Huber, M. Prada, L. Tiemann, R.H. Blick

«Acoustically Induced Giant Synthetic Hall Voltages in Graphene»

О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, О.П. Сушков

«Диаграммы Ванье и магнитотранспорт в мезоскопическом полупроводниковом искусственном графене»

12:50 - 14:00 Перерыв

Сессия 3. Председатель сессии: В.М. Ковалёв

Л.А. Федюхин, А.В. Горчаков, Е.А. Колосовский, Н.Г. Коробейщиков, И.В. Николаев

«Новый подход к измерению оптических характеристик материалов. Теоретическое обоснование. Метод угловых инвариантов»

Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, Е.Е. Родякина, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев

«Плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света в многослойном графене: от микро- к наноуровню»

А.М. Фарук, И.И. Бетеров, Сюй Пэн, И.И. Рябцев

«Масштабируемая архитектура гетероядерного регистра нейтральных атомов на основе электромагнитно-индуцированной прозрачности»

Сессия 4. Председатель сессии: Д.С. Милахин

Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Д.Б. Богомолов, Е.А. Емельянов, М. Ю. Есин, А.В. Васев, А.А. Блошкин, Е.С. Коптев, М.А. Путято, В.В. Атучин В.В. Преображенский

«Новые самоорганизованные A^IIIB^V квантовые точки для создания элементов универсальной памяти»

Д.В. Щеглов, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.В. Ситников, Е.В. Сысоев, А.В. Латышев

«Меры высоты, созданные на основе bottom-up подхода, для кремниевой нанометрологии»

A.S. Petrov, D.I. Rogilo, R.A. Zhachuk, A.I. Vergules, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev

«Structural transitions on Si(111) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM»

11:30 - 11:45 Перерыв

Сессия 5. Председатель сессии: О.И. Семёнова

Т.С. Шамирзаев, D. S. Smirnov, D. R. Yakovlev, M. Bayer

«Динамическая спиновая поляризация электронов: новый механизм спиновой поляризации в немагнитных наноструктурах»

V. S. Rusetsky, V. A. Golyashov, S. V. Eremeev, D. A. Kustov, I. P. Rusinov, T. S. Shamirzaev, A. V. Mironov, A. Yu. Demin, and O. E. Tereshchenko

«Источник спин-поляризованных электронов на основе мультищелочного фотокатода»

13:05 - 14:10 Перерыв

Направление II

Сессия 6. Председатель сессии: В.Л. Альперович

В.А. Антонов, В.П. Попов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко

«КНС структуры для радиофотонных и СВЧ интегральных схем»

Д.Ю. Протасов, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев, Г.И. Айзенштат, А.Ю. Ющенко, А.Б. Пашковский.

«Гетероструктуры для ключевых pHEMT транзисторов СВЧ-диапазона»

Сессия 7. Председатель сессии: А.Э Климов

Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes

«Методика измерения распределений эмитируемых фотокатодами электронов по поперечной компоненте энергии и её реализация на спектрометре TESS»

Д.В. Щеглов, О.И. Семёнова, М.А. Демьяненко, С.В. Родякин, Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Н.Н. Курусь, А.К. Гутаковский, А.Л. Асеев, А.В. Латышев, Л.И. Федина

«Углеродные нанотрубки в терагерцовой полупроводниковой сенсорике»

10:50 - 11:05 Перерыв

Сессия 8. Председатель сессии: Н.Л. Шварц

А.И. Иванов, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц

«Гибкие мемристоры на основе фторированного графена с наночастицами V₂O₅»

Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, О.Е. Терещенко, Д.Ю. Протасов, И.А. Александров, И.Д. Лошкарёв, К.С. Журавлев

«Рост in situ пассивированных SiN/AlN/GaN гетероструктур с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов»

Вступительное слово директора ИФП СО РАН
акад. РАН А.В. Латышева

Р.А. Жачук, Д.И. Рогило, А.С. Петров, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, С. Колонна, Ф. Ронси

«Динамика адатомов Sn на поверхности Si(111)- √3×√3 -Sn вблизи ступеней»

А. Ф. Зиновьева, В.А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский.

«Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами Ge/Si квантовых точек»

И.А. Милехин, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.Г. Милехин, А.В. Латышев, Д.Р.Т. Зан

«Нано-ИК спектроскопия нанопроволок SiO_x»

11:10 - 11:25 Перерыв

Председатель сессии: О.В. Наумова

И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.В. Альянова, К.Ю. Митянин, А.М. Фарук, Я.В. Кудлаев, У. Сингх, И.И. Рябцев

«Однокубитовые вентили с ультрахолодными нейтральными атомами»

Д. Р. Исламов, А. А. Чернов, А. А. Пильник

«Модели нелинейного транспорта через ловушки в диэлектриках»

12:45 - 14:00 Перерыв

Председатель сессии: А.А. Шкляев

Д.М. Казанцев, А.Г. Журавлев, В.Л. Альперович, Л.Д. Шварцман,

"Угловые распределения электронов, эмитированных из полупроводников с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы"

I. Vakulchyk, V. M. Kovalev, and I. G. Savenko

«Nonequilibrium theory of the photoinduced valley Hall effect»

В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, С.А. Тийс, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев,

«Графеноподобная модификация нитрида кремния g-Si₃N₃ на поверхности кремния Si(111)»

16:00 - 16:15 Перерыв

Председатель сессии: А.А. Шкляев

И.О. Ахундов, В.В. Вилков, В.А. Голяшов, С.А. Дворецкий, Д.В. Ищенко, А.Е. Климов, А.С. Кожухов, К.А. Кох, О.Ю. Кузнецов, Р.В. Менщиков, Н.Н. Михайлов, А.Г. Рыбкин, И.Н. Ужаков, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко.

«Универсальный метод приготовления атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей соединений A^IIB^VI, A^VB^VI и A^IVB^VI»

О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, О.П. Сушков

«Моделирование квантового эффекта Холла в образцах с длинноволновым слабым беспорядком»

Азаров И.А., Швец В.А., Марин Д.В., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В.

«Термометрия низкотемпературных процессов эпитаксиального роста КРТ методом спектральной эллипсометрии»

А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов

«Программный комплекс симуляции динамических ИК сцен для оптимизации характеристик ФПУ нового поколения»

10:20 - 10:35 Перерыв

Председатель сессии: О.И. Семёнова

В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Т.С. Шамирзаев, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксёнов, А.Ю. Дёмин, О.Е. Терещенко.

«Полупроводниковый спин-детектор свободных электронов с пространственным разрешением»

Д.Р. Исламов, Т М. Залялоа, В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Пустоваров, О.М. Орлов, А.Г. Черникова, А.М. Маркеев, S. Slesazeck, U. Schroeder, T. Mikolajick, Г.Я. Красников

«Влияние собственных дефектов и примесей на сегнетоэлектрические свойства плёнок легированного оксида гафния»