ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

СПИСОК опубликованных научных работ

2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | статьи 1987-2004

2009 Cтатьи | Приглашенные доклады| Труды конференций

СТАТЬИ

Авторы Статья Опубликовано Файл
P. L. Novikov, A. Le Donne, S. Cereda, Leo Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Kanel, G. Isella, F. Montalenti. Crystallinity and microstructure in Si films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition: A simple atomic-scale model validated by experiments.Appi. Phys. Lett., 2009, Vol. 94, No. 5, pp. 051904-051906
П.Л. Новиков, Алессия Ле Донне, Сильвия Череда, Лео Мильо, Серджио Пиццини, Симона Бинетти, Маурицио Ронданини, Карло Каваллотти, Даниэл Крастина, Тамара Моисеев, Ханс Вон Канел, Джованни Изелла, Франческо Монталенти. Феноменологическая модель образования нанокристаллических пленок кремния при плазмохимическом осаждении. Автометрия, 2009, том 45, ном. 4, стр.49-55.
P. L. Novikov, S. Cereda, L. Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Kanel, G. Isella and F. Montalenti.Phenomenological model of nanocrystalline silicon film formation by plasma-enhanced chemical vapor deposition.Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2009, Volume 45, Number 4 pp. 322-327A.
В. А. Зиновьев.Зарождение дислокаций в наноразмерных SiGe-островках, формируемых в процессе гетероэпитаксиального роста. Автометрия, 2009, т.45, № 4, c. 60 – 65.
V.A. Zinovyev.Dislocation Nucleation in SiGe Nanoscale Islands Formed during Heteroepitaxial Growth. Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing, 2009, Vol. 45, No. 4, pp. 332–336.
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii. Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots.Microelectronics Journal, 2009, v. 40, p. 785-787.
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii. Bonding-antibonding ground-state transition in coupled Ge/Si quantum dots.Semicond. Sci. Technol., 2009, v. 24, № 9, p. 095002.
А.И. Якимов, А.А. Блошкин, А.В. Двуреченский. Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si.Письма в ЖЭТФ, 2009, т. 90, вып. 7-8, с. 621-625.
J.V. Smagina, P.L. Novikov, V.A. Armbrister, V.A. Zinoviev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii.Stress-induced nanoislands nucleation during growth of Ge/Si heterostructures under low-energy ion irradiation Physica B, 2009, v. 404, 4712–4715.(просмотр)
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. The transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. Microelectronics Journal, 2009, v. 40, 766–768.
N. P. Stepina, E. S. Koptev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. Nikiforov. Strong to weak localization transition and two-parameter scaling in a two-dimensional quantum dot array.Phys. Rev. B, 2009, v. 80, 125308.
N. P. Stepina, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, S. A. Alyamkin, V. A. Armbrister and A. V. Nenashev. Selective oxidation of poly-Si with embedded Ge nanocrystals in Si/SiO2/Ge(NCs)/poly-Si structure for memory device fabrication. Semicond. Sci. Technol., 2009, v. 24, 025015.
A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. S. Deryabin, A. I. Nikiforov, R. M. Rubinger, N. A. Sobolev, J. P. Leit?o, and M. C. CarmoAsymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structures.Physica status solidi (c), 2009, V. 6, Issue 4, p. 833 – 836.
А.В. Зверев, С.И. Романов, Я.В. Титовская, Н.Л. Шварц, З.Ш.Яновицкая. Математическое моделирование процесса создания наноканальных мембран. Автометрия, 2009, т.45, № 4, стр. 102-109.
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. ПортальНеравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла. Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, вып. 1, с. 49.
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Порталь. Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла.Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, вып. 2, с. 10.
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов.Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки. Письма в ЖЭТФ, 2009, том 90, вып. 8, с. 626.
А. Г. Погосов, М. В.Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов.Высокотемпературная кулоновская блокада. Вестник Новосибирского государственного университета, 2009, том 4, вып. 2, с. 53-57.
Филиппов, Н.С., Ломзов, А.А., Пышный, Д.В. Термодинамическое описание самоассоциации олигонуклеотидов в конкатамерные структуры ДНКБиофизика, 2009, 54(3), стр. 402-417.
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Физические явления и технологии в основе полупроводниковых структур с квантовыми точками для ИК-диапазона. Изв. РАН, сер. физическая, 2009, т.73, №1, с. 71-75.(Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2009, Vol. 73, No. 1, pp. 66–69).(просмотр)
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Dense Array of Quantum Dot in Ge/Si Nanostructures: Strain Induced Control of Electron Energy Spectrum and Optical Transitions. IEEE Nanotechnology, 2009.
наверх

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
F. Jansson, A.V. Nenashev, S.D. Baranovskii, R. ?sterbacka, F. GebhardSimulations of hopping transport at high electric fields.13th International Conference on Transport in Interacting Disordered Systems, August 31 - September 5, 2009, Rackeve, Hungary.
N.P. Stepina. Strong to weak localization transition and two-parametric scaling in 2D Ge/Si quantum dot array. 13 Int. Conference on Transport in Interacting Disordered Systems, August 31 - September 5, 2009, Rackeve, Hungary, p58.
А.В.Двуреченский.Гетероструктуры в кремниевой электронике. Санкт-Петербургский научный форум «Наука и общество. Нанотехнологии: исследования и образование», 21-25 сентября 2009.
А.В.Двуреченский.Квантоворазмерные структуры на основе кремния для наноэлектроники.IV Украинская научная конференция по физике полупроводников, Запорожье, 16 - 20 сентября 2009
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, А.В.Ненашев, А.А.Блошкин.Моделирование структурных параметров и электронного спектра наносистем с квантовыми точками. 2-я Всероссийская конференция «Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях», Москва, МИФИ, 27-29 мая 2009.
А.В.Двуреченский.Гетероструктуры на основе кремния для нано- и оптоэлектроники. 2-ой Международный форум по нанотехнологиям, Москва, 6-9 октября 2009.
A.V. Dvurechenskii, A.I.Yakimov, A.A.Bloshkin.Strain Induced modification of Electronic Energy Spectrum and Optical Transitions in Dense Array of Ge/Si Quantum Dot. 4-th Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices,15 – 16 June, Novosibirsk.
А.В.Двуреченский.Эффекты взаимодействия и беспорядка в наноструктурах с квантовыми точками. Международная зимняя школа по физике полупроводников, 26 февраля - 2 марта 2009, Санкт Петербург.
A.V.DvurechenskiiGeSi Quantum Dot nanostructure: Physics and Technology.25-th International Conf. on Defects in Semiconductors, St Petersburg, Russia, July 20-24, 2009.
A.V.DvurechenskiiQuantum dot nanostructure in nano- and optoelectronics.The First China-Russia Bilateral Forum on Materials: New Optical Materials and Techniques" November 16-19, 2009, Shanghai, China.
А.В.Двуреченский.Перспективные материалы и нанотехнологии для фотоприемников электромагнитного излучения. Сессия отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, октябрь 2009.
А.В.Двуреченский.Квантовые наноструктуры на основе кремния для нано- и оптоэлектроники.Научный совет РАН по физико-химическим основам полупроводникового материаловедения. Зеленоград, 9 ноября 2009.
А.В.Двуреченский. Наноструктуры с квантовыми точками:электронные и оптические явления, применения.Международная школа-семинар «Современные проблемы наноэлектроники, микро- и наносистемной техники», INTERNANO’2009.
наверх

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

АвторыНазвание Конференция Файл
P. L. Novikov, A. Le Donne, S. Cereda, Leo Miglio, S. Pizzini, S. Binetti, M. Rondanini, C. Cavallotti, D. Chrastina, T. Moiseev, H. von Kanel, G. Isella, and F. Montalenti.Nanocrystalline Si films grown by LEPECVD on non-crystalline substrates. 17th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", 2009, June 22-26, Minsk, Belarus, pp. 134-135.
A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii.Strain distribution in quantum dot structures with linear gradient of composition: analytical solution17th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, June 22-26, 2009, Minsk, Belarus pp. 52-53.
V. A. Zinovyev, R. Gatti, A. Marzegalli, F. Montalenti and L. Miglio.Study of plastic relaxation onset in SiGe islands on Si(100).Proceedings of 17th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2009, June 22-?26, Minsk, Belarus, pp. 222-223.
A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin and A. V. Dvurechenskii. Bonding- antibonding ground state transition in coupled Ge/Si quantum dots.Nanostructures: Physics and Technology: 17th Intern. Symp., Minsk, Belorus 2009. – p.218.
N.M. Santos, B.P. Falcao, J.P. Leitao, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, N.S. Stepina, A.I. Yakimov and A.I. Nikiforov. Optical study of strained double Ge/Si quantum dot layers.IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, 2009, v. 6, p. 012018.
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov.Strong to weak localization transition in 2D quantum dot array driven by disorder and interaction.17th International Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2009, June 22-26, Minsk, Belarus, p.214-215.
A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii1, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, L.V. Kulik and A.S. Lyubin. Spin relaxation of electrons in two-dimensional quantum dot arrays with different shape of nanoclusters. 17th International Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, 2009, June 22-26, Minsk, Belarus, p.318-319.
П.Л. Новиков, С. Бинетти, А. Ле Донне, Ф. Монталенти.Механизм формирования нанокристаллов в пленках Si при плазмохимическом осаждении.Тезисы IX Российской конференции по физике полупроводников, 2009, стр. 59.
Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Армбристер В.А., Ненашев А.В., П.Л. Новиков, Двуреченский А.В.Эпитаксиальный рост Ge/Si наноструктур из ионно-молекулярных пучков.Кремний-2009, VI Международная конференция и V Школа молодых ученых и специалистов, 7-10 июля 2009 г., Новосибирск, с. 118
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, В.А. Армбристер, А.В. Ненашев, С.А. Тийс, А.В. Двуреченский.Самоорганизация наноостровков Ge на Si(100) при облучении низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии. IX Российская конференция по физике полупроводников, 28 сентября – 3 октября 2009,Новосибирск-Томск, с. 47.
J.V. Smagina, V.A. Zinoviev, A.V. Nenashev, V.A. Armbrister, P.L. Novikov, A.V. Dvurechenskii.Epitaxial growth of Ge/Si nanostructures under low-energy ion irradiation.25th International Conference on Defects in Semiconductors, July 20-24, 2009, St. Petersburg, Russia, p. 88.
J.V. Smagina, P.L. Novikov, A.S. Deryabin, D.A. Nasimov, B.I. Fomin, V.A. Zinovyev, A.V. Dvurechenskii.Nucleation and growth of Ge nanoislands on pit-patterned Si substrates.The International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE-2009) with extended Session "Quantum Informatics", October 5-9, 2009, Zvenigorod, Moscow region, Russia, p. 03-01.
A.V. Nenashev, F. Jansson, S.D. Baranovskii, R. ?sterbacka, A.V. Dvurechenskii, F. Gebhard.Effect of electric field on diffusion in disordered materials: deviation from Einstein relation. 13th International Conference on Transport in Interacting Disordered Systems, August 31 - September 5, 2009, Rackeve, Hungary.
F. Jansson, A. Nenashev, S. Baranovskii, R. Цsterbacka, F. Gebhard. Effects of high electric fields and Coulomb interactions on charge transport in disordered systems: Negative differential conductivity.23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, August 23 - 28, 2009, Utrecht, Netherlands.
A. Marzegalli, F. Boioli, R. Gatti, V. Zinovyev, F. Montalenti and L. Miglio.Modelling of Dislocation Self-ordering in Nanometric SiGe Islands Grown on Si(001) Substrate.MRS Fall Meeting, Symposium GG: Plasticity in Confined Volumes-Modeling and Experiments, November 29 –December 2, Boston, 2009.
Виноградова О.А., Ломзов А.А., Филиппов Н.С., Пышный Д.В.Направленная самосборка наноассоциатов на основе нуклеиновых кислот.Научная конференция «Химическая биология – фундаментальные проблемы бионанотехнологии», 10-14 июня 2009 г., Новосибирск, с. 71.
Филиппов Н.С., Пышная И.А., Дмитриенко Е.В., Вандышева Н.В., Кручинин В.Н., Пышный Д.В., Романов С.И.Нано- и микропористый кремний – твердотельная среда для метода молекулярных колоний. VI Международная конференция и V Школа молодых ученых и специалистов «Кремний-2009», 7-10 июля 2009 г., Новосибирск, с. 150.
Vinogradova O.A., Lomzov A.A., Filippov N.S., Pyshnyi D.V.New technique for designing DNA-nanostructures on basis of modified DNA-concatemers.International symposium on advances in synthetic and medicinal chemistry, 23-27 August 2009, Kiev, Ukraine, p. 210.
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский.Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si II-го типа.IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, с.147.
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov.Two-parameter scaling in 2D transport through a Ge/Si quantum dot array.Abstract on 18 Int. Conf. on Electronic properties of two-dimensional Systems, 2009, Kobe, Japan, p.33.
Л.М. Плясова, И.Ю. Молина, Н.П. Стёпина, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский.Эффекты пространственного упорядочения массивов квантовых точек по данным малоугловой рентгеновской дифрактометрии при вариации параметров роста.VII национальная конференция "Рентгеновское, синхротронное излучения, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био- Инфо- Конгитивные технологии" РСНЭ-НБИК 2009, 16-21ноября 2009, Москва, Ин-т кристаллографии.
А. Ф. Зиновьева, Н. П. Степина, А. В. Двуреченский, А.С. Дерябин, А. С. Любин, Г. Д. Ивлев, N. A. Sobolev, M. C. Carmo.Эффект лазерного отжига на спиновые свойства электронов в структурах с Ge/Si квантовыми точками.IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, с.192.
Зиновьева А. Ф., Двуреченский А. В., Стёпина Н. П., Дерябин А. С., Никифоров А. И., Кулик Л.В.Исследование методом ЭПР наноструктур Ge/Si с квантовыми точками. 1-ая Всероссийская научная конференция «Методы исследования состава и структуры функциональных материалов», 11-16 октября 2009 г, Новосибирск, с. 107.
Вандышева Н.В., Косолобов С.С., Романов С.И. Феноменологическая модель получения упорядоченного макропористого кремния анодным травление p-Si (100).VI Международная конференция и V Школа молодых ученых и специалистов «Кремний-2009», 7-10 июля 2009 г., Новосибирск, с. 142.
Вандышева Н.В., Дмитриенко Е.В., Пышная И.А., Ломзов А.А., Пышный Д.В., Романов С.И.Кремниевая микроканальная матрица для гибридизационного анализа ДНК. VI Международная конференция и V Школа молодых ученых и специалистов «Кремний-2009», 7-10 июля 2009 г., Новосибирск, с. 152-153.
A. Zinovieva, A. Nenashev, A. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. Lyubin, L. KulikOutlook for the application of Ge/Si quantum dots in quantum calculations.Международная конференция “Micro- and nanoelectronics – 2009” (ICMNE-2009) с расширенной секцией "Quantum Informatics", 5-9 Октября, 2009 г., Звенигород, Москва, q0-03.
А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский Электрическое поле, возникающее из-за структурной асимметрии в системе с квантовыми точками.IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, стр.190.
А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский. Вариационный метод вычисления энергетических уровней в квантовых точках пирамидальной формы.IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, стр.156.
О.Б. Вайнер, И.А. Пышная, Д.В. Пышный, Е.В. Дмитриенко, Т.Э. Скворцова, И.А. Запорожченко, Е.С. Морозкин, Е.М. Лосева, Н.В. Вандышева, С.И. Романов, П.П. Лактионов. Сепарация клеток при помощи микроканальных кремниевых матриц.Научная конференция, посвященная 25-летнему юбилею Института химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН "Химическая биология – Фундаментальные проблемы бионанотехнологии", 10 - 14 июня 2009. г. Новосибирск, стр. 70.
О.А. Виноградова, А.А. Ломзов, Н.С. Филиппов, Д.В. Пышный.Направленная самосборка наноассоциатов на основе нуклеиновых кислотНаучная конференция, посвященная 25-летнему юбилею Института химической биологии и фундаментальной медицины СО РАН "Химическая биология – Фундаментальные проблемы бионанотехнологии", 10 - 14 июня 2009. г. Новосибирск, стр. 71.
E.V. Dmitrienko, I.A. Pyshnaya, I.A. Zaporozhchenko, N.S. Filippov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, D.V. Pyshnyi.Template-imprinted nanostructured polymers for biomolecules recognition.International Symposium on “Advances in Synthetic and Medicinal Chemistry”, 23-27 august 2009, Kiev, Ukraine.
O.A. Vinogradova, A.A. Lomzov, N.S. Filippov, D.V.PyshnyiNew technique for designing DNA-nanostructures on basis of modified DNA-concatamersInternational Symposium on “Advances in Synthetic and Medicinal Chemistry”, 23-27 august, 2009, Kiev, Ukraine.
Е.В. Дмитриенко, И.А. Пышная, И.А. Запорожченко, Н.С. Филиппов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Д.В. Пышный.Полиамидные подложки для выявления и выделения биомолекулМедицинская геномика и протеомика, 9-13 сентября 2009, Новосибирск, Россия.
Е.В. Дмитриенко, И.А. Пышная, И.А. Запорожченко, Н.С. Филиппов, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Д.В. Пышный.Разработка методов получения биосовместимых полимеров, обладающих молекулярной памятью.Второй международный форум по нанотехнологиям. Международный конкурс научных работ молодых ученых в области нанотехнологии, 6-8 октября 2009, Москва.
О.А. Виноградова, А.А. Ломзов, Н.С. Филиппов, Д.В. Пышный. Модифицированные ДНК-комплексы как строительные блоки бионаноконструктора.Второй международный форум по нанотехнологиям. Международный конкурс научных работ молодых ученых в области нанотехнологии, 6-8 октября 2009, Москва.
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Насимов.Пробой кулоновской блокады в подвешенном одноэлектронном транзисторе, обусловленный возбуждением собственных мод его механических колебаний.IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, стр. 126.
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. К. Бакаров, А. И.Торопов, J. C. Portal.Исследование неравновесного состояния двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в наклонных магнитных полях. IX Российская конференция по физике полупроводников, 2009, Новосибирск - Томск, Россия, стр. 338.
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Dense Array of Quantum Dot in Ge/Si Nanostructures: Strain Induced Control of Electron Energy Spectrum and Optical Transitions.9th IEEE Conference on Nanotechnology, Genoa, July 26-30 2009.
Паращенко М.А. Филиппов Н.С. Вандышева Н.В., Кириенко В.В, Романов С.И.Датчик емкостного типа на основе нанопористого диэлектрика для детектирования полимеразной цепной реакции дезоксирибонуклеиновых кислот.Х Международная конференция-семинар EDM’2009, 1-6 июля, Эрлагол, стр. 53-56.
наверх

Последнее обновление: 19.04.2012

© www.isp.nsc.ru/24