В этом году конференция проходила в Нижнем Новгороде, организатором выступал Институт физики микроструктур РАН. В ходе мероприятия Программный комитет конференции определил лучшие доклады, представленные молодыми учеными. Одним из победителей стал научный сотрудник лаборатории неравновесных полупроводниковых систем №24 ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Дмитрий Александрович Похабов.

«Российская конференция по физике полупроводников является, пожалуй, основной конференцией для российского научного сообщества в области физики полупроводников и проводится раз в два года», — отметил Дмитрий Похабов.

Диплом победителя вручен Дмитрию за работу «Спонтанная структуризация канала квантового точечного контакта, обусловленная межэлектронным взаимодействием».

Дмитрий Похабов. Фото Е. Жданова

Исследование выполнено при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант № 22-12-00343) в научной группе доктора физико-математических наук Артура Григорьевича Погосова в соавторстве с сотрудниками ИФП СО РАН Д. И. Сарыповым, Е. Ю. Ждановым, А. К. Бакаровым и А. А. Шкляевым.

«Работа посвящена необычному многоканальному режиму электронного транспорта через квантовый точечный контакт (КТК). Несмотря на то, что квантование кондактанса КТК изучается ещё с конца 80-х годов прошлого столетия, многие физические явления, в том числе обусловленные электрон-электронным взаимодействием, остаются необъяснёнными. В работе изучается КТК необычной конструкции, с боковыми затворами, что расширяет функционал КТК, вносит вклад в построение исчерпывающей картины физических явлений, наблюдающихся в полупроводниковых наноструктурах. А также, что немаловажно, демонстрирует технологические возможности ИФП СО РАН как в части изготовления полупроводниковых наноструктур, так и в части изучения их низкотемпературных электрофизических свойств», — пояснил Дмитрий Похабов.

Диплом РКФП-22

Справка: Российская конференция по физике полупроводников — одно из ключевых научных мероприятий, на котором обсуждаются фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников.

По статистическим данным, представленным на сайте конференции, в этом году на мероприятие зарегистрировалось более 400 участников из России, Азербайджана, Австрии, Беларуси. Больше всего докладчиков приехало из Санкт-Петербурга, Москвы, Новосибирска, Нижнего Новгорода.

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН принимал конференцию трижды, в частности, предыдущий форум проходил в ИФП СО РАН. А самая первая конференция состоялась в 1993 году. Хозяевами мероприятия в разное время выступали Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, Институт физики микроструктур РАН в Нижнем Новгороде, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН.

Пресс-служба ИФП СО РАН