| |
СПИСОК опубликованных научных работ
2011 |
2010 |
2009 |
2008 |
2007 |
2006 |
2005 |
статьи 1987-2004
2008 Cтатьи | Тезисы | Приглашенные доклады| Труды конференций СТАТЬИ
| Авторы |
Статья |
Опубликовано |
Файл |
| A.I. Yakimov, G.Yu. Mikhalyov, A.V. Dvurechenskii | Molecular ground hole state of vertically coupled GeSi/Si self-assembled quantum dots | Nanotechnology, 2008, v. 19, p. 055202 | | | | O.P. Pchelyakov, A.I. Nikiforov, B.Z. Olshanetsky, S.A. Teys, A.I. Yakimov, S.I. Chikichev | MBE growth of ultra small coherent Ge quantum dots in silicon for applications in nanoelectronics | Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2008, v. 69, p. 669-672 | | | | A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii | Enhanced oscillator strength of interband transitions in coupled Ge/Si quantum dots | Applied Physics Letters, 2008, v. 93, № 13, p. 132105 | (просмотр) | | | A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, and A.V. Dvurechenskii | Asymmetry of single-particle hole states in a strained Ge/Si double quantum dots | Phys. Rev. B, 2008, v. 78, № 16, p. 165310 | (просмотр) | | | Смагина Ж. В., Зиновьев В. А., Ненашев А. В., Двуреченский А. В., Армбристер В. А., Тийс С. А. | Самоорганизация Ge наноостровков при импульсном облучении пучком низкоэнергетических ионов в процессе гетероэпитаксии Ge/Si(100) | ЖЭТФ, 2008, т. 133, вып. 3, c. 593-604 | (просмотр) | | | A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo | Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots | Phys. Rev. B, 2008, v. 77, p. 115319 | (просмотр) | | | А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов | Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе | Письма в ЖЭТФ, 2008, том 87, вып. 3, с. 176-180 | | | | N. P. Stepina, E. C. Koptev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, and A. I. Nikiforov | Effect of screening on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled quantum dots | Physica status solidi (c), 2008, v. 5, No. 3, pp. 689–693 | | | | T.S. Shamirzaev, A.V. Nenashev, K.S. Zhuravlev | Coexistence of direct and indirect band structures in arrays of InAs/AlAs quantum dots | Appl. Phys. Lett., 2008, v. 92, 213101 | | | | T. S. Shamirzaev, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev, M. Larsson and P. O. Holtz | Atomic and energy structure of InAs/AlAs quantum dots | Phys. Rev. B, 2008, v. 78, 085323 | | | | A. V. Nenashev, F. Jansson, S. D. Baranovskii, R. Osterbacka, A. V. Dvurechenskii and F. Gebhard | Hopping conduction in strong electric fields: Negative differential conductivity | Phys. Rev. B, 2008, v. 78, No. 16, 165207 | | | | J. P. Leit?o, N. Santos, N. Sobolev, M. Correia, M. Carmo, N. Stepina, S. Magalh?es, E. Alves, A. Novikov, M. Shaleev, D. Lobanov; Z. Krasilnik | Radiation hardness of GeSi heterostructures with thin Ge layers | Material Science and Engineering B, 2008, 147, р. 191-194 | | | | N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V.A. Armbrister, J.V. Smagina, V.A. Volodin, A.V. Nenashev, J.P. Leit?o, M.C. do Carmo, N.A. Sobolev | MBE growth of Ge/Si quantum dots upon low-energy pulsed ion irradiation | Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 309-312 | | | | N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, V. A. Armbrister, V. V. Kirienko, P. L. Novikov, V. G. Kesler, A. K. Gutakovskii, Z.V. Smagina, E.V.Spesivtzev | Pulsed ion-beam assisted deposition of Ge nanocrystals on SiO2 for non-volatile memory device | Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 313-316 | | | | J.P. Leitao, N.A. Sobolev, M.R. Correia, M.C. Carmo, N. Stepina, A. Yakimov, A. Nikiforov, S. Magalhaes, E. Alves | Electronic properties of Ge islands embedded in multilayer and superlattice structures | Thin Solid Films, 2008, 517, pp. 303–305 | | | | R. Gatti, A. Marzegalli, V. A. Zinovyev, F. Montalenti , Leo Miglio | Improved modeling of plastic relaxation onset in realistic GeSi islands on Si (001) | Phys. Rev. B, 2008, v. 78, p. 184104 | | | | E. I. Gatskevich and G. D. Ivlev, V. A. Volodin, A. V. Dvurechenskii, M. D. Efremov, A. I. Nikiforov, and A. I. Yakimov | Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix | Proc. SPIE, 2008, V. 7005, 70052E ; DOI:10.1117/12.782601 | | | | A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, and A.V. Dvurechenskii | Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots | Microelectronic Journal, 2008, doi:10.1016/j.mejo.2008.11.015 | | | | А.В.Двуреченский, А.И.Якимов | Физические явления и технологии в основе полупроводниковых структур с квантовыми точками для ИК-диапазона | Изв. РАН, сер. физическая, 2009, т.73, №1, с. 71-75 | | | | В.А.Донченко, А.А.Землянов, В.В.Кириенко, М.Н.Красилов, Н.С.Панамарев | Уменьшение Величины порога суперлюминесценции в композитах органический краситель с наночастицами | "Известия вузов. Физика",2008, Т.51, 9,С.77-82 | | | | М.В.Буданцев, А.Г.Погосов, А.Е.Плотников, А.К.Бакаров, А.И.Торопов, Ж.К.Порталь | Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла | Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, вып. 1, с. 49-53 | | | | М.А.Паращенко, Н.В. Вандышева, В.В. Кириенко, С.И. Романов | Датчик емкостного типа для измерения диэлектрической проницаемости жидкости на основе нанопористого диэлектрика | Электроника Сибири, 2008, вып. 3, с. 75-77 | | |
наверхТЕЗИСЫ
| Авторы | Название | Конференция |
Файл |
| N.P. Stepina, E.S. Koptev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov | The transition from strong to weak localization in two-dimensional array of Ge/Si QDs | International conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, August 3-8, Natal, Brasil.(устный) | | | | A.F. Zinovieva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov, R.M. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leit?o, M.C. Carmo | Asymmetry effect on the spin relaxation in quantum dot structures | The 5th International Conference on semiconductor quantum dots, 2008, May 11-16, Gyeongju, Korea | | | | Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, А.В. Ненашев, В.А. Армбристер, А.В. Двуреченский | Зарождение и рост трёхмерных островков Ge на Si при импульсном ионном воздействии в процессе гетероэпитаксии | Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 2008, 28-31 октября, Казань. (устный) | | | | A.I. Yakimov, A.A. Bloshkin, A.I. Nikiforov, A.V. Dvurechenskii | Hole states in vertically coupled double Ge/Si quantum dots | 15th International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices, 2008, 3-8 August, Natal, Brazil.(стендовый доклад) | | | | Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. | Нано- и микроканальные кремниевые мембраны - перспективные материалы для гетерофазного анализа нуклеиновых кислот | V съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, май 2008 г., Новосибирск, с. 294 | | | | Пышная И.А., Дмитриенко Е.В., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. | Использование пористых носителей в гетерофазном анализе | Международный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 114-115. (устный) | | | | Дмитриенко Е.В., Кондрачук А.И., Пышная И.А., Вандышева Н.В., Романов С.И., Пышный Д.В. | Разработка схему проточного гетерофазного анализа специфических взаимодействий биомолекул на микроканальной кремниевой матрице | Международный Междисциплинарный Симпозиум «От Экспериментальной Биологии к Превентивной и Интегративной Медицине», сентябрь 2008 г., г.Судак, Украина, с. 51-52. (устный) | | | | Филиппов Н.С. | Конкатамерные ДНК: термодинамика и кинетика самоассоциации олигонуклеотидных блоков | XLVI Международная Научная Студенческая Конференция, секция «Физика», 2008 г., Новосибирск, с. 200 | | | | Виноградова О.А., Филиппов Н.С., Ломзов А.А., Родякина Е.Е., Латышев А.В., Клинов Д.В., Пышный, Д.В. | Модифицированные ДНК-комплексы – перспективные строительные блоки для ДНК-нанотехнологии | IV съезд Российского общества биохимиков и молекулярных биологов, 2008 г., Новосибирск, с. 300 | | | | А.А.Шевырин, А.Г.Погосов, М.В.Буданцев | Высокотемпературный подвешенный одноэлектронный транзистор | Международный форум по нанотехнологиям, сборник тезисов докладов участников Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий, 2008, стр. 37 (устный) | | | | И.А. Пышная, Н.А. Плотников, Д.В. Пышный, Т.Э. Скворцова, О.Б. Вайнер, И.А. Запорожченко, П.П. Лактионов, Н.В. Вандышева, С.И. Романов, Е.В. Дмитриенко, С.Д. Мызина, Н.Б. Рубцов | Разработка метода выделения минорных популяций циркулирующих в крови эукариотических клеток (онкоспецифических и клеток плода), основанного на использовании линейки микроканальных кремниевых матриц в качестве прецизионных размер-селективных фильтров | Итоговая конференция по результатам выполнения мероприятий за 2008 год В рамках приоритетного направления «Живые системы» ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007-2012 годы | | | | M.L.Kosinova, V.S.Sulyaeva, Yu.M.Rumyantsev, N.I.Fainer, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov | Influence of precursor design to properties of boron carbonitride films | Тhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад) | | | | N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, M.L.Kosinova, E.A.Maximovski, V.G.Kesler, V.V.Kirienko, F.A.Kuznetsov | Hexamethylcyclotrisilazane as single source precursor for Low-k dielectric silicon carbon nitride films | Тhe Third Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices", 23 -- 27 April 2008, Institute of semiconductor CAS, Beijing, China (устный доклад) | | | | M.L.Kosinova, N.I.Fainer, Yu.M.Rumyantsev, V.S. Sulyaeva, K.G. Myakishev, V.I. Rakhlin, M.G. Voronkov, V.G. Kesler, V.V. Kirienko, F.A.Kuznetsov | Results and prospective of CVD processes with use of complicated elementorganic compounds in preparation of electronic materials | Asia -- Pacific Academy of Materials conference and General assembly State of materials research and new trends in material science, Национальная физическая лаборатория, Нью Дели, Индия. 18-20 ноября 2008 (устный доклад) | | |
наверхПРИГЛАШЕННЫЕ ДОКЛАДЫ
| Авторы | Название | Конференция |
Файл |
| A.V.Dvurechenskii | GeSi quantum dot structures for nano- and optoeletronics | 3rd Joint China-Russia Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices. Novosibirsk, April 26-28, 2008 | | | | А. В. Двуреченский, А. И. Якимов | Физические явления и технологии в основе полупроводниковых наноструктур с квантовыми точками для ИК диапазона | XII Ежегодный Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" в 2008 году проводится с 10 по 14 марта (Нижний Новгород, 2008) | | | | A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov | Electronic states in 3D dense array of Ge/Si quantum dots | 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008 | | | | А.В.Двуреченский, А.И.Якимов | Полупроводниковые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазона | Российское совещание по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, ФОТОНИКА 2008 (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 19 - 23 августа 2008г. | | | | A.V.Dvurechenskii | Ge/Si quantum dot nanostructures: physics and application | Russian-Taiwan Symposium on nano- and optoelectronics. Novosibirsk, 25-27 August, 2008 | | | | A.V.Dvurechenskii, A.F.Zinovieva | Spin related phenomena in tunnel coupled array of Ge/Si quantum dots | "Light and Spin" International Symposium dedicated to the memory of B.Zakharchenya. S-Petersburg, 14-15 of May 2008 | | | | А.В.Двуреченский | Электронные состояния в наносистемах с плотным массивом квантовых точек | Международная зимняя школа по физике полупроводников, 28 февраля - 1 марта 2008, Санкт Петербург | | | | А.В.Двуреченский | Физические явления в кремниевых наноструктурах с квантовыми точками | 5-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Черноголовка, 1 -4 июля 2008 | | | | A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov | Silicon based quantum dot nanostructures | Fourteenth APAM Conference ILTP Workshop on Nano Science and Technology APAM General Assembly, Delhi, 18-20 of November, India | | | | A.G.Pogosov, M.V.Budantsev | Coulomb Blockade in a Suspended Quantum Dot | Российско-тайваньский Cимпозиум "Nanophotonics and Nanoelectronics: Materials and Physics" 25-27 августа 2008 г. Новосибирск | | | | А.Л.Асеев, А.В.Двуреченский, И.Г.Неизвестный | Наноэлектроника – одна из составляющих технического прогресса | Доклад на сессии Отделения РАН по нанотехнологиям и информационным технологиям, декабрь 2008 | | | | А.В.Двуреченский, А.И.Якимов | Кремниевые наноструктуры с квантовыми точками для фотоприемников ИК-диапазона | Приглашенный доклад на сессии Совета РАН по проблеме «Физико-химические основы материаловедения. ноябрь,2008. | | |
наверхТРУДЫ КОНФЕРЕНЦИЙ
| Авторы | Название | Конференция |
Файл |
| E.I. Gatskevich, G.D. Ivlev, V.A. Volodin, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, A.I. Nikiforov, and A.I. Yakimov | Influence of pulsed laser annealing on the properties of Ge quantum dots in Si matrix | Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 2008, v. 7005, p. 70052E. (устный) | | | | N.P. Stepina, E.C. Koptev, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii and A.I. Nikiforov | The effect of long-range Coulomb interaction on slow relaxation of excess conductance in two-dimensional array of tunnel-coupled Ge/Si quantum dots | 16 International simposium “Nanostructures: physics and thechnologies”, 2008, 14-18 July, Vladivostok, Russia, p. 238-239. (устный) | | | | A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, L. V.Kulik, A. S. Lyubin | Spin-echo measurements of electrons localized on Ge quantum dots | 16 Int. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", July 14–18, Vladivostok, 2008, p. 215–216. (устный) | | | | Ж.В.Смагина, В.А.Зиновьев, А.В.Ненашев, В.А.Армбристер, А.В.Двуреченский | Ge-Si наноструктуры, полученные осаждением из ионно-молекулярных пучков | Сборник трудов VI Международной конференции "Аморфные и мокрокристаллические полупроводники", 7-9 июля, 2008, Санкт-Петербург, с. 122-123 | | |
наверх
|
