ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

СПИСОК опубликованных научных работ

2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | статьи 1987-2004

2007 Cтатьи | Тезисы | Приглашенные доклады| Труды конференций

СТАТЬИ

Авторы Статья Опубликовано Файл
A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, and A.A. BloshkinLocalization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structure Phys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, № 2, p. 442-444
A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii, O.P. Pchelyakov, A.I. Yakimov, A. Fonseca, J.P. Leit?o, N.A. SobolevMBE growth of vertically ordered Ge quantum dots on SiPhys. Stat. Sol. (c), 2007, v. 4, № 2, p. 262-264
В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.И. Якимов, Г.Ю. Михалёв, А.И. Никифоров, А.В. ДвуреченскийОпределение из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света состава и деформаций в наноструктурах на основе GexSi1-x с учетом вклада гетерограницыФизика и техника полупроводников, 2007, т. 41, вып. 8, с. 950-954
А.И. Якимов, Г.Ю. Михалёв, А.В. Ненашев, А.В. ДвуреченскийДырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/SiПисьма в ЖЭТФ, 2007, т. 85, вып. 9, с. 527-532(просмотр)
E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, A.I. YakimovPulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dotsPhysics, Chemistry and Application of Nanostructures, edited by V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko and V.S. Gurin (World Scientific Publishing Co. Ltd., Singapore, 2007), p. 435-438
E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. YakimovRaman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dotsProc. SPIE, 2007, v. 6728, p. 67281U
O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. ChikichevMBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronicsJournal of Physics and Chemistry of Solids, 2007, doi:10.1016/j.jpcs.2007.07.056
А.И. Якимов, А.И. Никифоров, А.В. ДвуреченскийСвязывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/SiПисьма в ЖЭТФ, 2007, т. 86, вып. 7, с. 549-552
A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.I. NikiforovHole states in Ge/Si quantum-dot molecules produced by strain-driven self-assemblyJ. Appl. Phys., 2007, v. 102, № 20, p. 103701(просмотр)
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, , V.A. Armbrister, V.G. Kesler, P.L. Novikov, A.K. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Zh.V. SmaginaPulsed ion-beam induced nucleation and growth of Ge nanocrystals on SiO2Appl.Phys.Lett., 2007, v. 90, p. 133120(просмотр)
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. NovikovSiGe nanodots in electro-optical SOI devicesNanoscaled Semiconductor-on-Insulator Structures and devices, ed. S. Hall, Springer, 2007, p. 113-128
А.Ф. Зиновьева, А.В. Ненашев, А.В. ДвуреченскийМеханизм спиновой релаксации при прыжковом транспорте в двумерном массиве асимметричных квантовых точекЖЭТФ, 2007, т. 132, с. 436–446
T.S. Shamirzaev, A.M. Gilinsky, A.K. Kalagin, A.V. Nenashev, K.S. ZhuravlevEnergy spectrum and structure of thin pseudomorphic InAs quantum wells in an AlAs matrix: Photoluminescence spectra and band-structure calculationsPhys. Rev. B, 2007, v. 76, 155309
С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Двуреченский, Ж.В. Смагина, А.В. Ненашев, А.И. Никифоров, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, А.И. ТороповПрименение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точекПоверхность: Рентгеновские, Синхронные и Нейтронные Исследования, 2007, №1, с. 31-40
М.В. Буданцев, А.Г. Погосов, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Ж.К. ПорталГигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта ХоллаПисьма в ЖЭТФ, 2007, т. 86, стр. 294
С.И. Романов, Д.В. Пышный, Н.В. Вандышева, А.А. Ломзов, А.В. БубликовКремниевая микроканальная матрица для биочиповых технологийНано- и микросистемная техника, 2007, № 9, стр. 55-61
Д.В. Пышный, В.Ф. Зарытова, А.Н. Синяков, М.А. Зенкова, С.И. РомановНаноматериалы и наноустройства на основе нуклеиновых кислотНаука и нанотехнологии: Материалы научной сессии Президиума Сибирского отделения РАН, 22 декабря 2006. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007, стр. 136-146
А.Л.Асеев, А.В.ДвуреченскийКвантовые наноструктуры: физика и технологияНаука и нанотехнологии: Материалы научной сессии Президиума Сибирского отделения РАН, 22 декабря 2006. – Новосибирск: Издательство СО РАН, 2007, стр. 11-25
A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti, A. Rastelli, M. Stoffel, T. Merdzhanova, O. G. Schmidt, L. MiglioCritical shape and size for dislocation nucleation in Si1-xGex islands on Si(001)Phys. Rev. Lett. 2007, v. 99, p. 235505-1 - 235505-4(просмотр)
наверх

ТЕЗИСЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V. SpesivtzevPulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 321
V.A. Armbrister, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler, A.K. Gutakovskii, E.V. SpesivtzevMethod of the homogeneous array of Ge nanocrystals nucleation and growth on SiO2 for non-volatile memory deviceInternational Conference “Micro- and nanoelectronics – 2007” (ICMNE-2007), 2007, October 1-5, Zvenigorod, Moscow region
Н.П. Степина, В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский, В.А АмбристерБольшое окно памяти в структуре с квантовыми точками Ge, встроенными в SiO2Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с.415
Н.П. Степина, Е.С. Коптев, А.В. Двуреченский, А.И. НикифоровРелаксация тока в системе туннельно-связанных квантовых точек при экранировании электрон-электронного взаимодействияТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с.302
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii, A.I. NikiforovEffect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots International conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (устный доклад)
A.V. Nenashev, S.V. Ryabtzev, N.P. Stepina, A.V. DvurechenskiiModeling of excitation and relaxation processes in hopping conductivity of quantum dot arrayInternational conference on Transport in Interacting disordered systems. 2007, August 6-10, Marburg. (устный доклад)
A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. CarmoEPR of electrons localized on Ge/Si quantum dotsE-MRS, May 2007, Strasburg
J.P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, N. Stepina, M. Carmo, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev; D. Lobanov, Z. KrasilnikRadiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layersE-MRS, May 2007, Strasburg
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, Z.V. Smagina, V.A. Volodin, J.P. Leitao, M.C. do Carmo, N.A. SobolevMBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiationInternational Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319
Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. do Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov and E. AlvesElectronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structuresInternational Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures, 2007, May 20-25, Marseille, p. 319
А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Н.П. Степина, В.В. КириенкоСпиновая релаксация и спиновый транспорт в системе туннельно связанных квантовых точекТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 242. (приглашенный доклад)
А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.С. Дерябин, А.И. Никифоров, R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. CarmoЭПР электронов, локализованных на Ge/Si квантовых точкахТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 260
А.В. Ненашев, А.В. ДвуреченскийРаспределение упругой деформации в гетероструктуре с квантовой точкой произвольной формыТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 283
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. ДвуреченскийРост и упорядочение по размерам островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессеТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 86. (устный доклад)
А.Г. Погосов, М.В. БуданцевЭлектронный транспорт в подвешенных наноструктурах Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 246. (приглашенный доклад)
М.В. Буданцев, А.Г. Погосов, А.Е. Плотников, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Ж.К. ПорталГистерезисные искажения квантового эффекта Холла: фазовый переход или релаксация вихревых токов и краевых состояний?Тезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 201.(устный доклад)
С.И. Романов, Н.В. Вандышева, А.В. Бубликов, Д.В. Пышный, А.А. ЛомзовОптический ДНК-сенсор на основе кремниевой микроканальной матрицыТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 409
А.И. ЯкимовЭлектронные состояния в гетероструктурах Ge/Si с вертикально сопряженными квантовыми точкамиТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 241. (приглашенный доклад)
A.V.DvurechenskiiSilicon based quantum dot nanostructures: Physics and TechnologyBook of Abstracts Intern. Conf. “Micro- and Nanoelectronics-2007”, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01.(приглашенный доклад)
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, В.В.КириенкоКвантовые точки в приборных кремниевых структурах3-я Украинская конференция по физике полупроводников. Одесса, 17-22 июня, 2007, стр. 8-9. (приглашенный доклад)
A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, P.L. Novikov, V.A. Armbrister, V. Kesler. A. Gutakovskii, V.V. Kirienko, Z.V. Smagina, R. GroetzschelPulsed Low-energy Ion-beam Induced Nucleation and Growth of Ge Nanocrystals on SiO2 MRS Spring Meeting. 9-13 April, 2007, San Francisco, USA, p.245. (устный доклад)
А.В.ДвуреченскийКоллективные явления в наносистемах с квантовыми точкамиТезисы Международной зимней школы по физике полупроводников, 1-5 марта 2007, Санкт Петербург. (устный доклад)
A.V.DvurechenskiiGermanium Quantum Dots in Si: Physics and ApplicationAbstract of 6-th Intern. Conf. “Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (пленарный доклад)
Е.И. Гацкевич, Г.Д. Ивлев, В.А. Володин, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, А.И. Никифоров, А.И. ЯкимовОптическая диагностика Ge/Si наноструктур с квантовыми точками Physics and technology of thin films and nanosystems – XI International Conference, 7-12 Мая, 2007, Ивано-Франковск, Украина, с. 214-215. (устный доклад)
E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov and A.I. YakimovPulsed laser annealing of Ge/Si heterostructures with quantum dotsPhysics, chemistry and application of nanostructures. Review and Short Notes to Nanomeeting, 2007, Minsk, Belarus, pp. 435-438. (устный доклад)
Gatskevich E.I., Ivlev G.D., Volodin V.A., Dvurechenskii A.V., Efremov M.D., Nikiforov A.I., Yakimov A.I.Raman scattering diagnostics of as grown and pulsed laser modified Ge-Si nanostructures with quantum dotsInternational Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO 2007) May 28-June 1, 2007. Minsk, Belarus. P. 88. I02-13
В. А. Володин, А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. ДвуреченскийИсследование элементного состава и механических напряжений в вертикально сопряжённых массивах Ge/Si квантовых точекТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 264
S.B.Erenburg, N.V.Bausk, A.I.Nikiforov, A.V.Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S.Zhuravlev, S.NikitenkoMicrostructure of quantum dots ensembles by XAFS spectroscopyAbstracts of the 24th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-24), July 22-27, 2007, Albuquerque, New Mexico, U.S.A., XPo-34
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, S.NikitenkoXAFS spectroscopy for study microstructure and energy spectrum peculiarities of Ge quantum dots in Si matrixAbstracts of the International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), May 20-24 2007 Marseille, France, p. 425-426
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.NikitenkoMicrostructure of “Artificial” Quantum Dots Molecules by XAFS SpectroscopyAbstracts of the International Conference on Materials for Advanced Technologies 2007 (ICMAT 2007), 1-6 July, Singapore. (устный доклад, но не был сделан)
А.И. Никифоров, С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, С. Никитенко, А.И. ДвуреченскийXAFS- исследование влияния толщины блокирующих слоев на параметры многослойных образцов с квантовыми точкамиТезисы VI национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов, 12-17 ноября 2007, Москва, Россия. (устный доклад, но не был сделан)
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.NikitenkoXAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiarities15th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007 (устный доклад)
А.В.Николаенко, О.В.Вакуленко, М.Я.Валах, С.Л.Головинский, А.В.Двуреченский, С.В.Кондратенко, А.И.Никифоров, В.О.ЮхимчукФотопроводимость Ge/Si гетероструктур с квантовыми точкамиТезисы 3 Украинской конференции по физике полупроводников (с международным участием). Одесса, 17-22 июня, 2007, стр.89. (устный доклад)
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф.Зиновьева, Н.П.Степина, Ж.В.Смагина, А.И. Никифоров, В.А.АрмбристерЭлектронные состояния в плотном массиве квантовых точек Ge/Si, Ge/SiO2/SiТезисы 8-ой Украинско-Российский семинар «Нанофизика и наноэлектроника», стр. 38, 7-8 декабря, Киев, Украина (приглашенный доклад)
наверх

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
А. В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева, А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, Н.П. Степина, В.В. КириенкоСпиновая релаксация и спиновый транспорт в системе туннельно связанных квантовых точекТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, с. 242
А.Г. Погосов, М.В. БуданцевЭлектронный транспорт в подвешенных наноструктурахТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 246
А.И. ЯкимовЭлектронные состояния в гетероструктурах Ge/Si с вертикально сопряженными квантовыми точкамиТезисы докладов VII Российской конференции по физике полупроводников, 2007, 30 сентября - 5 октября, Екатеринбург, стр. 241
A.V.DvurechenskiiSilicon based quantum dot nanostructures: Physics and TechnologyIntern. Conf. “Micro- and Nanoelectronics-2007”, 1-5 October, 2007, Moscow-Zvenigorod, p. L3-01
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, Н.П.Степина, В.В.КириенкоКвантовые точки в приборных кремниевых структурах3-я Украинская конференция по физике полупроводников, 17-22 июня, 2007, Одесса. (пленарный)
А.В.ДвуреченскийКоллективные явления в наносистемах с квантовыми точкамиТезисы Международной зимней школы по физике полупроводников, 1-5 марта 2007, Санкт Петербург
A.V.DvurechenskiiGermanium Quantum Dots in Si: Physics and ApplicationAbstract of 6-th Intern. Conf. “Thin film Physics and Application (TFPA2007). Sept 25-28, Shanghai, Chine. (пленарный)
А.В.ДвуреченскийКвантовые наноструктуры на основе кремния – физика и технология4-я Российская конференция с международным участием по физике, метериаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Кремний-2007). 3-6 июля 2007, Москва, МИСиС (пленарный
А.В.ДвуреченскийРазвитие нанотехнологий и применение отечественных достижений в области полупроводниковых наноматериалов для опто- и наноэлектроникиСовещание по вопросам развития и применения в промышленности отечественных достижений в области нанотехнологий, 5 июля 2007, Москва, Государственная Дума Федерального Собрания РФ, Фракция «Единая Россия»
А.В.ДвуреченскийОб организации производства полупроводниковых наноматериалов и элементов для опто-, СВЧ-, силовой и радиационно-стойкой электроники в Сибирском федеральном округеКоординационный совет по промышленной и научно-технической политике Межрегиональной ассоциации «Сибирское соглашение», 4 июня 2007, Омск
A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov, N.P. Stepina, V.V. Kirienko, P.L. NovikovSi-based quantum dot structures for nanodevicesSecond Joint Chine-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SBRAS, 25 July 2007, Novosibirsk
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.Ф.Зиновьева, Н.П.Степина, Ж.В.Смагина, А.И. Никифоров, В.А.АрмбристерЭлектронные состояния в плотном массиве квантовых точек Ge/Si, Ge/SiO2/SiТезисы 8-ой Украинско-Российский семинар «Нанофизика и наноэлектроника», стр. 38, 7-8 декабря, Киев, Украина
наверх

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

АвторыНазвание Конференция Файл
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.A. BloshkinLocalization of electrons in type-II Ge/Si quantum dots stacked in a multilayer structureProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 251-252. (устный доклад)
A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. NikiforovMolecular state of a hole in vertically coupled Ge/Si quantum dots produced by strain-driven self-assemblyProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 257-258
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, V.V. Kirienko, P.L. Novikov, Z.V. Smagina, V.G. Kesler and A.K. GutakovskiiSize control of Ge nanocrystals formed on SiO2 during pulse ion-beam assisted deposition for non-volatile memoryProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 189-190
A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. CarmoESR of electrons localized on Ge/Si quantum dotsProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 287-288. (устный доклад)
A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii Strain distribution in quantum dot of arbitrary shape: analytical solutionProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 226-227
F. Montalenti, S. Cereda, R. Gatti, A. Marzegali, G. Vastola, V.A. Zinovyev and Leo MiglioGe islands on Si(001): stability, evolution, elastic relaxation, and dislocation injectionProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.97-99. (устный доклад)
N.V. Vandysheva, S.I. Romanov, A.V. Bublikov, A.A. Lomzov, D.V. PyshnyiSilicon microchannel array for optical DNA-sensorsProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p.151-152. (устный доклад)
M.N. Cheyukov, S.I. Romanov, V.V. Kirienko, A.K. GutakovskiiA promising SOI technology for producing nanostructuresProceedings of 15th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, 2007, June 25-29, Novosibirsk, p. 168-169
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii, V.G.Mansurov, K.S. Zhuravlev, S.NikitenkoXAFS spectroscopy for study quantum dots microstructure and energy spectrum peculiaritiesProceedings of the15th Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, Russia, June 25-29, 2007, © 2007 Ioffe Institute, p. 95-96. (устный доклад)
наверх

Последнее обновление: 19.04.2012

© www.isp.nsc.ru/24