Семинар 29 октября 2024 г в 15:00 в конференционном зале ТК

Докладчик: Малин Тимур Валерьевич, м.н.с. лаб. 18 ИФП СО РАН.


«In situ пассивированные SiN/AlN/GaN гетероструктуры с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов».


Доклад по материалам диссертации.

Научный руководитель – д.ф.-м.н. Журавлев Константин Сергеевич.

Приглашаем всех заинтересованных.