Среда, 19 ноября 2014, 15.30, КЗ ТК
В.А. Голяшов, К.А. Кох, О.Е.Терещенко
Транспорт в кристаллах Bi₂Te₃ и Bi_2-xSb_xTe₃ с градиентным p-n переходом

В работе показано, что в кристаллах Bi₂Te₃ (Bi_2-xSb_xTe₃), выращенных вертикальным методом Бриджмена из нестехиометрического расплава (62% Te и38% Bi), коэффициент Зеебека и постоянная Холла меняют знак вдоль оси роста кристалла, при этом поверхностное состояние с линейным законом дисперсии(конус Дирака) наблюдается как в p- , так и n- областях кристалла. В области p-n перехода наблюдается  положительное магнетосопротивление, обусловленное присутствием двух типов носителей. Вблизи p-n перехода при переходе в n- область подвижность носителей увеличивается почти на порядок (подвижность электронов достигает 80000 см²В^-1с^-1), что, возможно, связано с эффектом экранировки. Обсуждается вопрос отделения  поверхностной проводимости от объемной.