Список докторантов, аспирантов и соискателей, защитивших диссертации под руководством сотрудников лаб. 24 (с 1987г.):

1. Рагозина Н.В. Образование, рост и структура кристаллов дийодида ртути. К.ф.м.н. Физика твердого тела, НГУ - ИФП СО РАН. Рук. Л.Н. Александров, 1987;
2. Сурин Б.П. Внутреннее трение и его применение для изучения релаксации и отжига радиационных дефектов в кремнии. К.ф.м.н. Физика твердого тела, МГУ - ИФП СО РАН. Рук. Л.Н. Александров, 1987;
3. Каранович Алексей Анриевич. Изменения в структуре парамагнитных дефектов кремния при облучении электронами и нейтронами. К.ф.м.н. Физика полупроводников. Рук. А.В. Двуреченский, 1988;
4. Геталов В.С. Исследование условий выращивания структурно совершенных кристаллов парателлурита гранной формы из расплава методом Чохральского. К.ф.м.н. Физика твердого тела, СКТБ Монокристаллов СО РАН -Харьковское НПО "Монокристаллреактив", Рук. Л.Н. Александров, 1988;
5. Лозовский С.В. Зонная сублимационная перекристаллизация кремния. К.ф.м.н. Физика твердого тела, Новочеркасский ГТУ - ИФП СО РАН. Рук. Л.Н. Александров, 1988;
6. Шляхов А.Т. Влияние легирования на состав собственных структурных дефектов в арсениде галлия. К.ф.м.н. Физика твердого тела, ИФП СО РАН - Ленинградский Пед. И-тут. Рук. Л.Н. Александров, 1990;
7. Меньшикова В.А. Кремниевые лавинные фотодиоды. К.ф.м.н. Физика полупроводников и диэлектриков, ИФП СО РАН - ИПФ "Пульсар". Рук. Л.Н. Александров, 1990;
8. Коляденко Сергей Николаевич. Ориентированная кристаллизация из расплава слоев кремния на структурах SiO₂/Si в условиях импульсного миллисекундного нагрева. К.ф.м.н. Физика полупроводников. Рук. А.В. Двуреченский,1991;
9. Якимов Андрей Иннокентьевич. Прыжковая проводимость и электронные корреляции в кремнии с примесями, дающими глубокие уровни. К.ф.м.н. Физика полупроводников и диэлектриков, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский, 1991;
10. Манжосов Ю.А. Перекристаллизация пленок кремния в слоистых структурах в условиях наносекундного лазерного воздействия К.ф.-м.н. Физика твердого тела, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский,1992;
11. Кулясова О.А.Моделирование тепловых и термоупругих полей, фазовых переходов при импульсном нагреве в многослойных полупроводниковых структурах. К.ф.-м.н. Физика твердого тела, ИФП СО РАН. Рук.Л.Н.Александров, А.В. Двуреченский,1992;
12. Рыбин А.В. Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетическими ионами. К.ф.-м.н. Физика полупроводников и диэлектриков, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский,1995;
13. Щербакова Л.А. Прыжковая проводимость аморфного пористого кремния. К.ф.-м.н. Физика твердого тела, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский и А.И.Якимов, 1997;
14. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности. К.ф.-м.н. Физика полупроводников и диэлектриков, ИФП СО РАН. Рук. Л.Н.Александров и А.В. Двуреченский,2000;
15. Якимов А.И. Электронные явления в массивах квантовых точек германия в кремнии. Д.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Научный консультант А.В. Двуреченский,2001;
16. Ненашев А.В. Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge в Si. К.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский, 2004
17. Зиновьев В.А. Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. К.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский, 2004
18. Погосов А.Г. Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах. Д.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Научн. консультант А.В.Чаплик, 2007
19. Милехин А.Г. Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем. Д.ф.-м.н. Физика конденсированного состояния, ИФП СО РАН. Научный консультант. А.В. Двуреченский,2006.
20. Смагина Ж.В. Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si. К.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский, 2008.
21. Зиновьева А.Ф. Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек. К.ф.-м.н. Физика полупроводников, ИФП СО РАН. Рук. А.В. Двуреченский, 2008.