Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей на условиях срочного трудового договора:
- младшего научного сотрудника по специальности 05.27.03 "квантовая электроника" - 1 ставка, опыт работы в областях: газовые лазеры, сильноточная электроника, физика газового разряда и генерации заряженных частиц, стаж работы по специальности не менее 2-х лет;
- младшего научного сотрудника по специальности 01.04.10 "физика полупроводников" - 1 ставка, опыт работы с криогенным оборудованием, исследования гальваномагнитных и фотоэлектрических явлений в HgCdTe и AlGaN/GaN, стаж работы по специальности не менее 3-х лет;
- младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния" - 1 ставка, опыт работы на установках МЛЭ отечественного и импортного производства, синтеза эпитаксиальных структур Ge/Si, стаж работы по специальности не менее 3-х лет;
- младшего научного сотрудника по специальности 01.04.07 "физика конденсированного состояния" - 1 ставка, опыт работы в области химического синтеза оксидных материалов, рентгеноструктурного анализа, ИК и КР спектроскопии, стаж работы по специальности не менее 3-х лет.
Требования к кандидатам в соответствии с квалификационными характеристиками, утвержденными постановлением Президиума РАН N196 от 25.03.2008 г.
Срок подачи документов - один месяц со дня выхода объявления.
Документы подавать по адресу: г. Новосибирск, проспект ак. Лаврентьева, д. 13.
Дата проведения конкурса 28 мая 2009 года.
Объявление о конкурсе и перечень необходимых документов размещены на сайтах РАН и Института.
Справки по тел.: 333-24-72 (отдел кадров), 333-24-88 (ученый секретарь).