ЛАБОРАТОРИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИСТЕМ

RU
EN

Института физики полупроводников СО РАН

 

ГЛАВНАЯ

ПУБЛИКАЦИИ

РАЗРАБОТКИ

ПРИБОРЫ

СОТРУДНИКИ

ПАТЕНТЫ

АСПИРАНТЫ
 И CОИСКАТЕЛИ

СПИСОК опубликованных научных работ

2011 | 2010 | 2009 | 2008 | 2007 | 2006 | 2005 | статьи 1987-2004

2008 Cтатьи | Тезисы | Приглашенные доклады| Труды конференций

СТАТЬИ

Авторы Статья Опубликовано Файл
A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. DvurechenskiiMolecular ground hole state of vertically coupled GeSi/Si self-assembled quantum dotsNanotechnology, 2008, v. 19, p. 055202
O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. ChikichevMBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronicsJournal of Physics and Chemistry of Solids, 2008, v. 69, p. 669-672
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. DvurechenskiiEnhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dotsApplied Physics Letters, 2008, v. 93, № 13, p. 132105(просмотр)
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. DvurechenskiiAsymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dotsPhys. Rev. B, 2008, v. 78, № 16, p. 165310(просмотр)
Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В., Армбристер В. А., Тийс С. А.Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100)ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593-604(просмотр)
A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. CarmoSpin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dotsPhys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 115319(просмотр)
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. ТороповБлокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзистореПисьма в ЖЭТФ, 2008, том 87, вып. 3, с. 176-180
N. P. Stepina, E. C. Koptev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. NikiforovEffect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dotsPhysica status solidi (c), 2008, v. 5, No. 3, pp. 689–693
T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. ZhuravlevCoexistence of direct and indirect band structures in arrays of InAs/AlAs quantum dotsAppl. Phys. Lett., 2008, v. 92, 213101
T. S. Shamirzaev, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev, M. Larsson and P. O. HoltzAtomic and energy structure of InAs/AlAs quantum dotsPhys. Rev. B, 2008, v. 78, 085323
A. V. Nenashev, F. Jansson, S. D. Baranovskii, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii and F. GebhardHopping conduction in strong electric fields: Negative differential conductivityPhys. Rev. B, 2008, v. 78, No. 16, 165207
J. P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, M. Carmo, N. Stepina, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev, D. Lobanov; Z. KrasilnikRadiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers Material Science and Engineering B, 2008, 147, р. 191-194
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, J.V. Smagina, V.A. Volodin, A.V. Nenashev, J.P. Leit?o, M.C. do Carmo, N.A. SobolevMBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiationThin Solid Films, 2008, 517, pp. 309-312
N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V. A. Armbrister, V. V. Kirienko, P. L. Novikov, V. G. Kesler, A. K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V.SpesivtzevPulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory deviceThin Solid Films, 2008, 517, pp. 313-316
J.P. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov, S. Magalhaes, E. Alves Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structuresThin Solid Films, 2008, 517, pp. 303–305
R. Gatti, A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti , Leo MiglioImproved modeling of plastic relaxation onset in realistic GeSi islands on Si (001)Phys. Rev. B, 2008, v. 78, p. 184104
E. I. Gatskevich and G. D. Ivlev, V. A. Volodin, A. V. Dvurechenskii, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, and A. I. YakimovInfluence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrixProc. SPIE, 2008, V. 7005, 70052E ; DOI:10.1117/12.782601
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. DvurechenskiiHole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dotsMicroelectronic Journal, 2008, doi:10.1016/j.mejo.2008.11.015
А.В.Двуреченский, А.И.ЯкимовФизические явления и технологии в основе полупроводниковых структур с квантовыми точками для ИК-диапазонаИзв. РАН, сер. физическая, 2009, т.73, №1, с. 71-75
В.А.Донченко, А.А.Землянов, В.В.Кириенко, М.Н.Красилов, Н.С.ПанамаревУменьшение Величины порога суперлюминесценции в композитах органический краситель с наночастицами"Известия вузов. Физика",2008, Т.51, 9,С.77-82
М.В.Буданцев, А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Ж.К.ПортальНеравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта ХоллаПисьма в ЖЭТФ, 2009, том 89, вып. 1, с. 49-53
М.А.Паращенко, Н.В. Вандышева, В.В. Кириенко, С.И. Романов Датчик емкостного типа для измерения диэлектрической проницаемости жидкости на основе нанопористого диэлектрикаЭлектроника Сибири, 2008, вып. 3, с. 75-77
наверх

ТЕЗИСЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii and A.I. NikiforovThe transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si QDsInternational conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, August 3-8, Natal, Brasil.(устный)
A.F. Zinovieva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov, R.M. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. CarmoAsymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structuresThe 5th International Conference on semiconductor quantum dots, 2008, May 11-16, Gyeongju, Korea
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. ДвуреченскийЗарождение и рост трёхмерных островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе гетероэпитаксииВсероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 2008, 28-31 октября, Казань. (устный)
A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots15th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, 3-8 August, Natal, Brazil.(стендовый доклад)
Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В.Нано- и микроканальные кремниевые мембраны - перспективные материалы для гетерофазного анализа нуклеиновых кислот V съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, май 2008 г., Новосибирск, с. 294
Пышная И.А., Дмитриенко Е.В., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В.Использование пористых носителей в гетерофазном анализеМеждународный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 114-115. (устный)
Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Пышная И.А., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В.Разработка схему проточного гетерофазного анализа специфических взаимодействий биомолекул на микроканальной кремниевой матрицеМеждународный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 51-52. (устный)
Филиппов Н.С.Конкатамерные ДНК: термодинамика и кинетика самоассоциации олигонуклеотидных блоковXLVI Международная Научная Студенческая Конференция, секция «Физика», 2008 г., Новосибирск, с. 200
Виноградова О.А., Филиппов Н.С., Ломзов А.А., Родякина Е.Е., Латышев А.В., Клинов Д.В., Пышный, Д.В.Модифицированные ДНК-комплексы – перспективные строительные блоки для ДНК-нанотехнологииIV съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, 2008 г., Новосибирск, с. 300
А.А.Шевырин, А.Г.Погосов, М.В.БуданцевВысокотемпературный подвешенный одноэлектронный транзисторМеждународный форум по нанотехнологиям, сборник тезисов докладов участников Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий, 2008, стр. 37 (устный)
И.А. Пышная, Н.А. Плотников, Д.В. Пышный, Т.Э. Скворцова, О.Б. Вайнер, И.А. Запорожченко, П.П. Лактионов, Н.В. Вандышева, С.И. Романов, Е.В. Дмитриенко, С.Д. Мызина, Н.Б. РубцовРазработка метода выделения минорных популяций циркулирующих в крови эукариотических клеток (онкоспецифических и клеток плода), основанного на использовании линейки микроканальных кремниевых матриц в качестве прецизионных размер-селективных фильтров Итоговая конференция по результатам выполнения мероприятий за 2008 год В рамках приоритетного направления «Живые системы» ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы
M.L.Kosinova, V.S.Sulyaeva, Yu.M.Rumyantsev, N.I.Fainer, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.KuznetsovInfluence of precursor design to properties of boron carbonitride filmsТhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад)
N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, M.L.Kosinova, E.A.Maximovski, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.KuznetsovHexamethylcyclotrisilazane as single source precursor for Low-k dielectric silicon carbon nitride filmsТhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад)
M.L.Kosinova, N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, V.S. Sulyaeva, K.G. Myakishev, V.I. Rakhlin, M.G. Voronkov, V.G. Kesler, V.V. Kirienko, F.A.KuznetsovResults and prospective of CVD processes with use of complicated elementorganic compounds in preparation of electronic materialsAsia -- Pacific Academy of Materials conference and General assembly State of materials research and new trends in material science, Национальная физическая лаборатория, Нью Дели, Индия. 18-20 ноября 2008 (устный доклад)
наверх

ПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ

АвторыНазвание Конференция Файл
A.V.DvurechenskiiGeSi quantum dot structures for nano- and optoeletronics3rd Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices. Novosibirsk, April 26-28, 2008
А. В. Двуреченский, А. И. ЯкимовФизические явления и технологии в основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками для ИК диапазонаXII Ежегодный Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" в 2008 году проводится с 10 по 14 марта (Нижний Новгород, 2008)
A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov Electronic states in 3D dense array of Ge/Si quantum dots16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008
А.В.Двуреченский, А.И.ЯкимовПолупроводниковые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазонаРоссийское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, ФОТОНИКА 2008 (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 19 - 23 августа 2008г.
A.V.DvurechenskiiGe/Si quantum dot nanostructures: physics and applicationRussian-Taiwan Symposium on nano- and optoelectronics. Novosibirsk, 25-27 August, 2008
A.V.Dvurechenskii, A.F.ZinovievaSpin related phenomena in tunnel coupled array of Ge/Si quantum dots"Light and Spin" International Symposium dedicated to the memory of B.Zakharchenya. S-Petersburg, 14-15 of May 2008
А.В.ДвуреченскийЭлектронные состояния в наносистемах с плотным массивом квантовых точекМеждународная зимняя школа по физике полупроводников, 28 февраля - 1 марта 2008, Санкт Петербург
А.В.ДвуреченскийФизические явления в кремниевых наноструктурах с квантовыми точками5-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1 -4 июля 2008
A.V.Dvurechenskii, A.I.YakimovSilicon based quantum dot nanostructuresFourteenth APAM Conference ILTP Workshop on Nano Science and Technology APAM General Assembly, Delhi, 18-20 of November, India
A.G.Pogosov, M.V.BudantsevCoulomb Blockade in a Suspended Quantum DotРоссийско-тайваньский Cимпозиум "Nanophotonics and Nanoelectronics: Materials and Physics" 25-27 августа 2008 г. Новосибирск
А.Л.Асеев, А.В.Двуреченский, И.Г.НеизвестныйНаноэлектроника – одна из составляющих технического прогрессаДоклад на сессии Отделения РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям, декабрь 2008
А.В.Двуреченский, А.И.ЯкимовКремниевые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазонаПриглашенный доклад на сессии Совета РАН по проблеме «Физико-химические основы материаловедения. ноябрь,2008.
наверх

ТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ

АвторыНазвание Конференция Файл
E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. YakimovInfluence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrixProc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2008, v. 7005, p. 70052E. (устный)
N.P. Stepina, E.C. Koptev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii and A.I. NikiforovThe effect of long-range Coulomb interaction on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled Ge/Si quantum dots16 International simposium “Nanostructures: physics and thechnologies”, 2008, 14-18 July, Vladivostok, Russia, p. 238-239. (устный)
A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, L. V.Kulik, A. S. LyubinSpin-echo measurements of electrons localized on Ge quantum dots16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008, p. 215–216. (устный)
Ж.В.Смагина, В.А.Зиновьев, А.В.Ненашев, В.А.Армбристер, А.В.ДвуреченскийGe-Si наноструктуры, полученные осаждением из ионно-молекулярных пучковСборник трудов VI Международной конференции "Аморфные и мокрокристаллические полупроводники", 7-9 июля, 2008, Санкт-Петербург, с. 122-123
наверх

Последнее обновление: 19.04.2012

© www.isp.nsc.ru/24