19 по 21 апреля состоялся конкурс научных работ ИФП 2010 года, на котором были представлены на обсуждение 16 работ, из них 10 работ по первому и 6 по второму научному направлению. Нужно отметить, что число работ невелико. Такое положение наблюдается уже несколько лет. Сохранилось в этом году и соотношение количества работ по первому и второму направлениям, что отражает существующее сочетание фундаментальных и прикладных работ в Институте.

Техническое обеспечение конкурса было безупречным благодаря чёткой работе технического секретаря конкурса М.В.Буданцева и его помощников магистрантов НГУ Е.Ю.Жданова, Д.А.Похабова, А.А.Шевырина. Следует отметить также четкое соблюдение регламента докладов и обсуждений на всех заседаниях, благодаря опыту и умению общения с аудиторией

увеличить

председателей В.Л.Альперовича, В.А.Гриценко, Г.А.Качурина и Л.И. Фединой. Профессионально выполненные фотографии, сделанные в разные дни работы конкурса и приведённые здесь - результат работы В.Н. Яковлева.

Открытие конкурса началось со вступительного слова директора Института академика А.Л. Асеева. Александр Леонидович отметил важность поддержания конкурса, который стал доброй традицией института.

увеличить

По традиции первой представляется работа, ставшая победителем конкурса предыдущего года. Нужно отметить, что и А.Ю.Миронов, представлявший доклад, признанный победителем прошлогоднего конкурса по первому направлению, также как и Е.В.Наумова, победитель прошлогоднего конкурса по второму направлению сделали интересные доклады, в которых не просто повторили доклады прошлого года, а рассказали о развитии работ в течение прошедшего года. Это явилось очень удачным началом работы конкурса. В первый же день стало ясно, что в число призеров могут попасть многие из представленных работ. Среди них - работа А.А.Быкова, посвященная исследованию пространственной неоднородности индуцированных микроволновым излучением магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением и нулевой проводимостью в GaAs/AlAs гетероструктурах. Работа Н.П.Степиной, в которой обсуждался переход от режима сильной к режиму слабой локализации в двумерном массиве квантовых точек, также произвела хорошее впечатление, получила положительную оценку рецензентов и смотрелась достойной призового места. Расчетная работа "Энергетический спектр и электронная структура в парных вертикально-связанных квантовых точках Ge/Si", представленная А. А. Блошкиным, также привлекла к себе внимание хорошо представленным докладом. Нужно отметить одного из рецензентов данной работы В.А.Ткаченко, который активно участвовал в обсуждении работ на протяжении всего конкурса, задавая, как правило, эмоционально позитивный тон дискуссии.

Самым ярким событием второго дня был доклад, сделанный сотрудником отдела квантовой электроники И.И.Рябцевым о наблюдении резонанса Фёрстера при взаимодействии двух холодных ридберговских атомов. Д.Х.Квон в качестве рецензента дал очень высокую оценку данной работы. Оживление в зале вызвал факт, что рецензент поддержал работу, целью которой в перспективе было создание элементов квантовой логики, так как накануне актуальность такой цели была подвергнута им сомнению. В целом, интересная работа, представленная И.И.Рябцевым, была высоко оценена конкурсной комиссией, заняв первое место. Из других работ, представленных во второй день, хотелось бы отметить работы Р.А.Жачук по изучению и моделированию диффузии атомов Sr по поверхности Si(111)-7×7 и работу В.А.Гриценко, посвященную выяснению механизма проводимости нитрида кремния и оксида алюминия.

Третий день конкурса был посвящен прикладному направлению. Общий интерес вызвал доклад, представленный М.В.Якушевым от имени большого коллектива соавторов, о создании гетероструктур HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников. Докладчик продемонстрировал, что решение ряда проблем, связанных с оптимизацией процесса роста и снижением плотности морфологических дефектов позволили изготовить гибридные матричные элементы формата 320×256 и субматричные формата 4×288 ИК ФП для спектральных диапазонов 3 - 5 мкм и 8 - 12 мкм с параметрами, не уступающими зарубежным аналогам. Именно этот доклад получил первую премию в конкурсе по второй проблеме. Блестящий доклад был сделан А.В.Ненашевым. Он рассказал о подходе, позволившим аналитически решить трёхмерную задачу теории упругости,: получить выражение для распределения деформации в бесконечной упруго-изотропной матрице, содержащей трёхмерное включение (квантовую точку), имеющее форму многогранника. Конечным результатом работы А.В.Ненашева была программа, доступная в Интернете для общего пользования, которая практически мгновенно, позволяет производить расчеты. Но самое большое впечатление произвел сам доклад, в котором очень наглядно и понятно была изложена его теоретическая работа. В.А.Селезнев рассказал об интересных разработках, направленных на создание быстродействующих трубчатых датчиков скорости потока газа и жидкости, которые проводятся в лаборатории N7 совместно с ИТПМ СО РАН. А.В.Царев представил результаты численного моделирования оптических свойств новых оптических волноводов в структурах кремний-на-изоляторе, отметив, что нашел зарубежные фирмы, заинтересованные в практической реализация волноводов.

По окончании докладов Положение о конкурсе предполагает обсуждение работ, в котором могут выступить все желающие. К сожалению, дискуссия не собрала большого количества желающих обсудить представленные работы, и комиссия приступила к голосованию. Результаты таковы:

Победителями по 1-ой проблеме признаны следующие работы (3 премий):

1 премия:

И.И.Рябцев, Д.Б.Третьяков, И.И.Бетеров, В.М.Энтин
Наблюдение резонанса Фёрстера при взаимодействии двух холодных ридберговских атомов - 8.68 балла

2 премия:

А.А.Быков
Пространственная неоднородность индуцированных микроволновым излучением магнетополевых состояний с нулевым сопротивлением и нулевой проводимостью в GaAs/AlAs гетероструктурах - 5.32 балла

Р.А.Жачук, С.А.Тийс, Б.З.Ольшанецкий
Диффузия атомов Sr по поверхности Si(111)-7×7: данные СТМ и моделирование - 4.21 балла

3 премия:

А.И.Якимов, А.А.Блошкин, А.В.Двуреческий
Энергетический спектр и электронная структура в парных вертикально-связанных квантовых точках Ge/Si - 2.74 балла

Т.С.Шамирзаев, Д.С.Абрамкин, К.С.Журавлёв
Захват носителей заряда в InAs/AlAs квантовые точки - 2.47 балла

Еще одна третья премия не была присуждена, так как количество баллов, полученное остальными участниками, было меньше 2, порога, который ограничивает снизу список премируемых работ. В результате работа Н.П.Степиной, получившая 1.95 балла осталась за чертой премированных работ.

Победителями по 2-ой проблеме признаны следующие работы (3 премии):

1 премия:

М.В.Якушев, А.А.Бабенко, Д.В.Брунев, В.В.Васильев, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, И.В.Марчишин, Л.В.Миронова, А.В.Предеин, Д.Н.Придачин, В.Г.Ремесник, И.В.Сабинина, Ю.Г.Сидоров, А.В.Сорочкин, А.О.Сусляков
Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников - 8.31 балла

2 премия:

А.В.Ненашев, А.В.Двуреченский
Распределение упругой деформации в квантовой точке, имеющей форму произвольного многогранника (аналитическое решение) - 3.84 балла

3 премия:

В.Я.Принц, В.А.Селезнев, В.М.Фомин, В.М.Анискин, А.Н.Шиплюк, А.А.Маслов
Быстродействующие трубчатые датчики скорости потока газа и жидкости - 3.32 балла

Премия молодому (не старше 33 лет) участнику - соавтору премированной работы присуждена А.А.Блошкину (3-е место по первому научному направлению).

Лучшим докладчиком признан А.В.Ненашев

Большую помощь конкурсной комиссии оказало тщательное и подробное рецензирование работ. Особенно отмечены рецензенты: В.Г.Половинкин, В.А.Ткаченко, О.В.Наумова, Г.А.Качурин.

Конкурс закончен. Это был праздник науки для всех его участников, независимо от полученных премий. Спасибо всем!

Председатель конкурсной комиссии 2010 г.
д.ф.-м.н. И.В.Антонова