Разработки лаборатории:

Фотоприемные элементы на диапазон длин волн l =1,3-1,55 мкм

Назначение: встраивание в комплекс фотонных компонентов волоконно-оптических линий связи, в том числе на едином кремниевом чипе. Характеристики: диапазон длин волн 1.3-1.55мкм, квантовая эффективность до 21%, комнатная температура функционирования. Технологические основы: гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками, молекулярно-лучевая эпитаксия.

Полевой транзистор на структурах Ge/Si с квантовыми точками
Автоматизированная установка молекулярно-лучевой эпитаксии для синтеза многослойных полупроводниковых структур	Нанокластеры Ge в Si плотность островков Ge 3x1011 см-2 латеральный размер 10-30 нм	Разработана технология получения массивов квантовых точек Ge в Si Создан макет нанотранзистора на структурах с квантовыми точками Ge в Si

Макет полевого нанотранзистора с квантовыми точками Ge в канале
		Применение Новые квантовые электронные и оптоэлектронные приборы, функционирующие при комнатной температуре (электрометры, элементы памяти). Элементная база вычислительной техники ХХI века с повышенным быстродействием.